核心观点 - 2024年AI芯片需求爆发推动半导体行业结构性转型，台积电凭借技术、制造和生态优势巩固全球领先地位 [1] - 公司全年营收达900亿美元（+30%），净利365亿美元（+35.9%），毛利率56.1%和营业利益率45.7%均创新高 [2] - 7纳米及以下先进制程营收占比提升至69%（2023年为58%），3纳米制程占晶圆销售18% [3][8] - IDM 2.0市场份额从28%提升至34%，晶圆年出货量达1290万片12英寸当量（+7.5%） [2][3] - 研发投入占营收7.1%，2纳米制程取得关键进展并布局A16/A14平台 [16] 财务与市场表现 - 高效能运算产品占营收51%，智能手机35%，物联网6%，车用电子5% [4] - 北美市场贡献70%营收，中国大陆11%，亚太（不含中日）10%，日本5%，欧洲/中东/非洲4% [3] - 客户基础高度多元化：服务522家客户生产11,878种产品，覆盖288种制程技术 [3] 制程技术布局 先进逻辑制程 - 3纳米N3E量产并优化功耗表现，N3P平衡性能与能效，N3X完成验证（2025年量产） [7][8] - 4纳米N4/N4P进入第3年量产，N4C开发完成（2025年导入） [8] - 5纳米N5P、N6、N7+持续应用于智能终端和车用芯片 [8] 低功耗与特殊制程 - N6e/N12e技术优化物联网设备电压设计，22ULL平台服务蓝牙/Wi-Fi芯片 [9] - N3A车用平台推出0.9版设计套件，N5A通过车规认证 [10] - N4C RF与N6 RF+技术满足5G毫米波需求，RRAM技术应用于AI边缘设备 [10] 新兴技术 - 布局高电压BCD工艺、氮化镓、OLED-on-Silicon显示驱动技术 [11] - 开发COUPE光子堆叠平台支持三维集成与高速互连 [10] 全球产能与制造 - 台湾四座GIGAFAB年产能1274万片12英寸晶圆，覆盖0.13微米至3纳米节点 [13] - 美国亚利桑那N4厂提前量产，日本熊本特殊制程厂良率优异，德国德勒斯登车用厂建设中 [13][14] - 智能制造系统延伸至后段封装厂，AI/ML技术提升良率与可靠性 [14] 研发与未来技术 2纳米及以下节点 - 2纳米平台完成制程定义进入良率提升阶段，客户IP验证完毕 [16] - A16采用晶背供电与纳米片架构，A14兼顾HPC与移动需求 [16] - 高数值孔径EUV技术提升微影精度，光罩缺陷检测平台优化 [17] 先进封装与3D集成 - TSMC 3DFabric平台包含SoIC、SoW、CoWoS等技术 [17] - 5纳米Chip-on-Wafer堆叠量产，3纳米方案2025年投产 [18] - CoWoS-L融合RDL与LSI技术提升系统设计灵活性 [19] - SoW实现晶圆级异质整合，首代产品2024年量产 [19] 材料与器件创新 - 碳纳米管晶体管(CNFET)实现最优性能架构 [23] - 单层MoS₂通道双层堆叠纳米片晶体管突破二维材料集成 [23] - p型SnO与n型IWO氧化物晶体管突破性能瓶颈 [24] - STT-MRAM系统优化实现27.1-45.3%读取能效提升 [25] 战略定位 - 专注代工模式，五大技术平台覆盖高效运算（51%营收）、智能手机（35%）等市场 [4][6] - 开放创新平台与TSMC Grand Alliance强化生态合作 [21] - 后摩尔时代通过3D集成与材料创新延续技术领先性 [17][23]