中国大陆半导体制造产能布局 - 长三角集群总产能达91.7万片/月，占全国42.10%，覆盖上海、合肥、苏州等城市，主导技术包括全制程（14nm-250nm）、功率器件和MRAM新兴存储[6] - 环渤海集群总产能40.4万片/月，占比18.60%，以北京、大连为核心，聚焦14nm先进逻辑、MEMS、SiC碳化硅及存储芯片[6] - 中西部集群产能40.4万片/月，占比18.60%，重点布局西安、武汉，专注NAND存储、军工特种芯片和功率器件[6] - 珠三角集群产能23.3万片/月，占比10.70%，覆盖深圳、广州，主要生产成熟制程（28nm-180nm）及车规功率器件[6] - 厦门及周边集群产能18.9万片/月，占比8.70%，侧重车规MCU、DRAM、NOR Flash和封装配套晶圆[6] 主要企业产能与技术规划 - 长鑫存储武汉Fab2计划2026年投产，月产能8万片，采用19nm工艺生产LPDDR4/5，目标市场为智能手机内存和AI服务器[3] - 中芯京城北京Fab1规划2026年产能达5万片/月，布局14nm试产及28nm工艺，聚焦高端手机SoC和AI加速芯片[3] - 台积电南京Fab16预计2026年产能提升至12万片/月，延续28nm技术，服务国内手机SoC和车规MCU需求[3] - 三星西安FabS2计划2027年月产能达18万片，生产128层3D NAND，供应消费级SSD和移动存储[4] - 华润微无锡Fab2瞄准2027年投产，月产能4万片，主攻40nm SiC MOSFET工艺，用于储能系统[3] 细分领域技术突破 - 功率半导体成重点方向，华润微、士兰微等企业扩产IGBT和SiC器件，适配新能源汽车和光伏逆变器需求[3] - 存储芯片多路径发展，长江存储聚焦企业级SSD，长鑫存储扩产DDR5，时代芯存探索MRAM非易失存储[3][5] - 特色工艺持续升级，赛微电子北京Fab1专注MEMS惯性传感器，中科晶芯布局SiC外延片和功率器件[5] - 成熟制程产能集中释放，合肥晶合、联芯集成等企业扩产28nm-90nm工艺，覆盖车规MCU、工业控制等应用[3][4]