存储技术演进与计算范式变革 - 存储技术从基础数据保留演进至支持AI/ML的内存计算范式 通过直接在存储阵列中处理数据显著提升计算效率并降低能耗 [1] - 新兴非易失性存储(eNVMs)如ReRAM、MRAM、FeRAM、PCM突破传统RAM断电数据丢失限制 同时探索二维材料和有机材料的新型存储方案 [3] - 后CMOS时代需突破冯·诺依曼架构限制 兼具CMOS兼容性和规模扩展性的存储技术将引发计算架构革命 2022年IRDS报告预测其潜力 [5] 新兴存储技术分类与商业化进展 - 按成熟度划分六类新兴存储技术：MRAM/FeRAM/ReRAM已进入商用验证阶段 PCM/CBRAM/2D RAM等处于早期研发 [7] - 非易失性存储技术发展历程显示 2010年后因电荷泄漏问题转向3D NAND堆叠及新型存储材料研究 [7] - 类突触存储器与eNVMs结合将重构计算架构 提升边缘计算、云环境及区块链等场景的系统性能与能效 [8] 技术特性与场景适配性 - 铁电存储器(FeRAM)和电阻式存储器(ReRAM)在柔性基底上表现突出 可承受弯曲拉伸 适用于可穿戴设备与IoT系统 [13][15] - 二维材料(如MoS₂/WS₂)凭借原子级厚度和可调带隙 实现超高密度存储集成 但面临大面积单晶制备和环境稳定性挑战 [21] - 内存计算技术通过消除"存储-处理器"数据传输瓶颈 特别适合边缘计算中的实时推理和低功耗场景 [11] 制造工艺与集成挑战 - eNVM制造需超高真空沉积工艺 材料纯度控制直接影响器件寿命 原位测量技术提升性能一致性 [18][19] - 二维材料与CMOS集成需低温生长技术 互连技术和封装方案是AI硬件高密度集成的关键障碍 [21][23] - 高温环境存储技术需与碳化硅(SiC)等元件协同开发 材料合成和制造精度决定极端条件下的可靠性 [20][22] 类脑计算与未来架构转型 - 从数字到类突触的转变将采用脉冲神经网络(SNN) 通过STDP等生物机制实现事件驱动的本地化计算 [25][27] - 端到端模拟计算系统可消除数字逻辑中心化需求 动态视觉传感器(DVS)等新型硬件推动实时响应能力 [28] - 混合系统当前面临模拟-数字转换的能效损耗 未来完全类突触系统将依赖稀疏异步交互模式 [27][28] 产业发展与基础设施需求 - 需建立国家级微电子研究设施 覆盖材料合成、器件测试到异构集成 以加速技术商业化 [29][30] - 全球半导体工具链扩张背景下 开发专用于新兴材料的计量设备是突破CMOS限制的前提条件 [30]

文章核心观点 公司2025年第一季度财务表现强劲，各业务板块均实现增长，同时宣布新董事当选，虽面临贸易关税不确定性但暂无直接影响 [1][2] 财务数据 销售数据 - 加拿大制药销售额915.97万加元，同比增长21%，TTM为3454.47万加元，同比增长13% [1] - 国际制药销售额153.52万加元，TTM为246.52万加元，同比增长135% [1] - 传统业务销售额28.41万加元，同比增长52%，TTM为126.64万加元，同比增长15% [1] - 公司总销售额1097.90万加元，同比增长42%，TTM为3827.62万加元，同比增长17% [1] 利润数据 - 息税折旧摊销前利润（EBITDA）320.16万加元，同比增长45%，TTM为1034.05万加元，同比增长20% [1] - 税后净利润231.99万加元，同比增长31%，TTM为782.13万加元，同比增长11% [1] - 完全摊薄后每股收益0.20加元，同比增长35%，TTM为0.67加元，同比增长14% [1] 其他财务指标 - 2025年3月31日TTM的平均股本回报率为22%，2024年同期为21% [3] - 2025年第一季度按正常发行人要约回购注销19500股普通股 [3] - 2025年3月14日支付每股0.05加元的季度现金股息，宣布6月13日支付后续每股0.05加元现金股息 [3] 综合收益表数据 - 净收入1097.90万加元，同比增长42% [7] - 销售成本264.18万加元，同比增长66% [7] - 毛利润833.72万加元，同比增长36% [7] - 营业费用和财务收支518.08万加元，同比增长39% [7] - 税前净利润315.64万加元，同比增长31% [7] - 税后净利润231.99万加元，同比增长31% [7] 财务状况表数据 - 现金、现金等价物和短期投资1740.16万加元，较2024年12月31日增长9% [8] - 贸易及其他应收款542.67万加元，较2024年12月31日增长87% [8] - 存货527.72万加元，较2024年12月31日下降1% [8] - 预付费用和存款48.47万加元，较2024年12月31日增长140% [8] - 流动资产2864.21万加元，较2024年12月31日增长17% [8] - 长期投资749.70万加元，较2024年12月31日下降26% [8] - 非流动资产1412.01万加元，较2024年12月31日下降16% [9] - 总资产4276.22万加元，较2024年12月31日增长3% [9] - 流动负债584.67万加元，较2024年12月31日增长8% [9] - 非流动负债90.37万加元，较2024年12月31日下降5% [9] - 总权益3601.18万加元，较2024年12月31日增长3% [9] 业务情况 产品销售 - FeraMAX Pd销售额同比增长18%，其维护45产品贡献大，2025年4月连续第十年被评为加拿大医生和药剂师推荐的头号非处方口服铁补充剂 [2] - Tibella产品在加拿大第一季度销售额同比增长53%，收购全球权利后毛利率提高，第一季度国际订单创收80万加元，后续有更多交付计划 [2] 业务风险 - 国际贸易伙伴间关税、反制措施和威胁带来不确定性，虽暂无直接影响，但对加拿大经济和消费者的广泛影响不确定，公司将持续监测并降低潜在风险 [2] 公司动态 - 公司宣布Prakash Gowd当选董事，接替退休的Larry Andrews，Gowd有丰富医疗行业经验 [2] - 公司2025年第一季度财报CEO演示资料可在www.biosyent.com/investors/查看 [2] - 公司2025年和2024年3月31日止三个月的未经审计中期简明综合财务报表及管理层讨论与分析将于5月15日在www.sedarplus.ca发布 [4] - 截至新闻稿发布日，公司有1125.46万股普通股流通在外 [6]

VLSI 2025研讨会概况 - 第45届VLSI技术与电路研讨会将于2025年6月8日至12日在日本京都举行，主题为"培育超大规模集成电路花园：从创新种子到蓬勃发展"，聚焦先进技术整合与智能互联设备转型 [2] - 论文录用情况：共251篇常规论文（含1篇Late News），其中技术组104篇、电路组141篇，另有12篇邀请论文和4篇全体报告 [2] - 国家/地区论文排名：美国57篇（第一）、韩国54篇（第二）、中国大陆52篇（第三）、中国台湾23篇（第四）、日本20篇（第五） [2] - 华为展示采用7nm厚HZO薄膜的1T1C 3D FeRAM测试芯片，具有10年数据保存能力和125°C高温稳定性 [2][18] 先进CMOS技术突破 - 英特尔18A工艺采用RibbonFET和PowerVia技术，相比intel 3工艺性能提升25%（1.1V电压）、功耗降低36%，在0.75V低压下性能仍提升18% [4][5] - 台积电开发1.2nm等效栅氧化层厚度的背栅PMOS器件，导通电流达400 µA/µm，亚阈值摆幅72 mV/dec [10] - 东京大学利用ALD工艺生长晶体InGaOx材料，迁移率显著提升并实现常关操作纳米片晶体管 [15] - 三星与佐治亚理工学院合作开发IWO沟道MOSFET，导通电流244 μA/μm，EOT缩小至0.3纳米 [16] 存储技术进展 - 三星推出286层第九代3D-NAND闪存，位密度提升50% [16] - 美光第二代铁电NVDRAM实现41纳米间距和5纳米铁电堆栈，1E10次循环后仍保持250mV窗口 [19][20] - 台积电演示BEOL存储器与逻辑单片集成技术，密度高于SRAM [21] - 台积电3nm FinFET高密度6T SRAM实现功耗降低17%、待机漏电降低10% [23][24] 图像传感器创新 - 索尼10微米间距背照式SPAD深度传感器在940nm波长下光子探测效率达42.5% [26] - 索尼LiDAR方案实现25M点/秒测量速率，300米距离精度17厘米 [28][29] - 佳能汽车用SPAD传感器实现156dB动态范围和0.1勒克斯低光捕捉 [31] - 北京大学22nm FDSOI图像传感器光敏度达5x105 A/W，支持1000fps高速成像 [34] 其他领域技术亮点 - 北京大学等团队开发癫痫检测加速器PANDA，灵敏度99%且能效3.178 TOPS/W [37] - imec推出3D类器官接口微电极阵列，输入参考噪声仅9.1µVrms [39] - 东京大学14位560MS/s ADC实现72.14dB SNDR和176.7dB Schreier FoM [41][42] - 英特尔18A工艺128Gb/s发射器能效0.67pJ/bit，满足PAM-4标准 [58][59] 行业领袖观点 - SK海力士CTO指出DRAM技术面临10nm后转折点，需创新单元方案应对AI需求 [62] - 英伟达副总裁强调AI时代需全方位VLSI创新，从材料到系统层级 [62] - 联发科高管探讨生成式AI对半导体设计的挑战，强调能效与异构集成 [62] - 意法半导体提出边缘AI需结合情境感知与生成智能技术 [63]

会议概况 - 第45届VLSI技术与电路研讨会将于2025年6月8日至12日在日本京都举行，主题为"培育超大规模集成电路花园：从创新种子到蓬勃发展"，聚焦先进技术、电路设计及智能互联设备应用转型 [1][2] - 会议共录用常规论文251篇（含1篇Late News），其中技术组104篇、电路组141篇，另有12篇邀请论文和4篇全体报告 [2] - 论文录用数量国家/地区排名：美国57篇（第一）、韩国54篇（第二）、中国大陆52篇（第三）、中国台湾23篇（第四）、日本20篇（第五） [2] 关键技术突破 CMOS工艺 - 英特尔18A平台采用RibbonFET和PowerVia技术，相比intel 3工艺性能提升25%（1.1V电压下），功耗降低36%，面积缩小0.72倍；低压（0.75V）下性能提升18%，功耗降38% [4] - 英特尔18A将HP库单元高度从240CH降至180CH，HD库从210CH降至160CH，垂直尺寸缩减25% [5] - 台积电展示1.2nm等效栅氧化层厚度的背栅PMOS器件，导通电流达400µA/µm，亚阈值摆幅72mV/dec，导通/关断比7个数量级 [9] 存储技术 - 三星推出286层第九代3D-NAND闪存，位密度比上代提升50% [15] - 华为展示32Mb容量1T1C 3D HZO FeRAM测试芯片，采用40nm CMOS平台7nm厚HZO薄膜，数据保存时间10年，125°C下存储窗口保持200mV [17] - 美光第二代铁电NVDRAM实现41nm间距、5nm铁电堆栈厚度，1E10次循环后电压窗口>250mV [18][19] - 台积电演示BEOL存储器与逻辑单片集成技术，密度高于SRAM [20] 图像传感器 - 索尼10μm间距背照式SPAD深度传感器在940nm波长下光子探测效率达42.5% [25] - 索尼LiDAR方案实现25M点/秒测距能力，250米距离可检测25cm物体 [27][28] - 北京大学22nm FDSOI图像传感器光敏度达5x105 A/W，支持1000fps成像 [33] 创新应用与系统 - 英特尔基于18A工艺的128Gb/s发射器实现0.67pJ/bit能效，满足PAM-4标准 [57][58] - 加州大学伯克利分校异构SoC MAVERIC峰值能效达8 TOPS/W，支持1GHz运行频率 [53] - 东京科学研究所6G相控阵收发器IC在150GHz频段实现56Gb/s传输速率，单天线路径功耗发射150mW/接收93mW [55] - 韩国KAIST神经视频处理器NuVPU能效达36.9 TOPS/W，比前代提升9.2倍 [43] 行业领袖观点 - SK海力士CTO指出DRAM技术面临10nm后转折点，需创新单元方案应对AI需求 [61] - 英伟达副总裁强调VLSI需从材料到系统全方位创新以支持AI发展 [61][62] - 联发科高管认为生成式AI推动计算/存储/连接技术投资，需解决能效与工程复杂性挑战 [63] - 意法半导体提出边缘AI将结合情境感知与生成智能，推动更可持续的解决方案 [64]

核心观点 - 铁电存储器公司(FMC)与Neumonda合作在德国重新建立DRAM+生产，专注于非易失性FeRAM技术，应用领域包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗 [1] - FMC的技术采用铁电氧化铪(HfO₂)替代传统DRAM电容器，实现高性能、低功耗和非易失性数据保留 [1] - 较旧的FeRAM技术(如PZT)容量有限且难以扩展，而HfO₂与CMOS兼容，可缩小至10nm以下，实现更高密度和性能 [2] - 两家公司合作开发新型内存产品，旨在重建欧洲本地先进内存设计和测试生态系统 [3] 技术细节 - 传统FeRAM技术使用PZT铁电层，容量通常为4MB或8MB，难以与标准CMOS工艺集成 [2] - HfO₂技术可实现千兆位到千兆字节范围的密度，更接近DRAM性能 [2] - FMC的DRAM+技术用非易失性电容器取代传统DRAM电容器，保持高性能同时提高能效 [1] 合作与战略 - Neumonda将为FMC提供先进测试系统(Rhinoe、Octopus和Raptor)，支持低成本、节能的内存测试 [3] - 合作目标是加快产品开发并重建欧洲半导体产能 [3] - FMC首席执行官强调HfO₂铁电效应的颠覆性潜力，特别是在AI计算领域 [3] 应用前景 - FMC的存储器技术适用于AI、汽车、消费电子、工业和医疗等多个领域 [1] - 技术突破可能改变内存市场格局，特别是在高性能非易失性存储领域 [1][2]