LPDDR服务器模块

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台媒:DRAM巨头,HBM有变
半导体行业观察· 2025-07-28 09:32
三星电子HBM4量产推迟 - 三星电子将下一代HBM芯片量产时间从原计划的2025年下半年推迟至2026年,涉及基于10nm级第六代1c DRAM的12英寸HBM4模块 [3] - 2025年第三季度计划向主要客户交付早期样品,第四季度原定为全面生产时间节点 [3] - 当前1c DRAM芯片内部测试良率已达65%(7月初数据),但量产实际良率可能波动 [3] 1c DRAM技术改进策略 - 采用双路径策略:修改现有1a/1b设计或彻底重新设计新一代芯片,后者通过扩大芯片尺寸提升良率但增加成本 [5] - HBM4量产成功关键取决于试生产到量产的良率稳定性,目前仍需额外测试 [5] SK海力士业绩与战略 - 2024年第二季度营业利润同比飙升68%至9.21万亿韩元(67亿美元),销售额增长35%至22.23万亿韩元(161.6亿美元),HBM及相关DRAM贡献77%营收 [7] - 营业利润率达41%,现金储备增至17万亿韩元(123.6亿美元),净债务减少4.1万亿韩元(29.8亿美元) [7] - 计划2025年HBM销量翻倍,HBM3E已量产,HBM4目标2026年商业化 [8] - 扩展产品线包括LPDDR服务器模块(2024年出货)和24Gb GDDR7芯片,NAND领域优先发展QLC企业级SSD [8] - M15X工厂2024年Q4投产,龙仁Cluster 1工厂2027年Q2竣工,2025年资本支出将超预期 [8]