环绕栅极(GAA)结构

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2nm争夺战,打响!
半导体芯闻· 2025-05-13 19:09
三星电子代工业务进展 - 三星电子代工事业部正与英伟达、高通等客户进行2nm制程评估 以争取订单 目前2nm良率已超过40% [1] - 公司首次采用GAA结构的3nm制程良率趋于稳定(超过60%) 为2nm技术奠定基础 2nm在保留GAA同时优化了3nm技术 [2] - 三星在3nm制程早期因良率问题导致Exynos 2500项目搁浅 但相关经验助力2nm制程开发 [2] 技术竞争格局 - 三星是全球首个在3nm代工中引入GAA技术的企业 该技术通过四面包裹电流通道减少漏电并提升性能 传统FinFET仅包裹三面 [1] - 台积电已获得苹果AP和英伟达AI加速器订单 其3nm以下先进制程营收占比超22% 2nm良率超60% 需求远超3nm [2][3] - 台积电计划在美国亚利桑那州工厂量产2nm 已启动苹果AP生产 AMD下一代AI加速器也将采用该工艺 [3] 客户合作动态 - 高通拟与三星合作生产手机Snapdragon AP 英伟达推进GPU量产 两家公司同时与台积电合作以实现供应链多元化 [2] - 行业分析指出 地缘政治风险促使科技巨头减少对台积电单一依赖 三星近期良率改善获得客户积极评估 [2] - 三星正通过Exynos 2600量产提升良率 并加速2nm客户多元化以缩小与台积电差距 [1][2]