半导体设备与光刻技术进展 - 尼康计划2027财年将晶圆对准站销售额较2024财年翻一番 该设备通过测量晶圆变形提升曝光设备套刻精度 主要面向3D堆叠和晶圆键合在NAND及逻辑芯片中的应用增长 [2] - SK海力士在DRAM生产线上全球首次采用高数值孔径极紫外线（High NA EUV）光刻系统 该系统部署于韩国利川市M16芯片制造工厂 [2] 动力电池产业动态 - LG能源与梅赛德斯-奔驰签署107GWh电池供应协议 包括欧洲市场32GWh订单（2028年8月-2035年3月）及附属公司75GWh订单（2029年7月-2037年12月） [2] - 亿纬锂能"龙泉二号"全固态电池成功下线 能量密度达300Wh/kg 体积能量密度700Wh/L 年产能规划50万颗电芯 一期60Ah产线2025年12月建成 二期100MWh产线2026年12月投产 主要面向人形机器人、低空飞行器及AI装备领域 [2]

中国AI产业发展策略 - 针对国际已达成共识且有效的技术卡点，如Transformer架构和COT技术，需集中力量进行正面突破 [1] - 在跟踪国际技术的同时，必须采用创新方式以避免长期落后 [1] 半导体领域创新方向 - 中国半导体工艺目前基本停留在7纳米节点，且将维持较长时间 [4] - 在工艺受限的情况下，应重视系统和芯片架构创新，如3D堆叠和存算一体，以缩小与国外大算力芯片的差距 [4] 端侧AI技术优势 - 端侧AI技术难度相对较低，可发挥中国研发人员众多和对应用场景理解深刻的优势 [4] - 端侧AI传统应用包括翻译、语音识别和目标检测，新兴应用包括智能驾驶、服务机器人和智能场景感知 [4] AI应用创新建议 - 中国在移动互联网时代的产业规模和应用场景创新表现突出，未来可借鉴此经验推动AI应用创新 [4] - 建议更多关注行业垂直领域AI应用，结合行业特性和需求进行定制化研发，以落地实践引领技术发展 [4]