韩国一篇行业报道在全球市场引发连锁反应，将高带宽存储芯片供应前景的隐忧推至台前。 据韩国媒体23日报道，SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张节奏，并将资 源重新倾斜至通用型DRAM市场。 这一消息成为触发存储股大幅回调的导火索。彭博社与CNBC均援引消息称，"交易员将矛头指向一篇 韩国媒体报道——SK海力士正在放缓AI存储芯片扩产，并将重心转回通用型DRAM"。 由于存储股约占韩国综合指数（KOSPI）权重的60%，韩国股市随即暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐 慌情绪随后向全球市场蔓延。 报道援引一名熟悉SK海力士内部情况的人士表示，鉴于英伟达下一代芯片"Rubin"的生产预测持续下 调，该公司管理层已无必要加速推进向HBM4的产线转换。此番表态令市场对高端AI基础设施的需求前 景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力。 韩国媒体报道的核心逻辑在于存储市场内部的盈利结构变化。 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反 而占据优势。大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%。 在此背景下，SK海力士据报正延迟将 ...

文章核心观点 - 一篇关于SK海力士放缓HBM4扩产并转向通用DRAM的韩国行业报道，引发了全球存储股及股市的连锁下跌，并引发市场对高端AI基础设施需求前景的担忧[1] SK海力士的战略调整 - SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张节奏，并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场[1] - 公司延迟将部分HBM3E产线转换为HBM4的计划，转而加大对通用DRAM市场的供应响应能力[2] - 公司在一季度财报中披露，DRAM平均售价已升至60%中段水平，并与微软签署了一份为期三年的DDR5供应合同[2] 战略调整背后的市场与盈利动因 - 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反而占据优势[2] - 大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%[2] - 公司管理层需正视竞争对手三星电子已通过通用DRAM获取丰厚利润的现实[2] 市场影响与连锁反应 - 该消息触发韩国存储股大幅回调，由于存储股约占韩国综合指数（KOSPI）权重的60%，韩国股市随即暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐慌情绪向全球市场蔓延[1] - 周二美股盘中，美光下跌13%，西部数据下跌8.4%[1] - 市场对高端AI基础设施的需求前景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力[1] 华尔街观点与行业展望 - 高盛认为，SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够[3] - 摩根士丹利将整体存储价格周期视为SK海力士估值的核心驱动因素，并基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测，将盈利预测上调56%至63%[3] - 若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的HBM市场份额或从去年四季度的57%逐步收窄至50%至60%区间[3] 对高端AI供应链的潜在影响 - SK海力士知情人士提及，英伟达下一代“Rubin”芯片的生产预测正在下调，这直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期[4][5] - 搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压[5] - 此次动向折射出投资者对高端AI基础设施建设节奏的深层担忧[4]