公司扩产计划 - 英诺赛科将提升8英寸氮化镓产能，预计年底从1.3万片/月扩至2万片/月 [1] - 公司计划未来五年内将产能提升到7万片/月 [1] - 英诺赛科是目前实现大规模量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM） [1] 产品与技术优势 - 公司产品覆盖晶圆制造、分立器件、智能氮化镓IC、驱动控制芯片和氮化镓功率模块 [1] - 氮化镓在充电器和其他消费电子产品中的占比越来越高 [1] - 氮化镓凭借高效能和小体积，在电池双向电能转换、光伏光储互补、数据中心功率密度提升领域发挥重要作用 [1] - 公司预计未来几年内通过产能提升和产品迭代，能在性能和成本上对传统硅功率半导体形成显著优势，为客户带来高达40%的性能提升和30%的收益 [2] 行业动态与竞争格局 - 英诺赛科扩产时间点恰逢台积电退出氮化镓代工业务 [1] - 英飞凌宣布在300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供 [1] - 根据Yole Group预测，到2030年GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元 [2] 技术路线与商业化进程 - 相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆的芯片产出数增加2.3倍，但要维持稳定良率并不容易 [2] - 公司强调目前世界上还没有可以量产12寸MOCVD设备，将聚焦8英寸产线工程化成熟度 [2] - 英诺赛科预计12英寸技术到2030年才能实现商业化 [2] - 公司表示需要陪伴客户3-5年时间才能看到成果 [2]