MOCVD设备行业概述 - MOCVD是一种新型气相外延生长技术，用于生产Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料 [1][2] - 该技术以金属有机化合物和氢化物为源材料，在500-1200℃下通过热分解反应生长单晶薄膜 [2] - 设备系统需具备高密封性、精确温控和快速组分变换能力，通常由源供给系统、反应室等五大模块组成 [3] 行业发展现状 - 2024年全球MOCVD设备保有量5150台，出货量411台，市场规模6.86亿美元；预计2025年将分别增长至5650台、442台和7.09亿美元 [5] - 中国为最大需求市场，2024年保有量3142台（占全球61%），出货量310台，市场规模28.06亿元；2025年预计增至3352台、315台和28.35亿元 [1][7] - 氮化镓基设备占市场份额80%，应用领域正从LED向Mini/Micro LED、功率器件等新兴市场扩展 [7] 核心应用与产业链 - 主要应用于LED外延片生产，其中废料含战略金属镓（GaAs/GaN形式）和铟（InGaN形式），回收价值显著 [1][5] - 在LED产业链中为关键设备，直接决定外延片质量，区别于集成电路的多设备循环工艺 [9] - 功率器件领域应用加速，2024年中国功率半导体市场规模1070亿元，预计2025年达1200亿元 [11] 竞争格局 - 行业长期被美国维易科（TurboDisc技术）和德国爱思强（AIXG5系列）垄断 [15] - 中微公司为国产龙头，2017年起占据氮化镓基LED设备最大份额，PRISMO系列产品在Mini-LED领域国际领先 [16][19][20] - 中晟光电研发人员占比37%，产品覆盖GaN功率器件、SiC等多元应用 [16][22] 技术发展趋势 - 多片式反应器研发成为突破产率瓶颈的关键方向 [24] - 设备应用场景持续拓宽，涵盖深紫外LED、射频器件等高端领域 [25] - 国产设备在碳化硅/氮化镓功率器件等新兴赛道加速验证，中微公司新一代设备预计2025年交付 [20]