台积电中科1.4纳米新厂投资与规划 - 台积电中科1.4纳米先进制程新厂于5日启动基桩工程，总投资规模预估高达1.5兆元 [1] - 该厂预计2027年底前完成风险性试产，2028年下半年实现量产，营业额可望超过5,000亿元 [1] A14（1.4纳米）制程技术性能 - A14是全新工艺节点，采用第二代环栅（GAA）纳米片晶体管和NanoFlex Pro技术，相比N2工艺在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30% [3][5] - 新制程逻辑密度是芯片整体密度的1.23倍，或至少1.2倍（对于混合设计），晶体管密度提高20%至23% [3][5] - A14工艺计划于2028年量产，初期不具备背面供电功能，配备背面供电功能的版本计划于2029年推出 [3][11] A14技术定位与比较 - 与A16等工艺不同，A14缺少背面供电网络，使其更适合无需密集电源布线的客户端、边缘和特殊应用 [8] - A14系列未来预计将推出高性能版本（A14X）和成本优化版本（A14C） [11] - A14的NanoFlex Pro架构使芯片设计人员能精细调整晶体管配置，以实现最佳的功耗、性能和面积 [12]

台积电A14（1.4纳米）制程工厂建设进展 - 台积电中科二期A14新厂已于10月17日向中科管理局申报开工，即将展开1.4纳米制程生产线的初步建设，规划建立四座厂房 [2] - 首座厂房预计2028年下半年量产，初期投入金额预计高达490亿美元（约合新台币1.5兆元），将带动8,000至1万个工作机会 [2] - 台积电已完成厂房基桩工程招标，预计11月5日开工，后续建厂发包作业正展开，距离实质动工已进入倒数阶段 [2] 制程技术规划变更与布局 - 台积电中科A14厂原申请为2纳米制程，但因征地时程递延，已将2纳米制程转移至高雄厂生产，中科厂更新为规划1.4纳米最先进制程 [2] - 中科A14厂为台积电中科扩建二期园区首座新建厂，计画代号“晶圆25厂”，第一期已取得三张建照，将兴建主生产晶圆厂、供应设备厂及办公大楼 [3] - 随着高雄厂接近完工，中科A14厂可望紧接着建厂，工程推进速度可期 [3] A14制程技术性能与优势 - 与N2（2纳米）工艺相比，A14制程在相同功耗和复杂度下可实现10%至15%的性能提升，在相同频率和晶体管数量下功耗降低25%至30% [7] - A14制程的逻辑密度是芯片整体密度的1.23倍，或至少是1.2倍（对于混合设计而言） [5] - 该制程采用台积电第二代环栅（GAA）纳米片晶体管，并借助NanoFlex Pro技术提供设计灵活性 [4][7] A14制程量产时间线与版本规划 - 台积电预计A14将于2028年量产，但初期版本不具备背面供电功能 [4] - 配备背面供电功能的A14版本计划于2029年推出，预计将被命名为A14P [12] - 首座A14厂将赶在2027年底前完成风险性试产，2028年下半年量产，新厂初估营业额可望超过5,000亿元 [2][13] A14技术架构与比较 - A14采用第二代GAA纳米片晶体管和正面供电网络，而A16工艺则采用超强电源轨背面供电网络 [8][9] - 与N2工艺相比，A14在性能上提升10%-15%，功耗降低25%-30%，密度提高至1.2倍 [8] - 许多客户端、边缘和特殊应用可利用A14第二代GAA晶体管带来的性能、功耗和密度优势，而无需背面供电网络的额外成本 [9]