MOCVD设备行业概述 - MOCVD是一种新型气相外延生长技术，用于生产Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料 [1][2] - 该技术以金属有机化合物和氢化物为源材料，在500-1200℃下通过热分解反应生长单晶薄膜 [2] - 设备系统需具备高密封性、精确温控和快速组分变换能力，通常由源供给系统、反应室等五大模块组成 [3] 行业发展现状 - 2024年全球MOCVD设备保有量5150台，出货量411台，市场规模6.86亿美元；预计2025年将分别增长至5650台、442台和7.09亿美元 [5] - 中国为最大需求市场，2024年保有量3142台（占全球61%），出货量310台，市场规模28.06亿元；2025年预计增至3352台、315台和28.35亿元 [1][7] - 氮化镓基设备占市场份额80%，应用领域正从LED向Mini/Micro LED、功率器件等新兴市场扩展 [7] 核心应用与产业链 - 主要应用于LED外延片生产，其中废料含战略金属镓（GaAs/GaN形式）和铟（InGaN形式），回收价值显著 [1][5] - 在LED产业链中为关键设备，直接决定外延片质量，区别于集成电路的多设备循环工艺 [9] - 功率器件领域应用加速，2024年中国功率半导体市场规模1070亿元，预计2025年达1200亿元 [11] 竞争格局 - 行业长期被美国维易科（TurboDisc技术）和德国爱思强（AIXG5系列）垄断 [15] - 中微公司为国产龙头，2017年起占据氮化镓基LED设备最大份额，PRISMO系列产品在Mini-LED领域国际领先 [16][19][20] - 中晟光电研发人员占比37%，产品覆盖GaN功率器件、SiC等多元应用 [16][22] 技术发展趋势 - 多片式反应器研发成为突破产率瓶颈的关键方向 [24] - 设备应用场景持续拓宽，涵盖深紫外LED、射频器件等高端领域 [25] - 国产设备在碳化硅/氮化镓功率器件等新兴赛道加速验证，中微公司新一代设备预计2025年交付 [20]

报告公司投资评级 - 维持“推荐”评级 [1][8] 报告的核心观点 - 中微公司作为半导体设备国内领先企业，充分受益于半导体国产化，薄膜沉积设备及EPI设备产品研发进展顺利，结合订单交付情况略微调整盈利预测并新增27年盈利预测，维持“推荐”评级 [8] 根据相关目录分别进行总结 公司概况 - 行业为电子，大股东是上海创业投资有限公司，持股15.02%，总股本6.22亿股，总市值1182亿元，每股净资产31.71元，资产负债率24.7% [1] 财务数据 - 2024年实现营收90.65亿元（44.73%YoY），归属上市公司股东净利润16.16亿元（-9.53%YoY），扣非后归母净利13.88亿元（16.51%YoY），整体毛利率和净利率分别是41.06%（-4.77pctYoY）和17.81%（-10.67pctYoY） [7] - 预计2025 - 2027年营业收入分别为117.85亿元、153.20亿元、199.16亿元，净利润分别为23.63亿元、30.84亿元、40.59亿元 [6][8] 产品线情况 - 刻蚀类产品线不断丰富，国产替代稳步推进，CCP刻蚀设备产品不断完善，2024年生产付运超1200反应台，累计装机量超4000反应台；ICP刻蚀设备在50多个客户生产线量产，2024年客户端累计安装数达1025个反应台 [7][8] - MOCVD设备市场领先，红黄光LED设备开发顺利，用于蓝光照明、深紫外LED、Mini LED显示等产品持续服务客户，保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，启动红黄光LED的MOCVD设备开发且进展顺利 [8] - 薄膜沉积产品推向市场，EPI进入客户端量产验证阶段，已开发出六款薄膜沉积产品，钨系列和金属栅系列产品通过验证获订单，EPI设备进入客户端量产验证阶段 [8] 费用与研发情况 - 2024年销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为5.28%（-2.57pctYoY）、5.31%（-0.18pctYoY）和 - 0.96%（0.43pctYoY），费用率稳定 [7] - 2024年研发费用14.18亿元，较去年增长约6.01亿元，同比增长约73.59%，与国内外一流客户紧密合作，设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好 [7] 产业化建设情况 - 南昌约14万平方米、上海临港约18万平方米的生产和研发基地已投入使用，上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心在建设，将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地 [7]