高深宽比刻蚀设备
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行业点评报告:周期上行叠加工艺突破,存储芯片设备国产替代加速
开源证券· 2025-11-09 22:12
投资评级与核心观点 - 报告对电子行业给予“看好”的投资评级,并予以维持 [1] - 报告核心观点为:周期上行叠加工艺突破,存储芯片设备国产替代加速 [3] - 国产设备取得突破,叠加长江存储、长鑫存储上市缓解资金压力,存储扩产有望步入高速增长阶段 [3] 行业需求与供给分析 - AI服务器对存储需求呈指数级增长,单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍,NAND用量约为传统服务器的3倍 [4] - 2025年AI对存储的需求占比已达到40%,未来可能进一步提升 [4] - 传统DRAM供需可能在2027年后才开始回稳,NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久 [4] - 供给层面,三星、海力士等原厂表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率产品 [4] 设备工艺与国产化进展 - 存储扩产将显著带动刻蚀与薄膜设备需求,3D NAND关键工艺包括ONON交替沉积、高深宽比通孔刻蚀等,DRAM关键工艺包括多重曝光、电容高深宽比刻蚀等 [5] - 工艺复杂化带动设备价值量提升,例如高深宽比刻蚀需要更复杂的离子源设计、更多腔室及更精确的控制能力 [5] - 国产设备公司在关键工艺上取得突破:北方华创、中微公司部分高深宽比刻蚀设备已在下游客户产线实现量产;拓荆科技应用于先进制程的薄膜沉积机台已在2025年第三季度实现量产;中科飞测的明场纳米图形晶圆缺陷检测设备也已进入先进产线验证 [6] 主要受益标的 - 刻蚀设备领域的主要受益公司包括北方华创、中微公司 [7] - 薄膜沉积设备领域的主要受益公司包括拓荆科技、北方华创、微导纳米、迈为股份等 [7] - 过程控制设备领域的主要受益公司包括中科飞测、精测电子等 [7] - 后道设备领域的主要受益公司包括长川科技、精智达、矽电股份等 [7]