Rapidus 2nm GAA工艺及封装技术进展 - 公司在2025年日本半导体展上首次公开展示了其位于北海道千岁市IIM研发制造中心生产的2nm GAA晶体管原型和600mm方形RDL中介层面板原型[2] - 公司于2025年6月16日首次将晶圆装载到IIM的前端试验线，并于同月28日完成首个2nm GAA晶体管原型并确认运行正常[2] - 与约2008年的尖端40nm平面晶体管相比，2nm GAA晶体管的功耗可降低约二十分之一；与约2018年的尖端7nm FinFET相比，功耗可降低约四分之一[2] Rapidus 先进封装技术发展 - 公司正在开发用于芯片封装的600mm方形RDL中介层面板，使82mm见方的中介层数量从300mm晶圆上的4个增加到面板上的49个，增长超过十倍[2] - RDL中介层制造过程包括在玻璃载体上形成布线、嵌入桥接芯片、形成上层布线、连接支柱、树脂密封、抛光及安装逻辑与存储芯片等多道工序[3] - 公司计划于2027年开始大规模生产前端工艺，并于2027年下半年至2028年上半年开始大规模生产后端工艺[3]

富士通对Rapidus的参与与供应链策略 - 富士通社长时田贵人表示增加尖端半导体供应源对确保供应链稳定性极为有益，公司将继续采购用于AI技术的尖端半导体 [1] - 富士通计划投资Rapidus但未公开具体参与形式，同时认可日本政府将Rapidus纳入产业政策的举措 [1] - 富士通开发的2纳米CPU"MONAKA"基于ARM设计，计划2027年投入实际使用，应用于AI和数据中心领域 [1] - 富士通超级计算机"富岳"的后继机型计划搭载性能高于"MONAKA"的CPU [1] - 目前富士通CPU制造外包给台积电，未来可能考虑Rapidus以稳定供应链 [2] Rapidus的2纳米芯片技术进展 - Rapidus宣布2纳米逻辑芯片进入试生产阶段，采用GAA（环绕栅极）结构实现超精细精度 [3] - Rapidus派遣约150名经验丰富的工程师赴IBM纽约研发基地学习GAA技术，部分人员已回国启动试生产 [3] - 试生产线配备200多台全新设备，包括日本未量产过的EUV光刻系统 [3] - Rapidus工程师在纽约和比利时IMEC研究EUV技术，但仍面临3D晶体管结构开发等挑战 [4] Rapidus的创新商业模式与人才优势 - Rapidus采用单晶圆处理捕获大量生产数据，并通过整合开发/设计、预处理和后处理流程缩短交付周期 [5] - 公司计划利用AI快速分析生产数据并反馈给设计公司，预计开发速度比当前快2-3倍 [5] - Rapidus拥有700名员工，包括80-90年代日本半导体巅峰期的资深工程师，具备量产技术经验 [6] - 公司认为日本制造业根基深厚，其成功将带动全行业振兴，因芯片是各领域核心组件 [6]