核心观点 - 三星电子与SK海力士计划于2026年第二季度启动尖端NAND闪存产线转换投资，以应对AI产业带动下NAND市场需求大增的行情 [1][2] 投资计划与时间线 - 三星电子计划自2026年第二季度起，重点推进其西安X2产线转换，目前该产线主要生产6至7代旧款NAND [1] - SK海力士计划于2026年第二季度在清州M15工厂推进321层第9代NAND产线转换 [2] - 考虑设备部署周期，V9 NAND产品预计于2027年进入产能爬坡阶段 [2] 产能与规模 - 三星电子当前280层V9 NAND闪存的产能规模较小，月产能合计约1.5万片晶圆 [1] - 三星电子西安X2产线的转换投资规模预计达月产能4万-5万片晶圆 [2] - SK海力士计划通过产线转换，将其清州M15工厂的NAND月产能从当前的2万片提升至约3万片 [2] 市场背景与战略调整 - 此次投资旨在应对AI产业带动下NAND市场需求大增的行情 [1] - 此前因DRAM投资优先，相关NAND产线转换安排有所延后 [1] - 随着NAND闪存市场供应紧张，企业正加速调整产能布局，此前设备投资重心集中于DRAM领域 [4]