DRAM市场动态 - 通用DRAM价格已连续七个月持续上涨，10月份DDR4 8Gb (1Gx8 2133MHz)平均合约价达到7美元，较上月6.30美元上涨11.11% [2] - 价格自2025年4月开始反弹，当月涨幅达22.22%，5月至8月期间月度涨幅均超过20%，但9月份涨幅收窄至约10% [5] - PC厂商正提前囤积库存以应对供应短缺，而供应商增加服务器DRAM生产比例并减少PC DRAM供应，加剧了供需失衡 [5] - 预测显示第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨25-30%，主要供应商将调整生产并专注于高附加值产品 [5] NAND闪存市场动态 - NAND闪存价格连续第十个月上涨，创下今年以来最大涨幅，10月份128Gb MLC NAND闪存平均合约价为4.35美元，较上月3.79美元上涨14.93% [4][6] - 价格上涨主要由于供应减少以及工业、汽车和电信设备需求增加，特别是SLC和MLC闪存产能萎缩推动细分市场走强 [6] - 行业预测指出，受人工智能服务器、工业设备和汽车电子产品稳定需求推动，NAND闪存价格可能在2026年上半年进一步上涨 [6] 价格历史数据趋势 - DRAM价格数据显示从2025年1月至10月持续上涨，平均价格从1月的1.35美元大幅攀升至10月的7.00美元 [3] - NAND闪存价格在2024年经历下跌后，自2025年1月开始持续上涨，平均价格从1月的2.18美元上涨至10月的4.35美元 [4]

人工智能浪潮正以超乎预期的速度重塑全球半导体供应链，存储芯片巨头SK海力士传出的最新信号，预示着市场可能正迈向一个由供应短缺和价 格飙升定义的新周期。 华尔街见闻此前提及，SK海力士三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%，背后是其HBM高带宽内存的全面"售罄"。公司已锁定2026年全部 DRAM和NAND客户需求，HBM4将于2025年底出货。 | | 3Q25 | QoQ | | YoY | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | 2Q25 | Change | 3Q24 | Change | | Revenues | 24,448.9 | 22,232 | 10% | 17,573.1 | 39% | | Operating | 11,383.4 | 9,212.9 | 24% | 7,030 | 62% | | Profit | | | | | | | Operating | 47% | 41% | 6%p | 40% | 7%p | | Margin | | | | | | | Net Income | 12,597.5 | 6,996.2 | 8 ...

美股存储板块近期表现 - 当地时间10月29日，美股存储板块大幅上涨，希捷科技涨17.2%，西部数据涨超12%，SanDisk涨超10%，美光科技涨近3% [1] - 近两个月（2025年9月1日至10月29日）存储板块个股累计涨幅惊人，希捷科技累涨54.41%，西部数据累涨72.37%，美光科技累涨89.13%，SanDisk累涨283% [1][2] 存储产品价格暴涨现状 - 内存条近一个月价格翻番，例如原价200多元的内存条涨至400多元，原价1000多元的涨至近2000元 [2] - 2025年第三季度DRAM价格较去年同期大幅上涨171.8% [3] - 10月13日至18日期间，DDR5 16G和DDR4 16G均价相较上周分别上涨20.59%和11.11%，相较上月涨幅分别高达58.73%和43% [3] 存储芯片技术分类与AI驱动需求 - 存储芯片主要分为NAND闪存（数据持久化存储）和DRAM（实时数据暂存） [4] - HBM作为基于DRAM的高端品类，满足AI计算、服务器等场景对海量数据实时流转的需求 [4] - 自2022年底生成式AI热潮以来，存储芯片制造商将更多产能转向HBM生产 [5] - Yole Group预计2025年HBM产品营收将接近翻倍，达到约340亿美元，2030年前年复合增长率保持33%，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50% [5] 产能转移与供应结构性失衡 - HBM生产消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多，例如OpenAI每月90万片晶圆订单相当于消耗全球DRAM月产能的53% [5] - 中国公司在低端DRAM芯片上的竞争促使三星和SK海力士（控制全球DRAM市场约70%份额）加速向高端芯片转型 [5] - 主要厂商自2025年初起调整战略，计划在2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒生产，将产能转向DDR5和HBM，直接挤压DDR4产能 [5] 市场行为与行业预期 - 年初起有经销商大量囤货锁价，华强北等电子集散地自二季度出现大规模扫货现象，导致民用市场现货流通量减少 [6] - TrendForce报告显示，由于三大厂转移产能并宣布DDR4等产品进入生命周期末期，引发市场积极备货，2025年第三季度DRAM合约价上涨10%至15%，第三季涨价幅度达40%至45% [6] - 威刚董事长陈立白表示，当前四大存储类别全面缺货涨价局面在其三十余年职业生涯中前所未见，并认为第四季度才是存储大多头的真正起点和严重缺货的开始 [10] 厂商盈利能力与成本传导 - 韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力可能超越HBM [7] - 估算三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务达60% [7] - 美光科技预测2026年HBM与非HBM业务均将保持健康的利润率 [7] - 存储芯片价格飙升给消费电子和服务器制造商带来成本压力，部分企业将成本转嫁给消费者，例如英国个人电脑制造商Raspberry Pi因内存成本较一年前上涨约120%而宣布涨价 [8] - 小米集团高管表示存储成本上涨远高于预期且会持续加剧，并将手机不同版本间价差过大归因于存储成本上涨 [8]

个股价格表现 - 希捷科技股价大涨13% [1] - 西部数据股价上涨超过8% [1] - SanDisk股价上涨超过7% [1] - 美光科技股价上涨超过5% [1] - Rambus股价上涨超过5% [1] 主要公司市值与涨幅 - 三星电子市值为4494亿美元，年初至今股价上涨87% [3] - 美光科技市值为2471亿美元，年初至今股价上涨162% [3] - SK海力士市值为2464亿美元，年初至今股价上涨195% [3] - 西部数据市值为434亿美元，年初至今股价上涨1820% [3] - 铠侠市值为337亿美元 [3] - Pure Storage市值为314亿美元，年初至今股价上涨55% [3] - SanDisk市值为259亿美元，年初至今股价上涨1066% [3] - Rambus市值为122亿美元，年初至今股价上涨115% [3] - 希捷科技市值为92亿美元，年初至今股价上涨171% [3] 行业产品与技术焦点 - 行业公司主要业务集中在NAND闪存、DRAM、固态硬盘(SSD)和机械硬盘(HDD)的制造与解决方案提供 [3] - 产品应用覆盖消费电子、数据中心、企业级存储、工业、汽车存储市场及云原生存储等多个领域 [3] - 技术发展重点包括3D闪存技术研发、存储接口芯片与IP（如DDR5）以及全闪存存储阵列 [3]

日本股市与AI行业动态 - 日经225指数大幅走高，收盘涨2.17%，创历史新高，盘中上涨超1000点 [1][3] - 芯片测试设备公司爱德万测试股价大涨22%，创历史新高，总市值逼近17万亿日元，公司将其截至2026年3月财年的营业利润预期上调25%至3740亿日元 [1][3] - 软银集团股价一度涨超5%，再创历史新高，其董事会批准向OpenAI追加投资225亿美元，标志着对OpenAI总额300亿美元阶段性投资将完成，OpenAI估值从3000亿美元飙升至5000亿美元 [1][3] OpenAI发展与市场影响 - OpenAI与微软达成重组协议，为其上市铺路，该协议消除了OpenAI在筹集资金和获取微软计算资源方面的限制 [1][3][5] - 英伟达CEO黄仁勋对OpenAI上市前景表示乐观，认为其可能成为历史上最成功的公开募股之一，并透露英伟达人工智能处理器已获得5000亿美元订单 [4][5] - 美股三大指数全线收涨创历史新高，AI龙头股英伟达大涨近5%，单日市值增长2318亿美元（约合人民币1.64万亿元），总市值超过4.88万亿美元 [5] 韩国市场与存储芯片行业 - 韩国综合指数上涨1.76%，创历史新高至4084点，SK海力士股价大涨7.10%创出新高 [1][6] - SK海力士第三季度营业利润首次突破10万亿韩元，达11.38万亿韩元，同比增长62%，净利润为12.59万亿韩元，同比增长一倍以上，营收同比增长39.1%至24.44万亿韩元 [1][6] - 公司业绩增长得益于DRAM和NAND闪存价格上涨以及AI服务器产业对高端产品的旺盛需求，客户已锁定其明年全系列存储芯片供货，2026年订单已被预订一空 [1][6][7] 地缘经济与产业合作 - 美国总统特朗普表示美韩接近敲定新贸易协议，强调将加强在制造业和造船业领域的工业合作，美国对韩汽车关税将降至15% [2][8] - 韩元兑美元日内上涨约0.5%，黄仁勋计划访问韩国并与三星、SK、现代、LG等公司宣布合作消息 [2][8] - 分析师指出，超大规模数据中心、主权AI建设及OpenAI"星门"等大型项目将加速高带宽存储芯片需求，此旺盛需求可能持续至明年 [7]

公司业绩表现 - 第三季度合并基准营业利润达到11.3834万亿韩元，同比增长62% [2] - 第三季度销售额达到24.4489万亿韩元，同比增长约39% [2] - 业绩增长得益于AI基础设施投资带来的存储需求激增，以及高附加值产品如HBM3E和服务器用DDR5的销售扩大 [2] - 第四季度DRAM和NAND出货量预计环比增长一位数以上，有望再次刷新历史最高业绩纪录 [3] HBM市场与技术进展 - 公司凭借AI市场需求激增的高带宽内存（HBM）市场主导地位，第三季度刷新历史最高业绩 [1] - 公司已率先完成第6代HBM（HBM4）的供应谈判，计划从今年第四季度起正式出货 [1][2] - 公司已与主要客户完成明年HBM供应协商，HBM4明年计划正式扩大销售 [2] - 公司开发完成并建成HBM4量产体系，满足了英伟达提出的所有性能要求 [1][2] 存储半导体市场展望 - 存储半导体市场已进入超级繁荣期，公司明年的DRAM和NAND闪存供应量已实质售罄 [1][4] - AI数据中心投资扩大，预计DRAM需求增长率将从今年的十几个百分点提升至明年的20%以上，NAND需求增长率预计将从今年的十几个百分点提升至明年的十几个百分点 [4] - 通用存储半导体价格上涨趋势带动第四季度业绩预期，AI服务器和通用服务器扩容将推动存储半导体市场景气度持续向好 [3][4] 产品与技术路线图 - 公司将从明年起正式扩大下一代10纳米级6代（1c，11-12纳米级）DRAM的生产能力 [5] - 1c DRAM今年已启动量产，预计到明年年底该工艺有望占据DRAM总生产能力的一半 [5] - 公司战略是加速向1c DRAM工艺转型，完善服务器、移动、图形等DRAM产品系列以扩大供应 [5]

财务业绩表现 - 2025财年第三季度营业收入达到24.4489万亿韩元（约合人民币1209亿元），同比增长39% [3] - 营业利润为11.3834万亿韩元（约合人民币563亿元），同比增长62%，环比增长24% [3][4] - 净利润为12.5975万亿韩元（约合人民币623亿元），同比增长119%，环比增长80% [3][4] - 公司实现成立以来首次单季度营业利润突破10万亿韩元，并首次实现3.8万亿韩元规模的净现金流量 [3] 业绩增长驱动因素 - DRAM和NAND闪存价格全面上涨是业绩高增长的关键原因 [4] - 面向人工智能AI服务器的高性能产品出货量激增，其中128GB高容量DDR5出货量环比增加一倍 [4] - 面向AI服务器的企业级固态硬盘出现溢价 [4] 行业趋势与市场展望 - AI市场未来将转向以推理为中心，预计将继续带动高性能DDR5和企业级固态硬盘的需求 [4] - 得益于AI热潮，近两年内存和硬盘价格一路走高 [1] - 在AI浪潮下，半导体厂商优先供货高利润的服务器产品，导致消费端内存和硬盘供应紧张，价格持续走高 [7] 公司战略与未来计划 - 公司将加快最先进第六代10纳米级（1c）工艺的投产 [5] - 计划扩大321层TLC和QLC产品的供应量 [5] - 计划在2025年第四季度开始供应HBM4，并在2026年实现大规模销售 [5]

传闻纷飞，严谨求证， 掌握权威、真实的声音。 近期，存储芯片价格飙涨带动A股相关个股股价快速上升，本周存储芯片板块表现强势。据悉，此次价格狂飙主要由供需失衡引发。 在需求端，AI技术的快速发展催生了对高带宽内存（HBM）和高端存储芯片的庞大需求，导致上游厂商将更多产能转向利润更高的AI相关产品。 在供应端，各大存储原厂此前执行的减产计划效果显现，使得市场库存水平大幅下降，研究机构TechInsights的数据显示，DRAM的库存周期已降 至历史低位。此外，智能手机、PC等传统电子产品的换机需求也加剧了供应紧张的局面。 根据集邦咨询（TrendForce）发布的市场报告，DRAM与NAND闪存价格正集体飙升，主流DDR4内存芯片的现货价格在单周内涨幅高达约 9.86%，而NAND闪存的涨势更为凌厉，部分型号的晶圆价格单周飙升近28%。这股涨势已从现货市场蔓延至合约市场，全球主要供应商如三星、 SK海力士已正式通知客户，计划在第四季度将DRAM与NAND的合同价格最高上调30%。 目前，国内存储芯片相关企业经营现状如何？未来有哪些规划发展？全景为您精选来自上市公司最真实的声音。（以下内容均摘自深交所互动 易、上证 ...

传闻纷飞，严谨求证， 掌握权威、真实的声音。 近期，存储芯片价格飙涨带动A股相关个股股价快速上升，本周存储芯片板块表现强势。据悉，此次价 格狂飙主要由供需失衡引发。 在需求端，AI技术的快速发展催生了对高带宽内存（HBM）和高端存储芯片的庞大需求，导致上游厂 商将更多产能转向利润更高的AI相关产品。在供应端，各大存储原厂此前执行的减产计划效果显现， 使得市场库存水平大幅下降，研究机构TechInsights的数据显示，DRAM的库存周期已降至历史低位。 此外，智能手机、PC等传统电子产品的换机需求也加剧了供应紧张的局面。 根据集邦咨询（TrendForce）发布的市场报告，DRAM与NAND闪存价格正集体飙升，主流DDR4内存 芯片的现货价格在单周内涨幅高达约9.86%，而NAND闪存的涨势更为凌厉，部分型号的晶圆价格单周 飙升近28%。这股涨势已从现货市场蔓延至合约市场，全球主要供应商如三星、SK海力士已正式通知 客户，计划在第四季度将DRAM与NAND的合同价格最高上调30%。 目前，国内存储芯片相关企业经营现状如何？未来有哪些规划发展？全景为您精选来自上市公司最真实 的声音。（以下内容均摘自深交所互动易 ...

截至11点26分，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨1.28%，成分股艾森股份上涨12.79%，华 峰测控上涨6.91%，神工股份上涨6.44%，京仪装备，耐科装备等个股跟涨。科创半导体ETF（588170） 上涨1.34%，最新报价1.52元。 流动性方面，科创半导体ETF（588170）盘中换手7.86%，成交3.23亿元。拉长时间看，截至10月27 日，科创半导体ETF近1月日均成交6.96亿元，领先同类。 规模方面，科创半导体ETF（588170）最新规模达40.93亿元，创成立以来新高。 消息面上，华丰科技于10月27日晚间发布2025年第三季度财报，其实现营收5.54亿元，同比增长 109.07%；实现归母净利润7237.79万元，同比扭亏为盈。久日新材于10月27日召开第三季度业绩说明 会，该公司董事长在会上表示，2025年1~9月，公司光刻胶的收入为112.84万元，同比增长15.46%，其 光敏剂的收入为578.68万元，同比增长2034.11%。 国盛证券指出：内存涨价超预期，AI存力持续升温。三星和SK海力士将DRAM和NAND闪存价格上调 幅度高达30%。由于担心DRAM短缺，多 ...