Workflow
ReRAM
icon
搜索文档
Weebit Nano’s ReRAM Selected for Korean National Compute-in-Memory Program
Globenewswire· 2026-03-06 05:00
文章核心观点 - Weebit Nano 被选中参与韩国政府资助的专注于人工智能应用的超低功耗模拟存内计算技术项目 其ReRAM技术是该项目的核心基础存储元件[1] - 该项目旨在通过直接在存储器阵列中进行计算 以解决传统AI加速器的能耗和性能限制 目标能效约为200 TOPS/W[2][4] - 公司已与韩国代工厂DB HiTek延长合作协议 DB HiTek将为联盟制造器件 项目是韩国更广泛AI转型计划的一部分[3][5] 项目背景与目标 - 项目由韩国政府资助 目标是推进用于AI应用的超低功耗模拟存内计算技术[1] - 旨在超越小规模测试结构 转向基于大型器件阵列的硅实现 专注于硅验证的ACiM模块、应用规模评估以及跨器件、电路和架构层面的协同优化[4] - 最终目标是展示新兴突触器件阵列与商用硅CMOS工艺和电路的集成 建立完整且可重复的ACiM开发流程[4] 技术方案与优势 - 采用模拟存内计算范式 将神经网络权重存储在ReRAM交叉阵列中 从而就地执行向量-矩阵乘法[2] - 该方法可显著减少数据移动 提高AI推理及长期训练工作负载的吞吐量和能效[2] - ACiM技术是解决AI系统设计者希望将存储器靠近计算单元以降低功耗和延迟这一需求的实际路径[5] 合作方与生态系统 - 项目联盟包括DB HiTek、大邱庆北科学技术院、首尔国立大学、忠北国立大学、韩国电子通信研究院以及专注于ACiM模块产品商业化的公司AnalogAI[3] - DB HiTek作为韩国代工厂 将负责为联盟制造器件[3] - 项目是韩国更广泛AI转型计划的一部分 旨在结合新兴存储器件与成熟的CMOS制造 在构建国内能力和可持续的产学研生态系统的同时 显著提高AI能效[5] 公司技术与市场定位 - Weebit Nano是先进半导体存储技术的领先开发商和授权商[6] - 其ReRAM技术可满足AI推理、汽车电子、工业系统、模拟与功率IC以及安全设备等应用对更高性能和更低功耗存储解决方案日益增长的需求[6] - ReRAM比现有闪存解决方案速度显著更快、成本更低、更可靠且更节能 并且基于晶圆厂友好型材料 无需特殊设备或大量投资即可快速集成到现有流程中[6] - 联盟在新兴器件协同设计、优化和验证方面的方法论 预计将在多个半导体应用领域具有更广泛的适用性[5]
Weebit Nano's ReRAM Selected for Korean National Compute-in-Memory Program
Globenewswire· 2026-03-06 05:00
公司动态 - 公司Weebit Nano被选入参与一项由韩国政府资助的、专注于为AI应用推进超低功耗模拟存内计算技术的项目[1] - 公司的ReRAM技术是该项目的核心基础存储元件[1] - 公司已与韩国代工厂DB HiTek延长了合作协议,DB HiTek将为该联盟制造器件[3] - 公司首席执行官表示,此项目结合了器件创新、电路与架构协同设计以及可制造的硅芯片,是将ACiM从研究推向可部署技术的关键[5] 技术项目详情 - 该国家级项目旨在通过直接在存储器阵列内进行计算,以解决传统AI加速器的能耗和性能限制[2] - 在该ACiM范式中,神经网络权重存储在ReRAM交叉开关阵列中,从而能够就地执行向量-矩阵乘法[2] - 这种方法可显著减少数据移动,提高AI推理以及长期来看训练工作负载的吞吐量和能效[2] - 项目关键目标是从小规模测试结构转向基于大型器件阵列的硅实现[4] - 联盟将专注于硅验证的ACiM模块、应用规模评估以及跨器件、电路和架构层面的协同优化,目标能效约为每瓦200 TOPS[4] - 项目旨在展示新兴突触器件阵列与商用硅CMOS工艺及电路的集成,为ACiM建立完整且可重复的开发流程[4] 行业与市场影响 - AI系统设计者正日益寻求让存储器更靠近计算单元以降低功耗和延迟,存内计算是实现这一目标的实用路径[5] - 该项目是韩国更广泛的“AI转型倡议”的一部分,该倡议支持对未来AI半导体领导地位至关重要的技术[5] - 通过将新兴存储器件与成熟的CMOS制造相结合,联盟旨在显著提高AI能效,同时建立涵盖学术界和工业界的国内能力和可持续生态系统[5] - 除了AI领域,该联盟在新兴器件的协同设计、优化和验证方面的方法论,预计将在多个半导体应用领域具有更广泛的适用性[5]
NVM IP,至关重要
半导体行业观察· 2026-02-28 09:14
市场现状与趋势 - 超过80%的受访者正在使用或评估嵌入式非易失性存储器技术,表明市场既成熟又活跃 [2] - 近30%的受访者预计在未来一年内选择NVM IP,20%的受访者目前正在寻找NVM,意味着近期有大量决策尚未做出,竞争技术发展空间大 [2] - 到2030年,嵌入式新兴NVM市场规模预计达到33亿美元,主要由MRAM、PCM和ReRAM在下一代MCU和SoC中的采用驱动 [10] - 市场正从传统存储技术向新型NVM过渡,并进入更关键的阶段,随着设计向需要新型NVM的节点迁移,进程可能加速 [8][9] 技术认知与采用 - 嵌入式闪存技术认知度超过80%,保持其作为默认选择的地位 [4] - 对闪存以外技术的认知度正在提高,FRAM、MRAM和ReRAM的认知度均超过四分之一,已成为主流认知的一部分 [4] - 少数供应商在知名度上脱颖而出,依次为SST(嵌入式闪存)、英飞凌(SONOS)和Weebit Nano(ReRAM) [4] - 越来越多的团队评估替代方案,并非出于好奇,而是因为扩展性、功耗和长期可预测性成为未来设计的关键制约因素 [8] 技术选择标准与痛点 - 选择嵌入式NVM的最重要标准是可靠性、耐久性和数据保持能力,加权平均分远高于3.0(满分4.0) [5] - 工艺可扩展性紧随其后,得分也超过3.0,反映出将传统嵌入式NVM扩展到先进几何结构中的困难 [5] - 电源效率得分超过3.0,集成风险和长期可预测性也接近同等重要,表明制造准备和生命周期稳定性与技术性能几乎同等重要 [5] - 最主要的痛点是可扩展性限制和功耗性能权衡,加权平均分均超过3.0(满分4.0),被视为当前NVM部署的关键制约因素 [6] - 可靠性问题和成本不确定性紧随其后,表明长期可预测性和经济风险仍是许多设计方案未解决的问题 [6] - 设计压力增长速度超过了传统存储器的适应能力,嵌入式闪存面临的压力明显加剧 [8] 行业影响与展望 - NVM的选择正从一种背景假设转变为一项紧迫的架构决策,将影响下一代设计的产品可行性 [10] - 问题焦点已从嵌入式闪存能否进一步扩展,转变为它能持续满足扩展性、能效、可靠性和成本可预测性的综合需求多久 [10]
重磅,TI入局RRAM
半导体行业观察· 2025-12-30 09:45
协议核心内容 - Weebit Nano已将其电阻式随机存取存储器技术授权给德州仪器[1][2] - 根据协议,Weebit的ReRAM技术将被集成到TI用于嵌入式处理半导体的先进工艺节点中[1][2] - 协议涵盖知识产权许可、技术转让以及Weebit ReRAM在TI工艺技术中的设计和认证[1][2] 技术产品特性 - Weebit ReRAM是一款低功耗、高性价比的非易失性存储器[1][2] - 该技术声称在高温下具有优异的保持性能,并已通过AEC-Q100 150°C运行认证[1][2] 合作意义与行业影响 - TI表示,合作将使客户能够获得业界领先的非易失性存储器技术,该技术在性能、规模和可靠性方面均具有优势[1][3] - TI认为,此举将有助于巩固其作为领先的嵌入式处理器供应商的地位[1][3] - Weebit Nano首席执行官认为,协议表明业界正在转向使用ReRAM作为SoC设计中闪存的替代技术[1][3] - 此举巩固了Weebit作为领先的独立ReRAM技术供应商的地位[1][3] - TI被描述为全球领先的集成器件制造商之一,每年生产数百亿颗芯片[3]