投资评级与目标价 - 报告维持对美光科技的“买入”评级 [7] - 目标价从360美元上调至610美元 [5][7] - 估值逻辑正从周期性PB向成长型PE过渡，给予美光FY26E 13.5倍PE估值 [5][13] FY26Q2业绩表现 - FY26Q2营收238.60亿美元，同比大幅增长196%，环比增长75%，远超彭博一致预期的197.36亿美元 [1] - 经调整净利润140.21亿美元，远超预期的100.41亿美元，经调整EPS为12.2美元，远超预期的9.0美元 [1] - Non-GAAP毛利率环比大幅提升18个百分点至74.9% [1] - 业绩大超预期主要系AI需求大增叠加供应端的结构性限制 [1] 公司业绩指引与资本支出 - 公司指引FY26Q3营收为327.5-342.5亿美元，远超市场预期的237亿美元，Non-GAAP毛利率指引为81%，远超预期的72% [1] - 公司将FY26资本支出从之前的200亿美元上调至250亿美元，增量主要来自洁净室设施投入，投向力积电铜锣和美国晶圆厂 [1] - 公司预计FY27与建设相关的资本支出将同比增长超过100亿美元 [1] HBM业务进展 - 美光专为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12Hi已于26Q1开始批量出货，并已向客户送样HBM4 48GB 16Hi [2] - 下一代HBM4E将基于1-γ制程，预计27年量产 [2] - 美光已签署首份五年期战略性客户协议，行业层面更长的客户协议正在推进 [2] - 在FY26Q2，美光HBM营收达28.65亿美元，占DRAM营收的15.3% [30] DRAM业务表现与展望 - FY26Q2 DRAM营收约188亿美元，占总营收79%，同比大增207%，环比增长74% [3] - 增长主要系ASP环比大幅增加约65%，出货量环比增中个位数 [3] - 美光1-γ已达到成熟良率，预计将提前在26年中成为位元出货量的主体，并计划在1-δ上采用最新一代EUV [3] - 美光在SOCAMM（CXL内存模块）拥有先发地位，已成为行业首家送样基于1-γ的256GB SOCAMM2 [3] - 行业层面，预计DRAM供需结构性偏紧将持续到26年及之后 [3] - 公司表示目前通用DRAM的利润率已高于HBM [3] NAND业务表现与展望 - FY26Q2 NAND营收约50亿美元，占总营收21%，同比大增169%，环比增长82% [4] - 增长主系ASP环比增75%以上，出货量环比增低个位数，其中数据中心NAND收入环比增长超一倍 [4] - 美光宣布行业首家量产PCIe Gen6数据中心SSD，结合英伟达BlueField-4 STX架构优化 [4] - 公司将在新加坡新建NAND晶圆厂，预计CY28下半年出货 [4] 财务预测与估值上调 - 基于五年期战略协议带来的需求锁定与供给确定性提升，报告大幅上调盈利预测 [5][13] - 上调FY26/27/28E营收44%/45%/50%至968/1174/1229亿美元 [5][13] - 上调FY26/27/28E净利润92%/81%/84%至519/640/678亿美元 [5][13] - 当前可比公司中，SK海力士和三星26E PE分别为5.8倍和8.2倍，而AI芯片厂商26E PE均值为32.3倍，美光估值有望向后者靠拢 [5][13]