报告行业投资评级 - 报告未明确给出对行业或公司的具体投资评级 [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][12][14][15][17][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34][35][36][37][38][39][40][41][42][43][44][45][46][47][48][49][50][51][52][53][54][55][56][57][58][59][60][61] 核心观点 - 联华电子25Q3业绩稳健，产能利用率环比提升至78%，超出指引预期，主要得益于厦门12英寸晶圆厂的贡献 [1] - 公司22nm技术平台持续获得市场认可，营收占比已超过10%，预计2026年22/28nm收入将实现双位数增长 [2][24][26][39] - 管理层指引25Q4产能利用率约为75%，2025年全年晶圆出货量预计实现低十位数百分比增长，并对2026年全年晶圆出货量持续增长抱有信心 [3][25][26][33] - 公司维持2025年资本支出指引为18亿美元，其中90%用于12英寸晶圆厂，12i P3新产能预计于2026年1月开始量产爬坡 [3][22][40] - 在先进封装领域，公司正聚焦DTC和晶圆对晶圆堆叠技术，预计相关需求将在2026年末至2027年开始放量 [35][36][48][57] 财务业绩总结 - **25Q3营收**：591.27亿新台币，同比-2.25%，环比+0.63%，环比增长主要因晶圆出货量增加 [1][20] - **25Q3毛利率**：29.8%，同比-4.0个百分点，环比+1.1个百分点，环比提升系产能利用率改善 [1][20] - **25Q3归母净利润**：149.8亿新台币，同比+3.52%，环比+68.28% [1][21] - **25Q3产能与出货**：晶圆出货量1000千片（折合12英寸），环比+1.16%；产能利用率78%，环比+2个百分点；ASP为862美元（折合8英寸），同比-9.0%，环比-6.7% [1][21] - **25Q4业绩指引**：晶圆出货量环比持平，以美元计价ASP保持稳定，毛利率预计27%-29%，产能利用率预计75% [3][25][28] 业务分项表现 - **分行业收入占比**：25Q3通讯/消费类/电脑/其他占比分别为42%/29%/12%/17%，环比变化为+1个百分点/-4个百分点/+1个百分点/+2个百分点 [2][21] - **分制程收入占比**：25Q3 40nm及以下收入占比52%，环比-3个百分点；其中22/28nm收入占比为35%，环比-5个百分点；22nm收入占比持续提升至超过10% [2][21][24] - **分地区收入占比**：25Q3 亚洲/北美/欧洲/日本收入占比分别为63%/25%/8%/4%，环比变化为-4个百分点/+5个百分点/持平/-1个百分点 [2][21] 技术与产能规划 - **技术进展**：22纳米技术平台在图像信号处理、Wi-Fi、高端智能手机显示驱动IC等领域动能强劲；55纳米BCD平台已具备商用条件，可拓展至汽车和工业领域 [24][26] - **产能扩张**：厦门12英寸晶圆厂月产能已接近3.2万片；新加坡12i P3厂按计划将于2026年1月开启量产爬坡 [3][21][40] - **先进封装**：公司正开发2.5D硅中介层方案及3D封装技术，当前2.5D封装产能维持在6000片/月，未来技术路线将以DTC为核心 [35][46][48] 行业与市场数据 - **电子行业规模**：股票家数512只，占比9.9%；总市值13244.6十亿元，占比12.5%；流通市值11816.7十亿元，占比12.3% [4] - **电子行业指数表现**：近1月绝对表现-4.5%，相对表现-4.0%；近6月绝对表现43.1%，相对表现20.6%；近12月绝对表现51.2%，相对表现34.1% [6]

文章核心观点 - 半导体刻蚀设备用量和重要性将显著提升 主要受光刻多重图案化路线采用 三维堆叠存储和近存计算需求 以及晶体管结构升级三大技术趋势推动 [1][2] - 长期看半导体设备国产化方向明确 短期2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对平淡 但随国内头部存储厂商新一期项目启动及先进逻辑厂商扩产力度加大 半导体设备有望进入新一轮快速增长期 [1] 技术趋势推动刻蚀设备需求 光刻多重图案化 - EUV光刻技术路线受限 DUV多重图案化成为国产突围关键 带动刻蚀设备用量成倍提升 [3] - 自对准四重图案化(SAQP)方案需要4次刻蚀和2次光刻完成精细图案 DUV方案下刻蚀设备使用步骤增加至EUV方案的4倍 刻蚀设备用量提升至4倍 [3] 三维堆叠存储和近存计算 - 3D NAND为提升存储密度将存储单元垂直堆叠 主流产品超200层 未来向1000层迈进 DRAM未来也有类似3D堆叠技术路线 [4] - 从32层提高到128层过程中 刻蚀设备用量占比从35%提升至48% 随层数增加需要更高深宽比刻蚀设备 232层3D NAND采用60:1深宽比刻蚀设备 后续90:1刻蚀技术有望用于3XX层及更高层数3D NAND量产 [4] - AI训练和推理对存储带宽需求提升 衍生HBM+CoWoS CUBE等近存计算方案 需要TSV工艺实现3D连接 TSV工艺中刻蚀和填充设备占比接近70% 进一步增加刻蚀设备需求 [4] 晶体管结构升级 - GAAFET是接替FinFET的下一代晶体管技术 台积电2025年在2nm导入该技术 国内预计将迭代跟进 [5] - GAA相比FinFET刻蚀工艺用量显著增加 FinFET有5道步骤涉及刻蚀工艺 GAA晶体管有9道步骤涉及刻蚀工艺 增量步骤主要来自纳米线结构形成 [5] - 刻蚀设备在先进制程中用量占比从FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35% 单台设备价值量同比增长12% [5] - GAA晶体管新增高选择性SiGe各向同性刻蚀需求 主流采用原子层刻蚀(ALE)方式完成 国内厂商已进行相关研发布局 有望应用于3nm及以下GAA结构 纳米片结构等高精度逻辑芯片刻蚀 [5] 投资建议 - 建议重点关注半导体刻蚀设备以及相关配套设备及零部件环节 [1]

半导体设备与光刻技术进展 - 尼康计划2027财年将晶圆对准站销售额较2024财年翻一番 该设备通过测量晶圆变形提升曝光设备套刻精度 主要面向3D堆叠和晶圆键合在NAND及逻辑芯片中的应用增长 [2] - SK海力士在DRAM生产线上全球首次采用高数值孔径极紫外线（High NA EUV）光刻系统 该系统部署于韩国利川市M16芯片制造工厂 [2] 动力电池产业动态 - LG能源与梅赛德斯-奔驰签署107GWh电池供应协议 包括欧洲市场32GWh订单（2028年8月-2035年3月）及附属公司75GWh订单（2029年7月-2037年12月） [2] - 亿纬锂能"龙泉二号"全固态电池成功下线 能量密度达300Wh/kg 体积能量密度700Wh/L 年产能规划50万颗电芯 一期60Ah产线2025年12月建成 二期100MWh产线2026年12月投产 主要面向人形机器人、低空飞行器及AI装备领域 [2]

中国AI产业发展策略 - 针对国际已达成共识且有效的技术卡点，如Transformer架构和COT技术，需集中力量进行正面突破 [1] - 在跟踪国际技术的同时，必须采用创新方式以避免长期落后 [1] 半导体领域创新方向 - 中国半导体工艺目前基本停留在7纳米节点，且将维持较长时间 [4] - 在工艺受限的情况下，应重视系统和芯片架构创新，如3D堆叠和存算一体，以缩小与国外大算力芯片的差距 [4] 端侧AI技术优势 - 端侧AI技术难度相对较低，可发挥中国研发人员众多和对应用场景理解深刻的优势 [4] - 端侧AI传统应用包括翻译、语音识别和目标检测，新兴应用包括智能驾驶、服务机器人和智能场景感知 [4] AI应用创新建议 - 中国在移动互联网时代的产业规模和应用场景创新表现突出，未来可借鉴此经验推动AI应用创新 [4] - 建议更多关注行业垂直领域AI应用，结合行业特性和需求进行定制化研发，以落地实践引领技术发展 [4]