高速低延迟互连NVLink

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三星HBM3E为何搞不定英伟达?
半导体芯闻· 2025-08-18 18:48
三星电子HBM3E供应情况 - 预计最早于2024年下半年开始向博通全面出货第五代高带宽存储器(HBM3E)产品[1] - 向英伟达交付的12层HBM3E产品因质量测试被推迟 原计划2024年Q2供应但进度落后[1] - 预计将获得博通超过50%的HBM3E需求 成为其最大供应商[1] 三星电子供应英伟达的障碍 - 未能满足英伟达散热标准 其标准比博通严格两倍[1][2] - HBM连接英伟达NVLink时数字信号质量下降[1][3] - 良品率低于竞争对手 影响按时交付和价格谈判能力[1][3] 博通与英伟达的技术差异 - 博通散热要求约为英伟达一半 提供定制化AI半导体[2] - 英伟达产品设计为通用型 需适应广泛场景导致功耗和发热更高[2] - 英伟达凭借高性能产品引领市场 散热标准比AMD等对手更严格[2] 技术细节问题 - NVLink设计用于避免AI芯片集群的响应瓶颈[3] - 三星DRAM性能问题导致连接NVLink时信号质量下降[3] - 公司正在重新设计DRAM产品以提高质量和稳定良率[3]