公司荣誉与领导层 - 中微公司董事长兼总经理尹志尧博士第三次荣登福布斯中国2025中国最佳CEO榜单 [1][2][4] - 尹志尧博士是公司创始人，拥有中国科学技术大学化学物理学士学位、北京大学化学系研究生学历及美国加州大学洛杉矶分校物理化学博士学位 [3] - 尹志尧博士曾参与开发业界一半以上重量级等离子体刻蚀设备，是几代等离子体刻蚀技术及设备的主要发明人和工业化应用推动者 [3] 公司技术与产品 - 公司开发CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类设备，包括十几种细分刻蚀设备可覆盖大多数刻蚀应用 [6] - 等离子体刻蚀设备已应用于65纳米到5纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用 [6] - 公司开发的MOCVD设备已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位 [6] - 公司布局光学和电子束量检测设备，开发多种泛半导体微观加工设备 [6] 行业地位与成就 - 在美国TechInsights近五年全球半导体设备客户满意度调查中，公司四次获得总评分第三，薄膜设备四次被评为第一 [6] - 公司技术能力已达到国际领先水平，持续提质增效、精益运营 [3]

MOCVD设备行业概述 - MOCVD是一种新型气相外延生长技术，用于生产Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料 [1][2] - 该技术以金属有机化合物和氢化物为源材料，在500-1200℃下通过热分解反应生长单晶薄膜 [2] - 设备系统需具备高密封性、精确温控和快速组分变换能力，通常由源供给系统、反应室等五大模块组成 [3] 行业发展现状 - 2024年全球MOCVD设备保有量5150台，出货量411台，市场规模6.86亿美元；预计2025年将分别增长至5650台、442台和7.09亿美元 [5] - 中国为最大需求市场，2024年保有量3142台（占全球61%），出货量310台，市场规模28.06亿元；2025年预计增至3352台、315台和28.35亿元 [1][7] - 氮化镓基设备占市场份额80%，应用领域正从LED向Mini/Micro LED、功率器件等新兴市场扩展 [7] 核心应用与产业链 - 主要应用于LED外延片生产，其中废料含战略金属镓（GaAs/GaN形式）和铟（InGaN形式），回收价值显著 [1][5] - 在LED产业链中为关键设备，直接决定外延片质量，区别于集成电路的多设备循环工艺 [9] - 功率器件领域应用加速，2024年中国功率半导体市场规模1070亿元，预计2025年达1200亿元 [11] 竞争格局 - 行业长期被美国维易科（TurboDisc技术）和德国爱思强（AIXG5系列）垄断 [15] - 中微公司为国产龙头，2017年起占据氮化镓基LED设备最大份额，PRISMO系列产品在Mini-LED领域国际领先 [16][19][20] - 中晟光电研发人员占比37%，产品覆盖GaN功率器件、SiC等多元应用 [16][22] 技术发展趋势 - 多片式反应器研发成为突破产率瓶颈的关键方向 [24] - 设备应用场景持续拓宽，涵盖深紫外LED、射频器件等高端领域 [25] - 国产设备在碳化硅/氮化镓功率器件等新兴赛道加速验证，中微公司新一代设备预计2025年交付 [20]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：半导体行业、存储行业 - **公司**：长鑫存储、兆易创新、朗迪集团、华创、华海清科、拓荆、中微、雅克科技、广钢、安集科技、彤程新材、通富微电、南大光电、路维光电、瑞芯微、泰凌微 纪要提到的核心观点和论据 半导体行业整体趋势 - **市场情绪积极**：逻辑芯片先进制程扩产或超预期，关键领域不断突破，二季度芯片需求景气度不差，上游产业链如PCB、CCL等出现紧缺涨价，市场对行业景气度的担忧可能被过度放大[1][2] - **国产化替代突破**：设备材料零部件国产化替代不断推进，如南大光电实现28纳米ARF光刻胶量产，国产化率突破30%；彤程新材KRF光刻胶市占率达40%，并研发EUV封装胶；路维光电是国内唯一全世代、全技术覆盖的掩模板厂商[1][3][14][15][16] - **下游需求强劲**：大宗存储和SoC芯片需求表现良好，如瑞芯微和泰凌微等企业表现不错，2025年全年环比向上的公司比例非常高[4] 长鑫存储相关情况 - **IPO进展及影响**：进入IPO辅导阶段，最新估值约1500亿人民币，提升自身资本市场地位，为国内半导体产业注入活力，有望打破国际限制，实现更大自主发展，还将带动国产设备材料等半导体供应链发展[1][5][6] - **市场份额**：一季度营收突破10亿美元，全球DRAM市场份额约6%，预计年底提升至8%，加速打破海外厂商垄断格局[1][6] - **技术迭代和战略部署**：加速产品结构升级，DDR5和LPDDR5年底出货占比分别提升至7%和9%，深化LPDDR4低功耗产品线，开发高端HBM解决方案，计划2026年实现HBM3量产，2027年推动HBM3E量产[7] - **产能扩展**：2020 - 2024年月产能提升至约20万片，预计年底突破28万片，合肥三期项目若投产将进一步提高产能，接近美光、逼近三星产能规模，增强中国在全球存储市场话语权[1][8][9] - **受益企业**：股权方面有兆易创新（持股约1.9%）和朗迪集团（间接持股不到6%）；设备端有华创、华海清科、拓荆、中微；材料零部件方向有雅克科技、广钢、安集科技、彤程新材；封装测试方面有通富微电[10] 存储行业价格趋势 - **DDR4价格上涨**：由供给端收缩（主流厂商减产转向DDR5）与需求端支撑（民用市场需求旺盛）共同驱动[3][11] - **DDR5价格上涨**：由于HBM生产挤占高制程晶圆产能，新旧工艺无法互补[3][11] - **NAND价格**：拐点已显现，由控产生效应释放及需求渐进复苏所致[3][12] 其他重要但是可能被忽略的内容 - **华创**：7月1日公布两款MOCVD设备，通过行业龙头客户验收并获批量重复订单，进入规模化商用阶段，推动国产化替代[13] - **路维光电**：平板领域2025年5月中标京东方8.6代AMOLED产线一供，7月交付首套掩膜板，预计2026年底全线贯通；半导体领域2025年上半年完成90纳米产品送样，最快四季度出结果，下半年进行40纳米产品试生产；产能布局在厦门、成都和苏州路新，各有不同聚焦和客户群体[16][17][18][19]

公司业绩与财务表现 - 公司累计装机量过去14年年均增长超过37%，营收年均增长超过35% [1] - 2024年净利润达到13.9亿元，同比增长16.5% [1] - 2024年等离子刻蚀设备年增长率达54.7% [1] - 截至2025年一季度末，公司净资产201.4亿元，在手资金84.7亿元，借款仅7.5亿元 [1] - 2024年研发支出24.5亿元，占比27%；2025年一季度研发投入6.9亿元，占比31.6% [1] - 2024年员工总数2480人，年均增长22%，2025年一季度新增117人，人均年销售额430万元 [1] 设备与技术突破 - 2024年ICP刻蚀设备订单41.08亿元，同比增长89.5%，接近CCP设备订单量 [2] - 等离子体刻蚀设备拥有18种第三代机型，ICP刻蚀机Twin-star双台加工精度达100皮米以下 [2] - 第五代CCP高能等离子体刻蚀机深宽比从2014年20:1提升至2025年90:1 [2] - 已布局研发近40种导体薄膜设备，2024年金属沉积设备发货128台，2025年预计大幅增加 [2] - 独创双腔设计的epi外延反应器均匀性优于国际领先企业 [2] - TSV深硅刻蚀、AD-RIE等先进封装设备已进入客户产线 [2] 业务布局与战略 - 五大核心设备与关键制程实现"全打通"，覆盖国内芯片制造关键环节30%设备需求 [3] - 计划未来五至十年将设备覆盖率提升至60%，并切入湿法设备市场 [3] - 业务延展至泛半导体领域，MOCVD设备在LED、SiC PD、GaN PD等多个细分领域取得突破 [3] - 大平板显示PECVD设备沉积均匀性控制优于5%，2025年5月正式上线运行 [3] - 截至2025年3月底累计申请专利2941件，授权1843件，战略投资40家公司总额22.9亿元 [3] 发展战略与竞争优势 - 采用错位发力策略，MOCVD产品下滑时CDP产品迅速补位，保持整体表现"稳中有进" [6] - 强调三维战略：产品线多维拓展、技术深度持续打磨、生态布局与客户关系共建共融 [7] - 不依赖单一设备，通过多条产品线平滑周期波动 [5][6] - 研发投入持续保持行业前列，2024年全年及2025年一季度研发支出增长显著 [6] - 在高端客户核心产线站稳脚跟，凭借性能与信任建立竞争优势 [6]

战略布局 - 公司践行三维发展战略：深耕集成电路关键设备、扩展泛半导体设备应用、探索新兴领域机会[5] - 等离子体刻蚀设备已应用于65纳米至5纳米及更先进工艺，打入国内外一线客户生产线[5] - 泛半导体领域MOCVD设备在氮化镓基LED、Mini/Micro-LED及碳化硅/氮化镓功率器件市场占据重要地位[5] - 前瞻布局光学和电子束量检测设备等新兴领域[5] - 上市后累计投资20多亿元于40家产业链企业，获得超50亿元浮盈，8家参股公司已登陆A股[5] - 未来五到十年计划覆盖60%以上半导体高端设备，成为平台式集团公司[4] 研发进展 - 研发周期从3-5年缩短至18个月，量产周期缩短至半年到一年[6] - 2024年研发投入24.52亿元（同比+94.31%），占营收27%[6] - 2025年一季度研发投入6.87亿元（同比+90.53%）[6] - 超20款新设备在研，涵盖高能/低能等离子体刻蚀、晶圆边缘刻蚀、PECVD/LPCVD/ALD薄膜设备等[6] - 研发团队规模超千人，覆盖全面技术领域[6] 业务表现 - 刻蚀设备2024年收入72.77亿元（同比+54.72%），近四年年均增长超50%[7] - CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀设备覆盖大多数应用场景[7] - 薄膜设备2024年销售额1.56亿元，LPCVD首台销售且累计出货150个反应台[7] - ALD等薄膜设备获重要客户重复订单，预计三到五年内收入快速增长[7][3] 行业机遇 - 国内半导体设备国产化提速，国产设备在性价比、售后服务等方面显现优势[9] - 全球半导体产能中心向中国内地转移，市场需求驱动行业发展[9] - 电子束检测设备为国内技术短板，公司计划攻克该领域[8] - 目标2035年成为全球第一梯队半导体设备公司，对标国际竞争对手[9]

公司战略目标 - 公司目标是在2035年成为全球第一梯队的半导体设备公司，在规模、产品竞争力和客户满意度上达到领先水平 [2] - 公司策略是集中资源开发具有差异化、自主知识产权的高端设备产品，避免低端内卷，并承担社会责任 [9] - 公司坚持三维发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展泛半导体关键设备应用，并探索新兴领域机会 [9] 行业发展优势 - 中国半导体设备行业技术水平不断提高，国产设备在产品性价比、售后服务和贴近客户方面优势显现 [6] - 中国作为全球最大半导体消费市场，带动全球产能中心向中国转移，推动市场规模扩大和技术水平提高 [7] - 半导体产业存在多个头部企业，差异化竞争优势是关键，公司通过解决细分领域问题建立不可替代性 [9] 研发投入与产品进展 - 2024年研发投入同比增长94.31%至24.52亿元，占营业收入27.05% [7] - 2025年第一季度研发投入同比增长90.53%至6.87亿元 [7] - 新产品开发周期从3-5年缩短至18个月，量产时间缩短至半年到一年 [7] - 在刻蚀、薄膜、MOCVD等设备领域取得突破，产品获海内外客户认可 [7] - 在研项目涉及超20款新设备，包括新一代CCP和ICP刻蚀设备 [9] 产业链布局与供应链管理 - 自2019年上市以来，公司投资30多家半导体设备产业链上下游企业，获得超50亿元浮盈并实现战略协同 [10] - 公司与全球超800家供应商建立合作关系，重点开发半导体设备零部件和材料供应商 [10] - 加强培育本土核心供应商，提升关键零部件国产化率，建立自主可控供应链 [10] 公司背景与市场表现 - 公司成立于2004年，2019年科创板上市，是国内高端微观加工设备领军企业之一 [4] - 主业盈利能力持续提升，成为中国半导体设备行业成长的重要样本 [4] - 截至5月28日收盘，公司股价报170.93元/股，总市值1068亿元 [11]

公司战略与业务布局 - 公司坚持三维发展战略：深耕集成电路关键设备领域、扩展泛半导体关键设备应用、探索新兴领域机会[1] - 上市以来累计投资20多亿元布局40家产业链企业，实现浮盈50多亿元，其中8家参股公司已完成A股上市[1] - 研发团队规模超千人，新产品开发周期从3-5年缩短至18-24个月，量产周期缩短至6-12个月[1] - 2024年研发投入24.52亿元（同比+94.31%），占营收27%，当前有超20款新设备在研[1] 产品与技术进展 - 重点开发新一代高能CCP/ICP刻蚀设备、晶圆边缘刻蚀设备、PECVD/LPCVD/ALD薄膜设备（LPCVD累计出货150台）、外延EPI及电子束检测设备[2] - 先进封装领域布局从CCP刻蚀/TSV深硅刻蚀扩展至PVD/CVD/量检测设备[2] - 泛半导体领域持续布局Mini/Micro-LED及碳化硅/氮化镓功率器件的MOCVD设备[2] - 刻蚀设备已覆盖65nm至5nm及更先进工艺，应用于国内外一线客户[2] 财务表现 - 2024年营收90.65亿元（同比+44.73%），近四年年均增速超40%，扣非净利润13.88亿元（同比+16.52%）[3] - 2025年Q1营收21.73亿元（同比+35.4%），归母净利润3.13亿元（同比+25.67%）[3] 行业竞争与前景 - 竞争策略聚焦差异化高端设备，重点突破电子束检测设备短板，子公司已引入国际顶尖专家团队[4] - 半导体设备国产化加速，国内企业凭借性价比、服务及贴近客户优势逐步替代海外厂商[4] - 全球产能向中国转移推动设备需求，国内成熟半导体设备公司约30家（其中10余家上市）[4][5] - 目标2035年成为全球第一梯队半导体设备公司，对标国际竞争对手[5]

公司业绩与业务发展 - 中微公司2024年LPCVD设备实现首台销售，全年设备销售额约1.56亿元 [1][2] - 公司近两年新开发的LPCVD和ALD薄膜设备已获得重要客户重复性订单，LPCVD累计出货量突破150个反应台 [3] - EPI设备已进入客户端量产验证阶段 [3] - 2023年ICP设备新增订单21.68亿元，同比增长139.3%，2024年新增订单41.08亿元，同比增长89.5% [5] 薄膜设备业务布局 - 公司正在全面布局薄膜设备业务，预计三到五年内该业务收入将快速增长 [1] - 薄膜设备种类包括LPCVD、PECVD、ALD、PVD、EPI、炉管CVD和镀铜等 [2] - 2022年PECVD占薄膜设备市场32%，PVD占22%，ALD占14%，LPCVD和EPI各占8% [3] - 公司策略是从MOCVD切入，逐步开发LPCVD、EPI、ALD，并开始研发PVD和PECVD设备 [3] 研发能力与效率 - 新产品开发周期从3-5年缩短至约18个月，进入市场后半年到一年可实现量产 [5] - 过去20年研发投入70%集中在刻蚀设备，近年薄膜设备研发投入比例显著提升 [5] - 公司开发设备时注重差异化设计，分析国际领先厂商优缺点，打造自主知识产权产品 [2] 长期发展战略 - 计划五到十年内覆盖60%以上半导体高端设备，成为平台式集团公司 [5] - 未来业务将覆盖刻蚀、薄膜、量检测设备及部分湿法设备 [5] - 目标从刻蚀设备龙头转型为综合性半导体设备平台企业 [1][5]

业绩表现 - 2024年实现营业收入90.65亿元 同比增长44.73% 近四年营收年均增幅大于40% [1] - 2024年归属于上市公司股东的扣非净利润约13.88亿元 同比增长16.51% [1] - 2025年一季度业绩延续高增长态势 [1] 研发投入 - 2024年研发投入达24.52亿元 同比增长94.31% 占营业收入比例约27.05% [1] - 2025年一季度研发投入同比增长90.53%至6.87亿元 [1] - 研发团队能力显著提升 新产品开发周期从3-5年缩短至18个月 量产周期缩短至半年到一年 [2] 产品与技术 - 在研超20款新设备 包括新一代CCP刻蚀设备 ICP刻蚀设备 晶圆边缘刻蚀设备 LPCVD及ALD薄膜设备等 [2] - MOCVD设备持续领跑全球市场 加速向碳化硅功率器件 Micro-LED等新兴领域拓展 [2] - 通过投资布局量检测设备板块 [2] 发展战略 - 目标2035年在规模 产品竞争力和客户满意度上成为全球第一梯队的半导体设备公司 [1] - 集中资源开发具有差异化 自主知识产权的高端设备产品 避免低端内卷 [3] - 已投资30多家产业链上下游企业 实现浮盈50多亿元 其中8家完成A股上市 [3] - 与全球超800家供应厂商建立合作关系 加强零部件和材料供应商开发管理 [3] 供应链管理 - 关键零部件基本不依赖美国 开发更多优质供应商 培育本土核心供应商 [4] - 提升关键零部件国产化率 建立更加自主可控的供应链 [4] 行业环境 - 全球半导体产业迎来新一轮发展机遇 人工智能 云计算 自动驾驶推动先进制程演进 [3] - SEMI预测2025年全球半导体设备市场规模保持增长 中国市场表现受关注 [3]

报告公司投资评级 - 维持公司“买入”评级 [6] 报告的核心观点 - 2025年第一季度公司实现营业收入22亿元，同比增加35%，环比减少39%；归母净利润3亿元，同比增加26%，环比减少55%；扣非净利3亿元，同比增加13%，环比减少48% [4] - 2024年公司实现营业收入91亿元，同比增加45%；归母净利润16亿元，同比减少10%；扣非净利14亿元，同比增加17% [4] - 2024年公司研发投入25亿元，同比增长94%，研发费率16%，多年来保持在15%上下；公司推进超二十款新设备开发，新品研发速度加快，新设备开发时间从3 - 5年缩短至2年或更短；高研发投入取得成效，产品突破带来新订单增长；一季度公司合同负债31亿元，同比大增162%，验证在手订单充沛 [5] - 预计2025 - 2027年公司归母净利润分别为24.76、34.13、42.94亿元，对应的EPS分别为3.96、5.46、6.87元，对应最新收盘价PE分别为45x、33x、26x [6] 根据相关目录分别进行总结 公司基本信息 - 报告日期为2025年5月17日，收盘价180.33元，近12个月最高/最低为256.99/115.50元，总股本625百万股，流通股本625百万股，流通股比例100.00%，总市值1127亿元 [1] 财务指标 |主要财务指标|2024A|2025E|2026E|2027E| | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | |营业收入（百万元）|9065|12122|15623|18474| |收入同比（%）|44.7%|33.7%|28.9%|18.2%| |归属母公司净利润（百万元）|1616|2476|3413|4294| |净利润同比（%）|-9.5%|53.2%|37.9%|25.8%| |毛利率（%）|41.1%|43.5%|43.0%|44.6%| |ROE（%）|8.2%|11.1%|13.3%|14.3%| |每股收益（元）|2.61|3.96|5.46|6.87| |P/E|72.48|45.52|33.02|26.25| |P/B|5.96|5.05|4.38|3.76| |EV/EBITDA|67.71|35.76|26.42|20.89| [8] 相关报告 - 2024年公司刻蚀设备收入73亿元，同比增长55%；MOCVD设备收入4亿元，同比下降18%；LPCVD设备收入2亿元，实现首台销售 [10] - 公司开发的12寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进生产线，用于5nm及以下器件若干关键步骤加工；在3D NAND芯片制造环节，公司等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上量产 [10] 财务报表与盈利预测 资产负债表（单位：百万元） |会计年度|2024A|2025E|2026E|2027E| | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | |流动资产|17901|20262|25224|30303| |非流动资产|8317|9851|10686|10724| |资产总计|26218|30113|35909|41027| |流动负债|5634|6445|8324|9642| |非流动负债|848|1362|1867|1372| |负债合计|6482|7807|10191|11014| |少数股东权益|-1|-1|-1|-1| |股本|622|622|622|622| |资本公积|14102|14188|14188|14188| |留存收益|5012|7497|10910|15204| |归属母公司股东权益|19737|22307|25720|30014| [11] 利润表（单位：百万元） |会计年度|2024A|2025E|2026E|2027E| | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | |营业收入|9065|12122|15623|18474| |营业成本|5343|6848|8912|10243| |营业税金及附加|31|24|31|37| |销售费用|479|909|1094|924| |管理费用|482|727|859|924| |财务费用|-87|-125|-94|-118| |资产减值损失|-118|-50|-30|-30| |公允价值变动收益|153|0|0|0| |投资净收益|88|336|422|185| |营业利润|1704|2665|3631|4568| |营业外收入|10|0|0|0| |营业外支出|5|3|0|0| |利润总额|1709|2662|3631|4568| |所得税|95|186|218|274| |净利润|1614|2476|3413|4294| |少数股东损益|-1|0|0|0| |归属母公司净利润|1616|2476|3413|4294| [11] 现金流量表（单位：百万元） |会计年度|2024A|2025E|2026E|2027E| | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | |经营活动现金流|1458|773|2156|4290| |投资活动现金流|646|-2083|-1398|-825| |筹资活动现金流|-2|578|459|-542| |现金净增加额|2117|-732|1216|2923| [11] 主要财务比率 |会计年度|2024A|2025E|2026E|2027E| | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | |成长能力 - 营业收入同比（%）|44.7%|33.7%|28.9%|18.2%| |成长能力 - 营业利润同比（%）|-14.0%|56.4%|36.2%|25.8%| |成长能力 - 归属于母公司净利润同比（%）|-9.5%|53.2%|37.9%|25.8%| |获利能力 - 毛利率（%）|41.1%|43.5%|43.0%|44.6%| |获利能力 - 净利率（%）|17.8%|20.4%|21.8%|23.2%| |获利能力 - ROE（%）|8.2%|11.1%|13.3%|14.3%| |获利能力 - ROIC（%）|6.3%|10.0%|12.1%|13.4%| |偿债能力 - 资产负债率（%）|24.7%|25.9%|28.4%|26.8%| |偿债能力 - 净负债比率（%）|32.8%|35.0%|39.6%|36.7%| |偿债能力 - 流动比率|3.18|3.14|3.03|3.14| |偿债能力 - 速动比率|1.78|1.66|1.57|1.77| |营运能力 - 总资产周转率|0.38|0.43|0.47|0.48| |营运能力 - 应收账款周转率|7.20|6.83|6.23|6.02| |营运能力 - 应付账款周转率|3.58|3.22|3.02|2.85| |每股指标 - 每股收益（元）|2.61|3.97|5.48|6.89| |每股指标 - 每股经营现金流（摊薄）（元）|2.34|1.24|3.46|6.88| |每股指标 - 每股净资产（元）|31.71|35.80|41.28|48.17| |估值比率 - P/E|72.48|45.52|33.02|26.25| |估值比率 - P/B|5.96|5.05|4.38|3.76| |估值比率 - EV/EBITDA|67.71|35.76|26.42|20.89| [11]