战略合作与生产计划 - 纳微半导体与力晶半导体建立战略合作伙伴关系，开始生产并开发200毫米硅基氮化镓技术，以应对台积电2027年终止氮化镓代工业务的影响 [1] - 纳微的GaN IC产品组合将使用力晶位于台湾竹南科学园区的8B晶圆厂的200毫米晶圆，该厂自2019年运营，支持多种GaN生产工艺 [1] - 力晶的技术能力包括改进的180nm CMOS工艺，可提升性能、功率效率、集成度和成本 [1] - 首批器件预计2025年第四季度完成认证，100V系列2026年上半年投产，650V器件将在未来12-24个月内从台积电过渡到力晶 [1] 技术优势与市场应用 - 在180nm工艺节点上进行200mm硅基氮化镓生产有助于开发更高功率密度、更快速度和更高效的器件，同时降低成本、扩大规模并提高产量 [1] - 力晶将生产纳微100V至650V的GaN产品组合，以满足48V基础设施、超大规模AI数据中心和电动汽车对GaN的需求 [1] - 纳微近期在AI数据中心、电动汽车和太阳能市场发布多项公告，包括与NVIDIA合作提供GaN和SiC技术支持，以及为Enphase和长安汽车提供解决方案 [2] 合作展望与行业影响 - 纳微CEO表示与力晶合作将推进200毫米硅基氮化镓量产，并在产品性能、技术革新和成本效率方面持续进步 [2] - 力晶总经理表示双方在硅基氮化镓技术方面合作多年，产品认证接近完成，即将进入量产阶段，力晶将持续支持纳微探索和发展氮化镓市场 [2]