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芯片需要新材料
半导体行业观察· 2025-03-28 09:00
斯坦福大学的研究人员在埃里克·波普实验室的阿西尔·因蒂萨尔·汗的带领下,一直在试验一种厚度 缩小到约 1.5 纳米的新型薄膜。他们发现,随着薄膜变薄,其导电性会增加,这与铜的行为正好相 反。 他们从蓝宝石基板开始,然后涂上一层铌(Nb) 种子层。他们尝试了不同厚度的 Nb 层,从 4 纳米到 1.4 纳米。当通过简单的溅射工艺沉积时,该层有助于下一层磷化铌 (NbP) 形成多晶膜。他们制作 了厚度从 1.5 纳米到 80 纳米的 NbP 膜并对其进行了测试。虽然 NbP 层是无定形的,但它也在该无 定形基质内包含纳米晶体。重要的是,无论底层 Nb 种子层的厚度如何,这些晶体都会形成。 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容 编译自 IEEE ,谢谢。 如果你需要将电子从一处移动到另一处,那么就需要用到铜。这种常见元素是一种极好的导体,很 容易制成电线和电路板走线。但当电子变小时,情况就变了:纳米级的电子非常非常小。同样的铜 显示出越来越大的电阻,这意味着更多的电信号会因热量而损失。为更小、更密集的设备供电可能 需要更多的能量,这与你对微型电子产品的要求正好相反。 由此产生的 NbP 超薄膜具有非 ...