今天，半导体领域再次成为全市场的焦点，芯源微、恒坤新材、南大光电、安集科技、长川科技等均涨超10cm！ 与此同时，又有半导体公司正在冲击IPO。 公司的机构股东包括湾区社保基金（深创投管理）、达晨创投、国信资本等。 在2025年7月的股权转让中，中图半导体的投后估值约31亿元。 格隆汇获悉，广东中图半导体科技股份有限公司（简称"中图半导体"）于12月31日递表上交所，寻求科创板上市，由 国泰海通证券担任保荐人。 01 专注于图形化衬底材料领域，深创投、达晨押注 中图半导体成立于2013年12月，2020年9月改制为股份公司，总部坐落于东莞市松山湖高新技术产业开发区。 本次发行前，陈健民通过直接及间接的方式合计控制公司79.66%的股份，为实际控制人。 公司前十名股东合计持有96.30%的股份，公司仅有两名自然人股东，即陈健民和康凯。 本次发行前的股权架构，来源：招股书 陈健民出生于1983年，研究生学历，工商管理专业，目前任中图科技董事。他同时还在光大企业集团、中民控股任 职。 康凯出生于1963年，本科学历，半导体物理与器件专业，目前任董事长兼总经理。此前，他曾在长春市半导体厂研究 所、长春市朝阳区劳动局、 ...

今天，半导体领域再次成为全市场的焦点，芯源微、恒坤新材、南大光电、安集科技、长川科技等均涨超10cm！ 与此同时，又有半导体公司正在冲击IPO。 格隆汇获悉，广东中图半导体科技股份有限公司（简称"中图半导体"）于12月31日递表上交所，寻求科创板上市，由 国泰海通证券担任保荐人。 01 专注于图形化衬底材料领域，深创投、达晨押注 中图半导体成立于2013年12月，2020年9月改制为股份公司，总部坐落于东莞市松山湖高新技术产业开发区。 本次发行前，陈健民通过直接及间接的方式合计控制公司79.66%的股份，为实际控制人。 公司前十名股东合计持有96.30%的股份，公司仅有两名自然人股东，即陈健民和康凯。 公司的主要产品包括2至6英寸图形化蓝宝石衬底（PSS）和4至6英寸图形化复合材料衬底（MMS），是半导体产业链 上游核心衬底材料之一；公司折合4英寸的图形化衬底年产能超1800万片。 上述产品主要应用于Mini/MicroLED、汽车照明及车载显示、RGB直显、背光显示、照明等领域，并在氮化镓功率器 件等领域已有日渐成熟的应用。 | 应用大类 | 应用领域 | 衬底产品 | 主要应用场景 | | --- | - ...

文章核心观点 - 英伟达正引领全球数据中心供电架构从传统交流电向800伏直流电进行革命性转变，以支持其下一代超高功率密度的AI计算系统，这将引发数据中心基础设施的全面技术升级和资本支出重心转移 [1] 技术转型的动力与优势 - 转型核心动力在于AI机柜功率密度呈指数级增长，正从数十千瓦迅速扩展至超过1兆瓦，超出了传统54V或415/480VAC系统的物理处理能力 [2] - 相比传统交流电系统，800VDC架构能在相同铜导体上传输超过150%的电力，极大地提高能源效率，并能减少高达45%的铜用量，甚至可消除为单个机柜供电所需的重达200公斤的铜母线 [2] - 英伟达新一代Vera Rubin NVL144机架设计采用45°C的液冷技术和新型液冷母线，并增加20倍的储能能力以保持电力稳定 [2] - 后续Kyber系统将包含18个垂直旋转的计算刀片，以支持不断增长的推理需求 [2] 基础设施重构的具体影响 - 传统交流配电单元和交流不间断电源系统将变得不再必要，AC PDU机柜的需求预计减少高达75% [3] - 电力路径将更精简，通过在设施层面集中整合电池存储系统来替代分散的UPS单元，以管理电力波动并确保电网稳定 [3] - 对于现有数据中心，“侧挂车”模式将成为2025年至2027年间的关键过渡方案，这些模块可将输入的交流电转换为800VDC并提供集成短时储能 [3] - Schneider Electric作为此类设备的关键供应商，正明确瞄准高达1.2MW的机架市场 [3] - 随着机架功率迈向1.2MW，液冷技术将成为绝对主流，取代传统风冷系统 [3] 供应链与资本支出影响 - 高盛指出，技术飞跃意味着数据中心资本支出的重心将发生显著转移，投资者已开始重新评估资本货物行业的赢家与输家 [1] - 向更高电压的转变预计将推动每兆瓦的收入潜力从传统数据中心的200万欧元提升至潜在的300万欧元 [4] - 目前四分之三的机架功率仍低于10kW，但业界预期800VDC架构未来可能成为80-90%新建数据中心的主流选择 [5] - 在电力半导体领域，向800VDC的转变需要更先进的碳化硅和氮化镓芯片，以处理更高的电压和频率 [5] - 在电力保护和开关设备方面，机械式断路器正被固态保护装置取代，ABB的SACE Infinitus被认为是全球首款IEC认证的专为直流配电设计的固态断路器 [5] - 线缆巨头如Prysmian、Nexans等也在开发适应直流电和液冷需求的高端线缆解决方案 [5] 时间表、成本与商业化前景 - 英伟达预计向800VDC数据中心的过渡将与其Kyber机架架构的部署同步，目标时间节点为2027年 [1][6] - 高盛预计，相关技术的商业化应用将在2028年左右开始显现规模效应 [6] - 英伟达预计这一架构长期可将总拥有成本降低30%，但在短期内构成巨大的资本支出门槛，将引发该行业第一轮大规模的硬件升级周期 [1] - 对于数据中心运营商，这意味着在未来五年内，除了应对已知的5万亿美元AI融资缺口外，还需要为大规模基础设施改造追加巨额投资 [6]

股价表现 - 公司午后股价上涨超4%，截至发稿时上涨3.84%至75.8港元 [1] - 成交额达到2.18亿港元 [1] 知识产权与法律事务 - 公司获得中国国家知识产权局审查决定，其两项核心氮化镓专利被明确维持有效 [1] - 该决定驳回了英飞凌提出的无效请求，英飞凌在此案上彻底败诉 [1] 行业地位与市场前景 - 公司是氮化镓功率半导体龙头企业，以收入计去年全球市场份额达到30% [1] - 全球氮化镓功率半导体市场预计从2024年至2028年将以63%的年均复合增长率快速增长 [1] 增长动力与合作伙伴关系 - 规模经济和技术创新推动公司盈利能力持续改善 [1] - 公司与英伟达合作开发800V HVDC架构，预计自2027年起将带来收入上升潜力 [1]

文章核心观点 - 碳化硅和氮化镓等第三代半导体技术取得重大突破 加速行业从硅基向化合物半导体的转型 满足高性能 高效率功率器件的市场需求 [2][3][4] Wolfspeed 200毫米碳化硅技术突破 - 公司宣布200毫米SiC材料产品正式商业化上市 标志着行业转型重要里程碑 [2] - 200毫米SiC外延片可立即认证 与200毫米裸晶圆配合实现突破性可扩展性和更优质量 [2] - 200毫米裸晶圆厚度350µm 参数规格改进 外延工艺掺杂和厚度均匀性达业界领先水平 [2] - 技术使器件制造商提高MOSFET良率 加快产品上市时间 应用于汽车 可再生能源 工业等高增长领域 [2] DB HiTek氮化镓功率半导体工艺进展 - 公司完成650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管工艺开发 将于下月底提供测试生产晶圆 [3] - GaN材料功率损耗远低于硅 有利于生产高效超小型产品 应用于AI数据中心和机器人市场 [3][4] - 新技术与现有BCDMOS主营业务产生协同效应 产品线扩展到GaN和碳化硅等化合物半导体 [4] - 公司计划扩建产能 月产量从15.4万片晶圆提升至19万片 增幅约23% [4] 第三代半导体市场前景 - GaN市场规模预计以年均约40%速度增长 从2025年5.3亿美元增长至2029年20.13亿美元 [4] - 化合物半导体在电力转换效率方面显著优于传统硅基半导体 特别适用于高耗电应用场景 [3][4]

战略合作与生产计划 - 纳微半导体与力晶半导体建立战略合作伙伴关系，开始生产并开发200毫米硅基氮化镓技术，以应对台积电2027年终止氮化镓代工业务的影响 [1] - 纳微的GaN IC产品组合将使用力晶位于台湾竹南科学园区的8B晶圆厂的200毫米晶圆，该厂自2019年运营，支持多种GaN生产工艺 [1] - 力晶的技术能力包括改进的180nm CMOS工艺，可提升性能、功率效率、集成度和成本 [1] - 首批器件预计2025年第四季度完成认证，100V系列2026年上半年投产，650V器件将在未来12-24个月内从台积电过渡到力晶 [1] 技术优势与市场应用 - 在180nm工艺节点上进行200mm硅基氮化镓生产有助于开发更高功率密度、更快速度和更高效的器件，同时降低成本、扩大规模并提高产量 [1] - 力晶将生产纳微100V至650V的GaN产品组合，以满足48V基础设施、超大规模AI数据中心和电动汽车对GaN的需求 [1] - 纳微近期在AI数据中心、电动汽车和太阳能市场发布多项公告，包括与NVIDIA合作提供GaN和SiC技术支持，以及为Enphase和长安汽车提供解决方案 [2] 合作展望与行业影响 - 纳微CEO表示与力晶合作将推进200毫米硅基氮化镓量产，并在产品性能、技术革新和成本效率方面持续进步 [2] - 力晶总经理表示双方在硅基氮化镓技术方面合作多年，产品认证接近完成，即将进入量产阶段，力晶将持续支持纳微探索和发展氮化镓市场 [2]

氮化镓(GaN)产业动态 - 多家企业参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》包括英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿等[1][2] - 行业处于GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期[2] 京东方华灿战略布局 - 公司启动"消费级普及、工业级深化、车规级突破"三级跃迁战略[2] - 以消费类GaN功率器件通过1000H可靠性认证为起点[2][4] - 作为IDM企业提供覆盖全场景的"中国芯"解决方案[2] 技术突破 - 650V产品平台通过1000H可靠性认证[5] - 消费类GaN功率器件将全面进行JEDEC认证[5] - 横向BV从1400V提升至2000V+[6] - 已启动1200V GaN产品技术储备[6] - 流片通量提高带动制造稳定性和良率提升[6] 产品与产能 - 器件1000H可靠性通过验证[10] - 正在完善现有平台产品组合布局[10] - 已启动下一代平台技术储备以缩小尺寸、提高产出[10] - 建立了动态测试和可靠性实验室[10] - 形成从研发到量产的全过程质量保障能力[10] 行业趋势 - 行业从"技术竞赛"转向"场景落地"[7] - 多家企业布局GaN在光储赛道应用[10] - 润新微电子GaN芯片出货量达1亿颗[10]

氮化镓（GaN）技术应用 - 古瑞瓦特推出NEXA 2000阳台光伏系统，采用氮化镓逆变器技术，成为2025年慕尼黑Intersolar展会高光产品之一 [1][3] - NEXA 2000系统通过GaN材料应用，逆变器性能显著提升，可承载20A组串电流，支持匹配650W高功率光伏组件，太阳能输入容量达2600W [3] - 与传统硅基逆变器相比，氮化镓技术使逆变器体积更小、效率更高，系统发热量降低，内置2kWh储能模块，可通过扩展电池组将总容量提升至8kWh [3] - 英诺赛科推出基于氮化镓技术的2kW微型逆变器方案，采用Flyback+H桥逆变器架构，搭配150V/650V GaN器件，在屋顶光伏等场景中实现更高功率密度与效率 [3] 氮化镓产业动态 - 《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》编撰工作推进中，英诺赛科、能华半导体、致能科技、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业已参编 [1][5] - 昱能科技、移族、大恒能源等十余家企业已实现GaN光储产品量产，覆盖从太阳能光伏到工业级储能全场景 [3] 市场与产品信息 - 古瑞瓦特NEXA 2000系统已在德国市场正式上市，售价约750欧元（约6000人民币） [3] - 全球能源转型加速，氮化镓在光储领域展现出独特优势，众多GaN企业积极通过旗下方案推动产业升级 [3]

行业动态 - 上海即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，三菱电机、意法半导体、Wolfspeed等多家行业领先企业参与 [1] - 行业观察发现近期有2个氮化镓项目正在加速推进 [1] APRO Semicon项目进展 - 韩国APRO Semicon龟尾新工厂已开始量产8英寸氮化镓外延片 [2][4] - 该工厂于去年12月竣工，生产用于650V功率半导体的硅基氮化镓外延片，年产能2万片 [2] - 预计半年内销售额将达到100亿韩元（约合人民币0.5亿） [2] - 2021年已开发出可应用于1200V GaN器件的外延片，能承受1600V击穿电压，生长厚度及均匀性达99% [2] - 公司正加速GaN业务布局：与DB HiTek等公司合作讨论供应计划，同时设立GaN功率半导体设计团队负责下一代器件开发 [2] - 公司目标是通过大规模设施投资和技术研发跃升为全球GaN功率半导体市场关键公司 [5] Polymatech项目进展 - 印度芯片制造商Polymatech将在恰蒂斯加尔邦投资1.3亿美元（约合人民币9.3亿）建设GaN芯片工厂 [6] - 该项目符合印度"印度制造"和"数字印度"计划，将获得政策支持、税收优惠等 [6] - 公司目标是提升印度半导体和电信制造技术实力，为全球5G和6G生态系统提供解决方案 [6] - 公司成立于2007年，是印度首家半导体芯片制造商 [6] - 2024年9月宣布向巴林投资1600万美元（约合人民币1.1亿）建立半导体制造厂 [6] 行业趋势 - 第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业持续发展 [7] - 行业关注点包括：GaN技术创新、8英寸SiC量产进程推进、12英寸SiC布局加速等 [8]

氮化镓行业动态 - 多家头部企业确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》，包括英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等 [1] - 珠海镓未来科技近期新增"深圳魔豆"及"北海山旁边"两家股东，推测融资总金额在亿元以上，投资方产业协同效应或带来显著营收增长 [1] 镓未来业务进展 - 产品已进入小米手机快充、联想笔电、昱能微逆、华宝储能等知名客户供应链并实现量产 [1] - 联合广东省智能科学院开发3.5kW无风扇导冷电源，在广东省超算中心稳定运行近一年，瞄准AI超算领域应用 [1] - 为联想"拯救者"笔记本开发的145W电源适配器京东销量表现优异，已导入联想in-box项目 [1] - 在光伏微逆及储能领域实现技术突破，其双向氮化镓器件可替代四颗传统Si-MOS器件，性能提升且成本优化 [2] - 户外储能领域成为安克、华宝（电小二及Jackery）供应商，出货器件超百万颗 [2] 技术路径与商业模式 - 采用V-IDM模式：对核心流片环节股权投资并持股晶圆厂，避免重资产投入，平衡Fabless与IDM优势 [2] - 通过专利"双向逆变系统解决方案"实现单电路充放电功能，在储能领域广泛应用 [2] 行业竞争格局 - 光伏微逆和储能产品需满足900W-3000W高功率及高可靠性要求，目前仅镓未来实现量产突破 [1][2] - 行业普遍面临高投入与价格战压力，镓未来选择轻资产技术路线差异化竞争 [2] 资本与战略支持 - 股东包括顺为、高瓴、盈富泰克等知名机构，提供资金与产业协同资源 [2] - 上市公司曾参与B轮融资，但未公开宣传 [1]