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200毫米硅基氮化镓技术
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台积电终止GaN代工
半导体芯闻· 2025-07-02 18:21
战略合作与生产计划 - 纳微半导体与力晶半导体建立战略合作伙伴关系,开始生产并开发200毫米硅基氮化镓技术,以应对台积电2027年终止氮化镓代工业务的影响 [1] - 纳微的GaN IC产品组合将使用力晶位于台湾竹南科学园区的8B晶圆厂的200毫米晶圆,该厂自2019年运营,支持多种GaN生产工艺 [1] - 力晶的技术能力包括改进的180nm CMOS工艺,可提升性能、功率效率、集成度和成本 [1] - 首批器件预计2025年第四季度完成认证,100V系列2026年上半年投产,650V器件将在未来12-24个月内从台积电过渡到力晶 [1] 技术优势与市场应用 - 在180nm工艺节点上进行200mm硅基氮化镓生产有助于开发更高功率密度、更快速度和更高效的器件,同时降低成本、扩大规模并提高产量 [1] - 力晶将生产纳微100V至650V的GaN产品组合,以满足48V基础设施、超大规模AI数据中心和电动汽车对GaN的需求 [1] - 纳微近期在AI数据中心、电动汽车和太阳能市场发布多项公告,包括与NVIDIA合作提供GaN和SiC技术支持,以及为Enphase和长安汽车提供解决方案 [2] 合作展望与行业影响 - 纳微CEO表示与力晶合作将推进200毫米硅基氮化镓量产,并在产品性能、技术革新和成本效率方面持续进步 [2] - 力晶总经理表示双方在硅基氮化镓技术方面合作多年,产品认证接近完成,即将进入量产阶段,力晶将持续支持纳微探索和发展氮化镓市场 [2]
台积电终止GaN代工,纳微宣布:与他合作
是说芯语· 2025-07-02 16:52
战略合作与生产计划 - 纳微半导体宣布与力晶半导体建立战略合作伙伴关系 开始生产并开发200毫米硅基氮化镓技术 以应对台积电2027年终止氮化镓代工业务的影响 [1] - 合作将利用力晶竹南科学园区8B晶圆厂的200毫米晶圆生产线 该厂自2019年运营 支持Micro-LED和射频GaN器件等大批量生产工艺 [2] - 力晶将采用改进的180nm CMOS工艺生产纳微的GaN产品 提升性能 功率效率和集成度 同时降低成本 [2] 技术细节与产品规划 - 纳微的GaN产品组合电压覆盖100V至650V 目标应用包括48V基础设施 AI数据中心和电动汽车 [2] - 首批器件预计2025年Q4完成认证 100V系列计划2026年上半年量产 650V器件将在未来12-24个月内从台积电过渡至力晶生产 [2] - 180nm工艺节点的200毫米硅基氮化镓生产将推动更高功率密度 更快速度和更低成本的器件开发 [2] 市场应用与近期动态 - 纳微近期在AI数据中心 电动汽车和太阳能市场取得进展 包括与NVIDIA合作开发1MW以上高压直流输电架构的GaN/SiC技术支持 [3] - Enphase下一代IQ9采用纳微650V双向GaNFast IC 长安汽车推出首款商用GaN基车载充电器 采用纳微GaNSafe技术 [3] - 公司CEO强调与力晶合作将推动200毫米硅基氮化镓量产 持续提升产品性能和技术革新 [3] 合作伙伴表态 - 力晶总经理表示双方在硅基氮化镓技术合作多年 产品认证接近完成 即将进入量产阶段 [3] - 力晶承诺拓展合作并支持纳微探索氮化镓市场 凸显长期合作伙伴关系 [3]