兆易创新港股上市表现 - 公司于2026年1月13日登陆港交所，完成“A+H”双平台上市 [1][3] - 上市首日股价开盘上涨45.06%至235港元，盘中最高涨幅突破53%，最终收涨37.53%，报222.8港元，港股市值达1552亿港元 [3] - 此次上市表现远超同日上市的红星冷链（涨0.33%）和BBSB INTL（涨11.67%）[3] 上市募资与投资者情况 - 全球发售2891.58万股，发行价162港元，共募得46.11亿元 [3][4] - 香港公开发售部分获得542.22倍超额认购，国际发售部分获得18.52倍认购 [4] - 基石投资者阵容豪华，包括产业端的小米、TCL、华勤通讯，以及金融端的源峰基金、上海景林、云峰资本等头部机构 [4] 公司战略与募资用途 - 港股上市旨在拓宽国际融资渠道，提升国际品牌影响力，助力公司从“中国领先”向“世界一流”迈进 [4] - 募资重点投向研发升级、战略收购及全球扩张，以契合其“感算存控连”的生态布局战略 [4] - 作为技术密集型企业，公司研发投入持续增长，2022至2024年研发开支从9.36亿元增至11.22亿元，研发占比稳定在11.5%以上 [4] 行业背景与公司业绩 - 2025年以来，受AI技术迭代驱动，全球存储芯片市场进入上行周期，AI服务器对存储的需求强度是普通服务器的8-10倍 [5] - 国际巨头缩减成熟制程投入，导致DDR4等产品供给短缺，价格持续飙升 [5] - 公司作为存储芯片龙头直接受益，2025年前三季度营收同比增长20.92%至68.32亿元，净利润同比大增30.18%至10.83亿元 [5] - 存储产业链显现全面复苏，同产业链公司佰维存储2025年净利润预计同比增长4.3-5.2倍，其中四季度单季净利润预计同比增长12.25-14.50倍 [6] 业务扩张与生态合作 - 在汽车电子领域，公司于2025年9月与普华基础软件合作，将车规级MCU与AUTOSAR系统深度融合；2026年1月与奇瑞汽车达成战略合作，共同开发智能座舱、自动驾驶解决方案 [7] - 在工业与能源领域，公司于2025年4月与纳微半导体合作开发数字电源方案，同年10月与南瑞继保合作开发电力系统技术 [7] 资本市场关注度 - 机构持股比例显著上升，基金持股比例从2024年末的10.65%增长至2025年第三季度的14.23% [7] - 重仓持股的主动管理基金数量从2024年末的208只增长至2025年第三季度的465只，其中南方基金有42只主动基金重仓，富国基金有27只 [7] - 2025年以来公司股价已上涨1.36倍，2026年开年7个交易日内股价上涨18.09% [8] - 公司第三大股东葛卫东在2025年三季度持股市值达36.32亿元，较2024年末的20亿元上涨约八成 [8] 创始人背景与公司发展历程 - 创始人朱一明为清华大学物理系硕士，后于美国纽约州立大学石溪分校主攻电子工程，深耕集成电路设计 [9] - 2005年在清华科技园支持下，筹集92万美元回国创立芯技佳易（公司前身）[9] - 2010年公司更名为兆易创新，同年Nor Flash巨头Spansion申请破产保护，公司承接部分国际订单，存储产品销量突破1亿颗 [10] - 2013年推出SPI NAND Flash产品，奠定行业领军地位，并成功切入MCU领域 [10] - 2016年公司登陆上交所，同年朱一明牵头成立长鑫科技，联合合肥市政府推进19纳米DRAM研发项目 [10] - 2019年长鑫存储实现19纳米DDR4芯片量产，填补中国DRAM产业空白 [10] - 目前兆易创新在港股上市，长鑫科技也在冲刺科创板 [11]

行业趋势与市场背景 - 智能网联新能源汽车的蓬勃发展推动汽车存储技术经历前所未有的变革，汽车存储是支撑汽车智能化和网联化的关键技术 [1] - 智能汽车对高速数据处理、多屏交互及高级驾驶辅助系统（ADAS）的需求激增，使高可靠性、高性能的车规级存储解决方案重要性日益凸显 [3] - 符合AEC-Q100等车规标准的存储芯片因能在极端温度、高频振动与复杂电磁环境下稳定运行而备受车企青睐 [3] 公司产品与解决方案 - 公司提供覆盖智能座舱、车载信息系统、智能辅助驾驶等多个关键应用场景的全系车用存储解决方案 [3] - 产品线包括eMMC、UFS、LPDDR与SPI NAND Flash四款车规级存储产品 [3] - 产品在耐极端环境、低功耗设计等方面实现突破，性能卓越，为汽车智能化升级提供坚实支撑 [3] - 车规级UFS的读写性能较eMMC提升超过6倍，有效降低传输延迟，为ADAS域控制器、座舱HMI系统等提供极速存储体验 [5] - 车规级LPDDR4x通过低功耗技术与双通道Bank Group架构，实现更高速率与更低功耗的平衡，为智能座舱AI语音助手等交互体验提供支持 [5] 公司核心竞争力与商业模式 - 公司独特的PTM模式（产品技术制造）实现了从存储芯片设计、固件开发到封测制造的全链条把控 [5] - 通过自研主控芯片与固件算法，公司在存储芯片设计上拥有自主知识产权，能够快速响应市场需求并提供定制化解决方案 [5] - 公司建成的高可靠性生产线实现了对关键工艺的自研自控，保障了产品的一致性与可靠性 [5] 未来展望 - 公司以创新半导体存储技术引领汽车智能化新风尚 [6] - 随着智能网联新能源汽车市场的不断扩大，公司将继续深耕存储领域，以高性能、高可靠的车规存储产品助力全球汽车产业迈向智慧绿色出行时代 [6][7]

文章核心观点 公司一季度业绩稳盘彰显经营韧性，得益于中高端存储领域战略布局、技术研发突破及国内外市场有效拓展，未来有望实现更高质量发展，为全球存储市场提供更多优质产品和解决方案 [5] 分组1：2025年一季报业绩情况 - 公司实现营业收入42.56亿元，归母净利润 -1.52亿元，扣非归母净利润 -2.02亿元 [1] - 首季营收规模环比稳定，扣除非经常性损益的净亏损幅度显著收窄，盈利状况迎来改善趋势 [1] 分组2：业务进展 中高端业务 - 企业级存储（eSSD和RDIMM）实现收入3.19亿元，较去年同期增长超200% [1] - 公司是极少数能批量交付企业级服务器存储产品的上市公司，已与多领域知名客户建立合作关系 [2] - 汽车存储板块构建了车规级存储产品矩阵，与主流主机厂和汽车客户建立深度合作关系，覆盖10余种车载应用 [2] 海外业务 - Lexar品牌、巴西Zilia营业收入分别同比增长21%、45% [1] - Lexar品牌构建全球渠道覆盖，营收从2019年的8.6亿元增长至2024年的35.3亿元，提升公司全球消费市场影响力 [4] - Zilia被收购后整合成效明显，拓展中高端产品方案，助力公司形成全球存储制造供应链网络 [4] 自研主控芯片 - 自研UFS4.1自研主控芯片成功实现量产，三款自研主控芯片累计超3000万颗自主应用 [3] - 依托主控芯片性能，UFS存储器有望打入高端智能终端市场实现放量增长 [3] 新产品推出 - 面向AI终端推出QLC eMMC等新型产品，为手机、智能穿戴市场提供更多存储选择 [3] - 推出LPCAMM2等内存新形态产品，打通PC和手机应用场景，为消费级存储业务拓展提供支撑 [3] 分组3：行业情况 - 自3月底以来存储价格涨幅及供需结构展望乐观，多家厂商加入存储芯片涨价潮，半导体存储市场进一步回暖 [1] - 云服务提供商对AI硬件持续投资，端侧AI及大模型技术加速应用，推动高性能计算和存储硬件需求增长 [1]

中国半导体产业早期困境 - 21世纪之初中国半导体产业"大而不强"，2007年成为全球最大半导体市场但核心技术受制于人，存储器等高附加值芯片几乎完全依赖进口 [1] - 2007年国内生产的集成电路仅满足22%市场需求，78%依赖进口，进口额1287亿美元占全球50%，净进口缺口高达1048亿美元 [1] - 分立器件呈现"大进大出"格局，进出口量分别为2677亿只和2412亿只，进出口额分别为117亿美元和88亿美元 [1] 兆易创新创立与技术突破 - 兆易创新创立于中国半导体产业困境时期，瞄准存储芯片战略领域，2008年推出首款180nm工艺SPI NOR Flash芯片实现零突破 [2] - NOR Flash作为嵌入式系统启动代码载体，此前完全依赖进口，该突破填补国内空白 [2] - 采用"架构降维"策略，将SPI协议引入NOR Flash使芯片引脚数从40+减至8个，客户改造成本降低90% [5] - 2008年金融危机期间NOR Flash出货量逆势增长300%，2010年销量突破1亿颗 [5] 存储芯片市场格局与技术演进 - 21世纪初存储芯片市场呈金字塔结构，中国长期停留在SRAM领域且90%产能集中在台资企业 [4] - 美国《出口管理条例》封锁130nm以下制程设备，迫使公司通过接口协议层架构创新突破限制 [4] - 持续迭代工艺从180nm向55nm进阶，产品线覆盖512KB至2GB全容量，2023年SPI NOR Flash全球市场份额跃居第二 [6] - 累计出货量超过230亿颗，车规级芯片验证十五年数据保留周期和十万次擦写寿命 [6] 多元化战略布局 - 2013年推出全球首款SPI NAND Flash和基于ARM Cortex-M3的32位MCU GD32系列，构建"存储+MCU"生态闭环 [8] - SPI NAND Flash使引脚数量从传统NAND的数十个锐减至8个，封装体积缩小70% [8] - GD32系列MCU性能较同类提升50%，功耗降低20%-30%，填补国产高端MCU空白 [9][10] - 截至2023年MCU累计出货量突破13亿颗，工艺从110nm迭代至22nm，跻身全球前十大MCU品牌 [10] 资本运作与技术升级 - 2016年上市募集5.8亿元用于研发，研发投入从2016年1.2亿元飙升至2020年7.6亿元 [13] - 2017年量产38nm SLC NAND，与中芯国际建立战略同盟（持股1.02%，签订12亿片/年采购协议） [14] - 2019年推出全球首款RISC-V内核MCU，计划2025年累计出货量超1亿颗 [15] - 与阿里平头哥合作推进RISC-V生态，在AIoT、汽车电子等领域协同发展 [15] DRAM领域突破 - 2017年与合肥产投共同投资180亿元开展19nm DRAM研发，合肥长鑫目标建成中国首个自主DRAM工厂 [18] - 2021年首款4GB DDR4 DRAM量产，实现设计、流片到封测全链条国产化 [19] - 2023年推出国内首款LPDDR5芯片，速率6400Mbps，容量12GB，将代际差距缩短至2-4年 [20] - 2024年国产DRAM产能达20万片/月占全球10%，产品覆盖DDR3L、DDR4及LPDDR4X [20] 市场策略与财务表现 - 采用"边缘突破"理论，在NOR Flash、MCU、DRAM领域均选择差异化竞争路径 [26] - 产品组合覆盖消费电子、工业控制、汽车电子三大市场，形成需求对冲策略 [27] - 2023年NOR Flash出货量25.33亿颗同比增长16.15%，抵消消费电子下行周期影响 [27] - 毛利率从2023年34.42%提升至2024年前三季度39.46% [24]