行业核心观点 - AI驱动的内存需求可能延长当前内存周期，因制造商增产速度难以跟上需求[1] - HBM生产占用大量DRAM产能，导致传统DRAM供应紧张，支撑价格与利润[2][9] - 尽管制造商积极扩产，但设备交付周期长及产能向HBM转移，使DRAM供应增长落后于需求[11] - 行业需关注DRAM供应增长何时超过需求，在此之前内存景气周期可能持续[12] 行业需求与产能结构 - HBM在2027年可能消耗三大内存制造商约30%的DRAM产能，但仅占其内存位元产量的13%[2] - AI服务器对服务器DRAM需求增加，进一步挤压传统DRAM的制造产能[2] - TrendForce预计2027年DRAM位元供应量增长约24%，但新工厂与先进制程的产能可能仍不足以满足需求[3] - 2026年第一季度，传统服务器DRAM的盈利能力已超过HBM，因DRAM价格涨幅更快而HBM受长期合同锁定[9] 主要公司财务表现 - 美光科技(MU)2026财年第三季度营收同比增长约346%至415亿美元，非GAAP毛利率达84.9%[6] - SK海力士(SKHY)2026财年第二季度营收同比增长257%，营业利润同比增长557%[8] - 三星电子(SSNLF)在2026年第一季度保持全球最大服务器DRAM供应商地位，市场份额38.5%，SK海力士28.8%，美光22.4%[8] 行业扩产动态 - SK海力士近期批准383亿美元投资，用于韩国新芯片制造设施，包括HBM及其他先进DRAM产品产能[10] - 美光科技正在美国扩大DRAM制造产能[10] - 中国长鑫存储(CXMT)作为全球第四大DRAM制造商，计划将月产能从约30万片晶圆翻倍至超过60万片[11] - TrendForce预计NAND供应将在2027年下半年松动，而DRAM产能可能在2027年全年保持紧张[12]