混合键合技术概述 - 混合键合技术已在长江存储、KIOXIA和西部数据等3D NAND制造商中广泛应用，长江存储将其命名为Xtacking，KIOXIA/西部数据将其命名为CBA [1] 混合键合技术的优势与应用 - 该技术将存储器阵列和外围电路分别在不同晶圆上制造，再通过数百万对小间距金属通孔键合，能显著提高存储密度和I/O速度 [2] - 美光、三星和SK海力士的当前NAND器件将很快转向混合键合结构，未来该技术还可用于DRAM微缩及先进HBM器件 [2] HBM技术发展面临的物理限制 - 根据JEDEC标准，HBM3之前模块高度为720µm，HBM3E及以上为775µm，此标准限制了模块高度的增加 [3] - 随着堆叠芯片数量从8或12个增至16、20甚至24个，模块高度相应增加，但JEDEC标准无法放宽 [3] HBM堆叠的尺寸微缩解决方案 - 目前HBM3器件的DRAM芯片厚度为55µm，8芯片堆叠的微凸块高度为14.5µm [8] - 在AMD MI300X的12芯片堆叠HBM3器件中，芯片厚度已减至37µm以符合JEDEC标准 [8] - 未来若芯片厚度减至20µm并采用混合键合等无间隙结构，16、20甚至24堆栈可用于775µm外形尺寸的HBM模块 [8] - 16Hi结构可使用当前MR-MUF或TC-NCF技术，但20Hi或24Hi HBM因堆叠高度、I/O密度和热管理限制，应采用混合键合技术 [8] HBM制造商的技术开发现状与挑战 - HBM芯片制造商正在开发混合键合技术，面临的挑战包括成本、缺陷、翘曲、材料、产量、对准、工艺温度、吞吐量及更紧凑的TSV/HB焊盘间距 [8]

业绩表现与行业差距 - 中芯国际上半年营收达320亿元人民币[1] - 台积电同期营收为4258亿元人民币 两者差距达12倍[1][3] 技术瓶颈与设备限制 - 高端芯片制造依赖EUV光刻机 该设备仅荷兰ASML能生产[3] - 台积电凭借EUV设备获得全球90%高端芯片订单 其四分之三利润来自高端芯片[3] - 中国大陆企业受《瓦森纳条约》和美日荷协议限制 无法获取EUV设备及零件[5] - 中芯国际被迫专注于14纳米以上成熟工艺芯片 该领域价格较低且利润较薄[5] 光刻机技术复杂度 - EUV光刻机包含10万个精密零部件 涉及全球上千家供应商[7] - 核心技术由美国英特尔和AMD主导开发 ASML专利占比仅2.63%[7] - 全球EUV专利分布:日本45% 美国30% 德国9% 中国3.54%[7] 国产化突破进展 - 中国预计三五年内实现自主EUV光刻机突破[7] - 采用DUV光刻机结合芯片堆叠技术已实现7纳米芯片制造[10] - 华为麒麟9000S/9010芯片和昇腾910B处理器已实现商用[10] - 长江存储计划2023年下半年推出100%国产化芯片[12] 产业链本土化成果 - 设计软件由华大九天实现国产化[12] - 芯片设计由华为海思和阿里平头哥完成突破[12] - 芯片制造由中芯国际实现自主可控[12] - 封装技术达到3纳米水平（长电科技）[12] 战略布局与发展规划 - 中国正加速扩张成熟工艺产能 目标2030年成为全球最大成熟工艺制造基地[9] - 通过成熟工艺市场积累和技术迭代实现产业升级[9][10] - 完整国产芯片产业链已实现全线贯通[12]