新产品发布 - 公司推出六款半导体设备新产品 覆盖等离子体刻蚀 原子层沉积及外延等关键工艺 [1] - 新产品包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备 其中三款为原子层沉积产品 一款为外延产品 [1][3] 刻蚀设备技术细节 - 新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备Primo UD-RIE配备六个单反应台反应腔 通过更低频率更大功率射频偏压电源提供更高离子轰击能量 [1] - Primo UD-RIE采用动态边缘阻抗调节系统和上电极多区温控系统 显著提高晶圆边缘合格率和设备稳定性 [2] - 12寸ICP单腔刻蚀设备Primo Menova专注于金属刻蚀 适用于功率半导体 存储器件及先进逻辑芯片制造 在刻蚀均一性控制方面表现卓越 [2] 薄膜沉积设备技术细节 - 12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash金属栅系列包含TiN TiAl及TaN三大产品 采用双反应台设计可配置多达五个双反应台反应腔 [3] - 双腔减压外延设备PRIMIO Epita RP采用全球最小反应腔体积 可灵活配置多至6个反应腔 显著降低生产成本与化学品消耗 [4] - 沉积设备采用多级匀气混气系统和基于模型算法的加热系统设计 在薄膜均一性 污染物控制及生产效率方面达到世界先进水平 [3][4] 市场影响与战略意义 - 新产品可满足先进逻辑与存储器件在金属栅方面的应用需求 覆盖从成熟到先进节点的逻辑 存储和功率器件等多领域外延工艺需求 [3][4] - 产品发布为公司向高端设备平台化公司转型注入新动能 对半导体设备市场拓展和业绩成长性产生积极影响 [1][4]

新产品发布 - 公司推出六款半导体设备新产品 包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备 覆盖等离子体刻蚀 原子层沉积及外延等关键工艺 [2] - 新一代极高深宽比等离子体刻蚀机Primo UD-RIE配备六个单反应台反应腔 通过更低频率 更大功率射频偏压电源提供更高离子轰击能量 满足极高深宽比刻蚀严苛要求 [2] - Primo Menova 12寸ICP单腔刻蚀设备专注于金属刻蚀领域 擅长金属Al线 Al块刻蚀 适用于功率半导体 存储器件及先进逻辑芯片制造 [2] 薄膜沉积设备技术细节 - 四款薄膜沉积新品包括三款原子层沉积产品和一款外延产品 其中Preforma Uniflash金属栅系列涵盖TiN TiAl及TaN三大产品 满足先进逻辑与存储器件金属栅应用需求 [3] - 双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP采用市场独有双腔设计 反应腔体积为全球最小 可灵活配置多至6个反应腔 显著降低生产成本与化学品消耗 [3] 技术发展与市场影响 - 随着半导体技术迭代升级 等离子体刻蚀 原子层沉积及外延技术应用需求持续攀升 新产品可满足客户需求并拓展公司产品布局 [3] - 新产品将为公司向高端设备平台化转型注入新动能 对半导体设备市场拓展和业绩成长性产生积极影响 [3] 公司业务概况 - 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备研发 生产和销售 涉足半导体集成电路制造 先进封装 LED外延片生产 功率器件及MEMS制造等领域 [4] - 等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户65纳米至5纳米集成电路加工制造及先进封装生产线 MOCVD设备在行业领先客户生产线大规模量产 [4] - 公司是世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商 新开发LPCVD和ALD薄膜设备已有多款产品进入市场并获得大批量重复订单 [4] 财务表现 - 上半年总营业收入49.61亿元 同比增长43.88% 归母净利润7.06亿元 同比增长36.62% [5] - 9月4日公司股价报收195.40元 单日下跌7.83% [6]

新产品发布 - 公司推出六款半导体设备新产品 覆盖等离子体刻蚀 原子层沉积及外延等关键工艺 [1] - 新产品包括极高深宽比刻蚀设备Primo UD-RIE和金属刻蚀设备Primo Menova 分别针对不同刻蚀领域提供高效解决方案 [2] - 12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash金属栅系列涵盖TiN TiAI及TaN三大产品 满足先进逻辑与存储器件金属栅应用需求 [3] - 全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita RP采用独特双腔设计 反应腔体积全球最小且可配置多至6个反应腔 [3] 技术优势与创新 - Primo UD-RIE基于成熟架构升级 配备六个单反应台反应腔 通过更低频率更大功率射频偏压提供更高离子轰击能量 [2] - Primo Menova专注于金属刻蚀 擅长金属Al线Al块刻蚀 适用于功率半导体 存储器件及先进逻辑芯片制造 [2] - PRIMIO Epita RP搭载完全自主知识产权的双腔设计 多层独立控制气体分区及可调节温场温控设计 确保优秀流场与温场均匀性 [3] - 新设备显著降低生产成本与化学品消耗 同时实现高生产效率 具备卓越工艺适应性和兼容性 [3] 研发投入与效率 - 2025年上半年研发投入达14.92亿元 同比增长53.70% 研发投入占营业收入比例约30.07% [1] - 研发投入水平远高于科创板上市公司10%到15%的平均水平 [1] - 在研项目涵盖六大类超二十款新设备 研发速度实现跨越式提升 开发周期从3-5年缩短至2年或更短 [1] 市场应用与客户进展 - 等离子体刻蚀设备已应用于国际一线客户65纳米到5纳米及其他先进集成电路加工制造生产线 以及先进存储和先进封装生产线 [4] - CCP和ICP刻蚀机可覆盖国内95%以上刻蚀应用需求 [4] - 截至2025年6月底 累计超6800台反应台在国内外155条生产线实现量产和大规模重复性销售 [4] - Primo Menova首台机已于2025年6月付运客户认证 PRIMIO Epita RP已于2024年8月付运客户进行成熟制程和先进制程验证 [2][3]