行业格局转变 - NAND闪存行业从高速扩张进入谨慎投资阶段，2024年以来价格剧烈波动导致企业盈利承压，各大厂商放缓扩产并减少投资 [3] - AI与高带宽存储器(HBM)崛起使市场焦点转向DRAM领域，NAND在存储产业格局中的地位被重新定义 [3] - 行业形成三星、SK海力士、美光和铠侠等寡头格局，但中国长江存储正逆势加大投入进行差异化发展 [2][13] 韩国厂商战略调整 - 三星V10 NAND量产延期，原定2024年底量产推迟至2025年上半年，因400层堆叠技术面临超低温蚀刻技术难题（-60℃至-70℃环境）及设备兼容性问题 [5][6] - 三星转换投资放缓：平泽P1工厂第9代NAND转换延期，西安工厂X2生产线第9代转换仅执行月产5000片晶圆的最小规模投资 [6][7] - SK海力士大连第二工厂设备投资搁置三年，尽管获得美国VEU资格但仍因市场疲软和地缘政治因素推迟建设 [8] - SK海力士将资源集中到HBM和DRAM领域，几乎垄断NVIDIA AI加速卡供货链条，NAND业务被边缘化 [9] 美系与日系厂商动态 - 美光宣布终止移动NAND产品开发包括UFS5，退出消费市场竞争，重心转向企业级SSD、汽车和数据中心市场 [11] - 美光大幅增加HBM和DRAM研发投入，2024年下半年连续上调营收和毛利率指引 [12] - 铠侠因与西部数据合并未果缺乏规模效应，成本控制和技术迭代处于被动，业绩常年在盈亏边缘徘徊 [12] 设备厂商受影响情况 - 韩国设备企业SEMES、Jusung Engineering等因三星和海力士推迟NAND项目导致订单明显下滑 [15] - 全球设备巨头ASML的DUV设备出货承压，TEL在薄膜沉积和刻蚀领域订单推迟，应用材料和科磊因高层数NAND需求骤降调低出货预期 [16] - 设备厂商转向逻辑芯片与HBM/DRAM设备，转换投资模式普及带动二手设备市场增长 [17] 技术挑战与未来机遇 - NAND堆叠层数逼近400层极限，面临工艺难度、良率问题和成本控制瓶颈 [19] - 智能手机出货增长乏力且PC换机周期拉长，传统移动NAND需求承压，资本向HBM与DDR5倾斜 [19] - 潜在突破点包括混合键合技术和>400层堆叠工艺成熟，以及HBF（高带宽闪存）标准化合作（如Sandisk与SK海力士） [20] - AI训练、边缘计算和大容量SSD等场景可能为NAND带来新增长机会 [19][20]