财务数据和关键指标变化 - 第四季度营收为730万美元，达到指引区间的高端，但环比第三季度的1010万美元有所下降[24] - 第四季度非GAAP毛利率为3870万美元，环比持平，但毛利率百分比因营收下降而承压[26] - 第四季度运营亏损为1210万美元，略高于第三季度的1150万美元，因运营费用下降未能完全抵消营收下滑[28] - 2025年全年营收为4590万美元，低于2024年的8330万美元，全年运营亏损为4600万美元，略好于2024年的4970万美元[28] - 第一季度（2026年）营收指引为800万至850万美元，预计将实现环比增长，毛利率指引为38.7% ±25个基点[31] - 公司预计2026年全年将实现持续的季度环比营收增长，并推动毛利率逐步扩张[21][31] - 第四季度末现金及现金等价物约为2.37亿美元，其中包括2025年11月私募融资获得的约9600万美元净收益，公司无负债[21][29][30] - 应收账款从第三季度的980万美元降至360万美元，库存从1470万美元降至1330万美元，应收账款周转天数降至45天[29] 各条业务线数据和关键指标变化 - 公司正加速从历史性的移动和低端消费业务转向高功率市场[5][6] - 第四季度，高功率市场营收首次占总营收的大部分，而移动业务营收占比从第三季度的大部分降至不足25%[9][24] - 公司预计移动业务在季度营收中的占比将持续下降，并在2026年底前变得微不足道[9] - 高功率市场聚焦于四个高增长、高价值细分市场：AI数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算和工业电气化[6] - 到2030年，这四个目标市场的总可服务市场规模预计为35亿美元，氮化镓和高电压碳化硅各占约一半，复合年增长率超过60%[6] 各个市场数据和关键指标变化 - **AI数据中心**：公司定位为氮化镓和高电压碳化硅领域的领导者之一，支持所有主要的AI数据中心架构[12] 正在加速针对AI数据中心、800V HVDC和48V IBC HV降压架构的100V和650V氮化镓产品及解决方案的送样，目前有超过12家客户正在评估[12] 最新发布的10千瓦全氮化镓DC-DC设计平台实现了98.5%的峰值效率，支持AI数据中心的±400 VDC标准[13] 同时，公司也在利用最新的1.2 kV碳化硅器件支持客户当前的AI数据中心AC-DC电源设计[14] - **电网与能源基础设施**：电网正在经历重大转型和现代化[14] 公司正在用新的超高电压2.3 kV和3.3 kV碳化硅模块引领这一进程，目前正在与全球超过50家原始设备制造商进行评估，主要在美国和欧洲，其中美国市场加速显著[16] - **高性能计算**：在高功率充电器和高端计算/AI笔记本的电源单元中，氮化镓取代硅的采用率持续增加，公司有超过15个项目已投产，另有约两倍数量的项目在设计阶段，功率范围覆盖170W至360W[16] - **工业电气化**：在工业泵和AV设备电气化等高性能应用中，开始看到氮化镓和高电压碳化硅的吸引力[17] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司战略转型为“Navitas 2.0”，核心是成为一家专注于高功率市场的公司，战略支柱包括：市场聚焦、技术领先、运营效率和财务纪律[11] - **市场聚焦**：明确聚焦于四个高功率市场，并已完成整个组织（技能和地域）的重组以应对这些市场[9][11] - **技术领先**：持续优先发展氮化镓和高电压碳化硅技术创新，包括产品和解决方案[17] 关键成果包括10千瓦DC-DC平台和2.3kV/3.3kV超高电压碳化硅模块组合[13][17] 最新第六代GeneSiC碳化硅技术提供了更优的品质因数和顶级热性能[14] - **运营效率**：已采取行动创建更精简、地域重新平衡的组织[18] 与格芯达成长期战略技术和制造合作伙伴关系，以加速美国境内的氮化镓技术设计和制造[19] 将分销渠道合作伙伴从约40家大幅整合至不到10家[20] - **财务纪律**：包括在第四季度进行有针对性的19%裁员，同时在美国招聘适应高功率市场的新员工[20] 目标是在未来一年保持运营费用基本持平，并通过提高高功率业务的规模和改善产品组合来推动毛利率扩张[21] - **行业竞争与定位**：在AI数据中心800V架构中，公司主要与英飞凌等同时拥有高压氮化镓和碳化硅技术的厂商竞争[60][78] 公司强调其独特定位在于同时拥有高压/中压氮化镓以及高压/超高压碳化硅产品组合，不参与硅基产品竞争[61][63] 与英飞凌存在交叉许可和合作关系，共同推动氮化镓和碳化硅在AI数据中心的采用[60][78] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI是公司所有四个目标高功率市场的主要催化剂，正在推动基础设施重构、客户期望和技术采用的快速加速[7][10] - 市场正在经历结构性变化，AI正在引发一场革命，而架构、设计和技术采用的即将到来的拐点对氮化镓和高电压碳化硅极为有利[10][11] - 现有技术和架构已不再足够，行业在技术采用方面正以空前速度发展，客户正明确转向采用氮化镓和高电压碳化硅技术[10] - 电网和能源基础设施的转型是一个长达数十年的结构性、可持续趋势，而不仅仅是短期周期[14][15] - 管理层相信第四季度是营收的底部，预计从第一季度开始恢复营收环比增长，并在2026年持续增长[9][22][29] - 对公司的战略、发展势头以及持续为股东创造长期价值的能力充满信心[34] 其他重要信息 - 公司宣布与格芯达成长期战略技术和制造合作伙伴关系，旨在加速美国境内的氮化镓技术设计和制造，生产预计将在今年晚些时候开始，2027年加速，未来计划转向8英寸晶圆以降低成本和扩大规模[19] - 首席财务官Todd Glickman已决定离职寻求其他机会，公司预计将在未来几周内宣布新任首席财务官[33] - 第四季度GAAP业绩中包含1660万美元的重组和减值费用，其中约1000万美元为分销合同终止费用，400万美元为固定资产减值，200万美元为与组织重组相关的裁员费用，其中380万美元为非现金项目[26] 总结问答环节所有的提问和回答 问题: 各个高功率终端市场在第四季度的表现如何？第一季度这些市场的轨迹应如何看待？[36] - 管理层表示，季度环比营收增长得益于高功率市场，表现良好，但未按细分市场拆分[36] 预计随着移动业务变得无关紧要，所有高功率市场都将在未来继续表现[37] 问题: 800V架构机会的进展如何？客户决策的时间线大概是怎样的？[38] - 公司正在与多家超大规模客户合作，已针对此类架构进行了新产品送样，并发布了领先的800V至50V DC-DC电源砖以展示性能[38] 确认合作仍在继续，目前确定具体时间还为时过早，但正与客户越来越接近[39] 管理层补充，AI数据中心增长有两条路径：一是使用碳化硅的传统AC-DC架构需求在800V HVDC之前就会增长；二是800V HVDC架构的拐点与机架架构变更（向兆瓦级机架发展）相关，预计与2027年的GPU集成度提升有关[41][46][47] 问题: 公司与超大规模客户的合作模式是直接合作，还是通过电源供应商间接合作？[43] - 合作模式包括所有上述方式，超大规模客户驱动新架构，公司同时与这些客户、为其服务的OEM/ODM以及传统的商用电源公司合作[43] 公司发布的参考设计板是与客户共同开发的，旨在展示性能并加速采用[44] 问题: 在800V数据中心的供应上，面临的竞争格局如何？与英飞凌的合作关系如何演变？[59] - 公司继续与英飞凌保持合作伙伴关系，拥有交叉许可，并共享推动氮化镓和碳化硅在AI数据中心采用的一致愿景[60] 竞争方面，虽然有多家厂商被列入生态系统，但并非所有厂商都拥有适用于800V HVDC的高压氮化镓或中压氮化镓技术，有些是硅基供应商[61] 公司的竞争池实际上在缩小，因为其专注于氮化镓和高压碳化硅，而不参与硅基竞争[63] 问题: 800V数据中心产品或高功率产品整体的增量利润率如何？随着新供应商的引入有何变化？[64] - 毛利率扩张将来自多个方面：营收规模增长有助于吸收固定成本；高功率产品利润率高于移动业务，产品组合改善；公司正在积极引入新的封装供应商以降低成本[64] 问题: 长期毛利率展望的驱动因素更多是终端市场组合，还是技术创新带来的更高产品均价？[67] - 毛利率扩张将是多种因素的结合：终端产品组合（高功率市场利润率更高）；随着规模扩大、新产品的工艺、良率和封装成本优化，产品成本下降，从而推高毛利率[68] 增长将来自所有高功率市场，AI数据中心是重要部分，但高性能计算和电网基础设施也将贡献增长和利润率提升[69][70] 问题: 碳化硅行业在汽车和工业市场经历了显著供过于求，公司对此供需平衡的预期如何？[72] - 管理层认为，对于专注于电动汽车的碳化硅供应商来说，这是一个合理的问题，但公司不参与同一领域的竞争[73] 公司专注于用于AI数据中心PSU的1.2 kV碳化硅和用于电网的2 kV及以上超高压碳化硅，这更多关乎技术可靠性和性能，而非供应规模[73][74] 问题: 在AI数据中心机会中，有多少是得益于与英飞凌的合作？机架内不同电源位置（如负载点与800V降压）的胜利是否存在交叉协同效应？[77] - 公司与英飞凌是合作伙伴关系，但并非依赖英飞凌，双方经常因相似的产品组合和客户群而竞争或并行[78] 关于产品组合扩展，公司目前专注于执行现有和刚发布的产品，但未来会考虑在更高电压下所需的电路保护等机会[79][80] 问题: 毛利率开始获得规模杠杆效应的营收临界点大概是多少？此时的利润率变化轨迹如何？[81] - 随着产品组合改变，毛利率将增长，但目前仍受规模问题制约[81] 预计毛利率将从第二季度及以后开始扩张，目前正处于临界点[81] 管理层强调，高功率产品利润率更高，移动业务占比下降，新产品和成本降低将共同推动毛利率扩张，效果将在不久后清晰显现[83] 问题: 高压碳化硅在固态变压器等电网重构中的机会如何？设计进程和单机价值量如何？[86] - 电网重构对于实现AI数据中心变革至关重要，公司正在加速2.3 kV和3.3 kV碳化硅模块的送样，应用包括固态变压器、电池储能系统、兆瓦级充电站等[88] 设计周期较长，但预计2027年将开始显著营收增长[89] 根据之前的可服务市场分析，电网基础设施（固态变压器、电池储能系统等）的潜在单机价值量约为每兆瓦10,000-12,000美元，占公司总可服务市场价值量（25,000-35,000美元/兆瓦）的相当一部分[89] 电网转型是长达数十年的过程，将驱动电压持续升高[90]

产品发布与核心特性 - 公司于2025年12月下旬开始在美国全境进行IQ9N-3P™商用微型逆变器的生产发货 [1] - 该产品是公司首款采用氮化镓技术并专为三相480Y/277 V电网配置设计的微型逆变器，无需使用外部变压器 [1] - 产品采用氮化镓技术替代硅，实现高达97.5%的行业领先效率，并能管理16安培的连续直流电流，提供高达427 VA的峰值输出功率，支持高达600 W的大功率太阳能电池板 [2] 产品优势与市场定位 - 新产品有助于简化系统设计、降低安装和系统平衡成本，并提高480 V商用项目的系统效率 [2] - 产品满足严格的电网合规标准，并具备快速关断、相位平衡、电压/频率穿越和缺相检测等功能，以保障电网安全和系统可靠性 [3] - 微型逆变器技术可在阴影和不均匀屋顶条件下实现组件级能源生产优化，非常适合带有暖通空调障碍、天窗和多租户布局的商业屋顶 [4] 生产与合规 - 产品在美国制造，以满足国内含量要求和“受关注外国实体”合规性，帮助符合条件的商业太阳能项目满足关键的联邦采购要求，并可能获得当前国内含量奖励税收抵免 [1][7] - 带有“DOM”后缀的IQ9N-3P商用微型逆变器在美国制造设施中使用国内材料，这应能使产品符合当前的《购买美国产品法案》和《建设美国、购买美国法案》，从而可用于联邦基础设施项目 [7][8] 系统集成与支持 - 产品必须连接到IQ Gateway Commercial Pro才能正常运行，该网关作为通信和控制中心，其蜂窝套件增加了4G LTE Cat 4调制解调器，支持双SIM卡连接和自动故障转移，以保持系统在线 [6] - 产品得到行业领先的25年有限保修支持，而IQ Gateway Commercial Pro则提供15年有限保修 [8] - 通过Enphase应用程序进行每块组件的监控，可以提高系统可见性，并通过在每块组件处将直流电转换为交流电，避免了传统集中式设计中长距离高压直流线路，提供更安全的全交流屋顶架构 [5] 行业影响与公司背景 - 公司是全球领先的基于微型逆变器的太阳能和电池系统、电动汽车充电器、家庭能源管理系统和虚拟电厂解决方案供应商，已发货约8480万个微型逆变器，超过500万个基于Enphase的系统部署在160多个国家 [10]

**涉及的公司与行业** * 公司：InnoScience Technology (英诺赛科)，香港联交所上市，股票代码 2577 HK [1][11] * 行业：半导体行业，具体为氮化镓 (GaN) 功率半导体 [1][11] **核心观点与论据** * **投资建议与估值** * 研究机构首次覆盖 InnoScience，给予“买入”评级，目标价 108 港元，较当前股价有 45% 的上涨潜力 [1] * 目标价基于贴现现金流模型得出，加权平均资本成本为 10.7%，永续增长率为 3% [1][34][36] * 该目标价隐含的 2026 年预期市销增长比为 0.54 倍，与同业平均水平 0.55 倍一致 [1][34][36] * **市场地位与增长前景** * InnoScience 是全球化 GaN 功率半导体领导者，2024 年按收入计全球市场份额达 30%，位居第一 [1][17][18] * 全球 GaN 功率半导体市场规模预计将从 2024 年的 27 亿元人民币增长至 2028 年的 192 亿元人民币，复合年增长率高达 63% [2][15][16][30][52] * 增长驱动力包括电动汽车电气化、AI 数据中心电源升级以及消费电子（如快充）的渗透率提升 [2][30][52] * 公司预计 2024-2027 年收入复合年增长率将达到 72% [1][29][37] * **战略扩张与增长引擎** * **AI 数据中心**：公司与 NVIDIA 就 800V 高压直流架构达成战略合作，预计从 2027 年开始成为新增长动力 [1][3][32][37] 在 800V 高压直流架构下，GaN 单千瓦价值量可达 197 美元，是传统架构（27 美元/千瓦）的 7.3 倍 [32][146][147] * **汽车电子**：公司汽车级产品组合已覆盖车载充电器、激光雷达、电机驱动和 48V DC-DC 系统等关键领域 [3][97][98] 汽车领域 GaN 市场预计 2024-2028 年复合年增长率为 119% [52][54][107] * **人形机器人**：下一代机器人单台可能集成多达 1000 个 GaN 器件，公司正与行业领导者合作推进商业化项目 [3][112][116][117] * **盈利能力改善预期** * 公司目前处于亏损状态，主要由于高研发投入和规模经济尚未完全显现 [1][4][29][31][124] * 预计随着规模经济效应显现、制造优化以及运营杠杆改善，盈利能力将稳步提升 [1][12][31][124][134] * 预计净利率将从 2024 年的 -126.2% 改善至 2027 年的 12.1% [1][29] 并预计在 2027 年实现净利润转正 [4][27][31][124][127][128] * **竞争优势与产能扩张** * **IDM 模式**：整合设计、晶圆制造和封装，有利于成本控制和快速产品迭代 [2][11][12][154][161][164] * **产能扩张**：月产能计划从 2024 年的 1.3 万片晶圆扩大至 2028 年的 7 万片，目标在 2026 年实现 85-90% 的产能利用率 [2][161][168][169][171][172] * **客户基础**：客户数量从 2021 年的 22 家增长至 2024 年上半年的 48 家，设计获胜项目从 2021 年的 6 个增至 2024 年上半年的 244 个，并预计到 2026 年底将再增加 185 个 [30][154][161][174][175][176][177][178][179] **其他重要内容** * **财务预测关键数据** * 收入：预计从 2024 年的 8.28 亿元人民币增长至 2027 年的 41.81 亿元人民币 [4][9][181] * 毛利率：预计从 2024 年的 -19.5% 改善至 2027 年的 43.6% [9][12][129][138][181] * 每股收益：预计 2027 年转为正数，达到 0.551 元人民币 [4] * **潜在风险** * **下行风险**：产能利用率提升慢于预期影响利润、竞争加剧、IDM 模式下的执行挑战、下游 GaN 需求疲软 [1][35] prolonged capex investment cycle and delayed profitability [47] intensified competition from global and domestic players [48] volatility in downstream demand [49] technology and execution risks [50] * **上行风险**：GaN 在 AI/高性能计算和汽车领域的应用快于预期、盈利早于预期、客户拓展进展优于预期、第三代半导体政策支持 [35][43][44][45][46] * **NVIDIA 合作带来的收入上行潜力** * 敏感性分析显示，假设 2027 年 NVIDIA Rubin Ultra NVL576 出货量为 1400 台，且 InnoScience 获得其中 GaN 应用的 50% 份额，则可能为公司在 2027 年带来约 9.79 亿元人民币的增量收入，较 2026 年预期收入增长 46% [33][150][151][152]

财务数据和关键指标变化 - 第四财季营收达2.612亿美元，环比增长3.6%，同比增长30.1% [4][24] - 第四财季调整后每股收益为0.94美元，全年调整后每股收益为3.47美元，同比增长超过35% [4][24] - 全年营收达9.67亿美元，同比增长超过32% [4][24] - 全年自由现金流为1.93亿美元，期末现金及短期投资约为7.86亿美元 [4] - 第四财季订单出货比为1.0:1，全年订单出货比为1.1:1 [5][24] - 第四财季调整后毛利率为57.1%，调整后营业利润为6700万美元，环比增长5.5% [25][27] - 第四财季应收账款为1.486亿美元，存货为2.378亿美元，库存周转率降至1.9次 [30][31] - 第四财季运营现金流约为6960万美元，资本支出为2020万美元 [31] 各条业务线数据和关键指标变化 - 工业与国防业务第四财季营收为1.156亿美元，环比增长约7%，创下年度和季度记录 [5] - 数据中心业务第四财季营收为7960万美元，环比增长约5%，创下年度和季度记录 [5] - 电信业务第四财季营收为6600万美元，环比略有下降 [5] - 国防、雷达和电子战市场中，基于GaN的组件和产品营收同比增长超过50% [11] - 数据中心业务在2025财年实现50%的同比增长 [45] - 新推出的产品（上市不足三年）作为整体，其增速超过了公司整体营收增长，并对毛利率有积极贡献 [6] 各个市场数据和关键指标变化 - 按地域划分，第四财季美国客户营收占比约为43%，2025财年全年美国营收占比约为44% [24] - 低轨卫星星座市场潜力巨大，可达数亿美元规模，业务包含卫星有效载荷、地面网关和终端 [42] - 有线电视基础设施市场需求改善，公司开始获得DOCSIS 4.0产品的新订单 [15] - 数据中心市场对800G和1.6T应用需求强劲，预计200G/通道的光电探测器产品需求将显著增长 [16][17] - 公司计划在欧洲赢得更多国防和太空项目市场份额，如IRIS2 [21] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司战略是构建多元化的半导体产品组合，以获取更大的市场份额，依靠强大的组织基础、速度和敏捷性赢得机会 [23] - 2025财年推出了超过200款新产品，创下记录，并执行了众多跨三大核心市场的定制设计项目 [6] - 持续增加研发投入，招聘更多工程师，并通过收购获得互补的设计能力 [7] - 计划在未来几个月开设两个新的IC设计中心，分别位于南加州和中欧 [7] - 与HRL实验室达成协议，获得40纳米GaN-on-SiC（T3L）工艺的独家授权，以瞄准更高频率的卫星通信和国防应用 [9][10] - 将RTP Fab的150纳米GaN-on-SiC工艺升级，增加原子层沉积钝化，使其适用于机载雷达 [11][12] - 在法国拥有制造设施，有助于赢得欧洲国防承包商的市场份额 [12] - 2026财年重点包括：充分利用数据中心增长机会、扩大5G市场份额、巩固在A&D领域的领导地位、开发先进半导体技术、审慎管理资本支出 [20][21][22] - 计划在欧洲半导体中心购置并安装现代化的MOCVD外延反应器，以支持6英寸生产转型和GaN-on-Si等工艺的产量增长 [22] - 对于近期两家竞争对手的合并，公司认为对自身无直接影响，但可能带来赢得更多市场份额或招聘优秀人才的机会 [57] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 工业市场稳定并开始改善，但近期增长预期不及数据中心、国防、5G和卫星通信领域 [13] - 卫星宽带接入和直连手机机会依然强劲，有近十二家公司计划发射支持直连设备的低轨星座 [13][14] - 电信市场的两大拉动因素是5G的持续增长和卫星通信/低轨星座业务 [36] - 数据中心1.6T光学解决方案的部署将继续支持横向和纵向扩展互连，需求正在快速增长 [16] - 线性可插拔光学器件采用稳步推进，已有三家客户进入生产阶段，预计2026财年将增加更多客户 [18][43] - 公司对2026财年第一季度的营收指引为2.65亿至2.73亿美元，调整后每股收益指引为0.98至1.02美元 [33] - 预计2026财年所有终端市场都将实现环比增长，其中数据中心将引领增长（约5%），电信及工业与国防将实现低个位数环比增长 [33] - 预计通过营收增长以及因晶圆厂利用率提高和推出利润更高产品而带来的毛利率改善，2026财年将实现运营杠杆效应 [33] - 预计2026财年将实现两位数增长，最低为中等十位数百分比，增长将由数据中心业务驱动，其次是工业与国防以及电信业务 [47][48] - 10月份的订单情况是多年来最好的月份之一，公司以强劲的积压订单和良好势头开启新财年 [41] - 在高速增长的环境下，运营和供应链始终存在压力点，但团队能够很好地管理这些战术和战略问题 [49] 其他重要信息 - 公司员工总数约2000人，过去一年增长17% [24] - 第四财季研发费用为5560万美元，销售、一般及行政费用为2660万美元 [26] - 由于在季度内获得RTP Fab的控制权，折旧费用增至870万美元 [26][27] - 第四财季调整后净利息收入为660万美元 [27] - 调整后所得税率为3%，预计在2026财年将保持这一水平 [27][28] - 截至2025年10月3日，递延所得税资产（包括研发税收抵免）为2.08亿美元 [28] - 预计在未来几个季度偿还2026年3月到期的剩余1.61亿美元可转换票据本金 [32] - 预计2026财年资本支出在5000万至5500万美元之间 [32] - 200G/通道光电探测器产品的制造工艺已从较小的密歇根工厂转移到较大的马萨诸塞州工厂，以支持预测需求，后者已具备资质并正在提升量产规模 [17] 问答环节所有的提问和回答 问题: 关于电信业务前景和主要拉动因素 - 电信业务今年的两大主要拉动因素是持续增长的5G和卫星通信/低轨星座业务 [36] - 如果指的是射频相关的电信市场部分，特别是城域/长途领域，该业务持续增长，预计这一趋势将在年内延续 [36] 问题: 关于ACC（可能指特定产品线）合作进展的更新 - 公司继续与行业内的所有不同产品线进行合作，包括置于ACC产品线内的芯片组 [37] - 公司与主要超大规模云服务商有良好的合作，对该产品集的潜力感到兴奋，但通常不评论收入前的话题，成功案例会事后讨论 [37] 问题: 关于100G和200G及下一代解决方案之间的需求转换趋势 - 核心100G业务去年非常稳定且增长良好，预计2026财年100G增长趋势将继续，但巨大增长出现在更高速率（200G/通道，主要用于1.6T） [38] - 这些互连技术的部署周期尚处于早期阶段，是数据中心业务中增长最快的部分之一，预计2026财年仍将如此 [38] 问题: 关于与HRL的IP授权协议带来的能力和规模 - HRL的T3L技术补充了公司现有的GSIC 140工艺，该技术旨在在极高频率下实现卓越的高功率性能 [39] - 该技术适用于40 GHz以上的频率，将有助于服务对低轨星座越来越重要的更高频段卫星通信，引领从PHEMT GaAs技术向GaN技术的过渡 [39] - GaN放大器相比PHEMT具有几乎翻倍的功率密度和高出10个点的效率 [39] 问题: 关于推动增长加速的具体因素 - 增长首要由1.6T和800G平台在各种客户和产品中的持续部署驱动 [41] - 其他因素包括电信业务从第三财季到第四财季略有下滑后出现反弹，国防业务持续强劲，以及10月份创下多年来最佳订单月份，积压订单强劲，势头良好 [41] 问题: 关于卫星（低轨星座）业务的时间点、规模和LPO市场 - 当前低轨业务包含在报告的电信数据中，目前正在放量，预计未来12-18个月增长，市场规模可达数亿美元 [42] - 公司支持芯片级、模块级甚至子系统级，业务包括卫星有效载荷、地面网关和终端 [42] - 线性可插拔光学器件客户已从上次财报电话会议的一家增至三家且仍在增加，但难以公开市场规模估计 [43] - 线性可插拔光学器件的竞争优势在于移除了DSP，竞争格局变化显著，当前解决方案运行在100G/通道 [43] 问题: 关于积压订单是否包含数据通信产品及订单可见度 - 积压订单不按产品线或市场细分，但数据中心业务在同比增长50%后积压订单增长良好 [45] - 国防等市场通常交货期和制造周期较长，会在年初与国防客户建立积压订单，总体积压订单健康 [45] 问题: 关于RF业务的良率提升和时间安排，以及能否在计划增加30%晶圆产能前实现盈亏平衡 - 毛利率改善是全局性努力的结果，预计每季度环比改善25-50个基点 [45] - RTP Fab的整合已完成，团队表现优异，通过全公司范围的毛利提升、成本削减和良率改进来实现改善 [45] 问题: 关于2026财年各业务部门增长方向 - 公司通常不提供全年指引，但可做一般性评论 [47] - 过去六年中有四年实现两位数增长，六年复合年增长率达中等十位数百分比 [47] - 2026财年基本情景下预计至少实现中等十位数百分比的两位数增长，由数据中心业务驱动，其次是工业与国防和电信业务，预计将出现运营杠杆效应，改善营业利润和收益增长 [47][48] 问题: 关于强劲增长下是否出现产能或交期紧张 - 高速增长下运营和供应链始终存在压力点，但团队能良好管理 [49] - 例如，去年预见到200G/通道光电探测器未来24个月将强劲增长，已将生产转移至具备无限制造能力的工厂，团队正确保前后道测试产能到位，尽管有挑战但处于可控状态 [49] 问题: 关于订单出货比略高于1是否因国防业务，及各细分市场情况 - 订单出货比按市场、子市场和客户精细跟踪，每季度情况不同，长期趋势更重要，2025财年订单出货比1.1:1非常强劲，10月份开局良好，需透过噪音看本质 [51] - 业务性质决定某些市场波动性或客户订单时间安排不同，需综合看待 [51] 问题: 关于毛利率改善中RTP Fab贡献与整体产量提升的对比 - 后续不再讨论各晶圆厂毛利率，业务过于复杂，整合后变化很多（如产品组合、客户群、焦点），任何单一晶圆厂的近期表现可能具有局限性 [53] - 很大部分业务使用外部晶圆厂，这些产品线也对整体毛利率有贡献 [54] - RTP Fab整合符合预期，团队表现优异 [55] 问题: 关于竞争对手合并对竞争格局的影响 - 公司不涉足手机业务，因此不受影响，合并双方均非公司客户或供应商，无直接影响 [57] - 注意到双方都在关闭晶圆厂，可能随时间推移产生重组机会，或许能让公司赢得更多市场份额或招聘优秀人才 [57] 问题: 关于AI部署对电信（非数据中心）市场、接入和长途网络的潜在影响 - 与部署5G和研发6G的主要无线接入网络制造商关系良好，深刻了解前传网络（公司RF over fiber业务强劲） [58] - 未来代际可能更多采用光纤直连无线电，这些趋势将有助于更快传输高速数据或大数据块，公司正与客户合作跟进相关架构研究 [58] - 该趋势更可能是长期趋势，公司拥有高速、高数据率、高频技术，处于有利地位 [58] 问题: 关于工业市场表现与毛利率改善的关系 - 思考方向正确，历史上工业营收较多依赖内部晶圆厂，该市场改善有利于产能利用率和毛利率 [60] - 展望2026财年，工业领域预计有积极趋势，但国防领域更强劲的趋势将对毛利率产生顺风效应 [60] 问题: 关于数据中心终端市场的客户多元化（模块制造商、半导体供应商、云服务提供商） - 公司覆盖所有三类客户类别：模块/线缆制造商、半导体公司、云服务商/超大规模企业 [61] - 市场分为多模（短距）、单模（中长距）、城域/长途和相干，根据客户焦点，作为商用供应商提供芯片（驱动器、激光器、光电探测器、跨阻抗放大器等） [62] 问题: 关于数据中心当前强劲需求下，第一季度指引的增长率在2026财年是否可持续或能否提高 - 增长率有可能提高，公司有基本情景和最佳情景，当前指引基于更保守的基本情景 [64] - 根据模型，数据中心确实存在表现非常强劲、类似上一财年的可能性，但当前未预测这种超强增长，将根据积压订单和计划启动新财年，需求主要围绕1.6T，该领域存在某些关键技术的供应短缺，公司可成为战略伙伴 [64] 问题: 关于在800G和1.6T模块的跨阻抗放大器和驱动器方面的市场份额看法 - 公司表现良好，产品具有差异化，市场竞争激烈，每个市场份额都需凭性能、时机和价格争取 [66] - 不评论具体产品线的市场份额增减 [66]

公司动态与订单 - 公司收到来自一家主要功率半导体集成器件制造商的Propel®300系统订单，用于在300mm硅晶圆上进行氮化镓外延 [1] - 该订单巩固了公司在300mm MOCVD技术领域的领导地位 [1] 技术优势与市场意义 - 从200mm转向300mm技术能使客户每片晶圆获得的芯片数量增加23倍，并可利用现有的300mm生产线，最终降低器件成本 [2] - Propel®300系统结合了卓越的性能和全自动晶圆处理能力，提供一流的厚度和掺杂均匀性、低缺陷率和高生产率 [3] - 系统的易用性、无需原位清洁的长期运行特性有助于降低每片晶圆的拥有成本 [3] - 对Propel®300进行300mm硅基氮化镓外延工艺认证是氮化镓技术走向广泛采用的重要成就 [2] 行业趋势与增长动力 - 氮化镓器件市场预计将以35%的复合年增长率从2025年的555亿美元增长至2030年的25亿美元 [2] - 氮化镓的高效率、优异的散热和开关特性正加速其在功率半导体制造中的采用 [2] - 汽车、工业和数据中心应用是推动增长的关键，其中人工智能工作负载不断增长的功耗需求正推动对高效电源的需求 [2]

公司合作进展 - 芯朋微认可英诺赛科在GaN领域的研发能力 [1] - 英诺赛科拥有全球最大规模8英寸硅基GaN晶圆厂的供给能力 [1] - 双方在多个领域的合作均有序推进 [1]

财务数据和关键指标变化 - Q2营收同比增长9%至1 16亿美元 非GAAP每股收益0 35美元 [22] - 经营现金流2900万美元 资本支出600万美元 以平均46美元价格回购超1%流通股 [22][26] - Q3营收指引1 18亿美元±500万美元 非GAAP毛利率预计55%-55 5% [27] - 库存周转天数降至296天 渠道库存降至7 6周 [26] 各条业务线数据和关键指标变化 - 工业业务环比增长近30% 主要来自智能电表、家庭建筑自动化和高压直流输电 [22] - 通信业务环比增长超20% 受手机季节性需求推动 [22] - 消费电子业务环比下降中个位数 因关税前备货效应消退 [22] - 收入结构：工业40% 消费37% 计算机12% 通信11% [23] - 电表业务全年增速预计超20% 上半年GaN产品收入增长超50% [13][22] 各个市场数据和关键指标变化 - 印度市场参与5G固定无线部署及2 5亿智能电表安装 [12] - 日本获得3个电表设计订单 欧洲获得1个基于GaN的InnoSwitch订单 [13] - 中国汽车市场已有30款车型采用公司产品 并扩展至欧美日市场 [49] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 新任CEO Jen Lloyd提出10亿美元营收目标 重点布局数据中心、汽车等高功率市场 [10][18] - 1250V和1700V GaN技术领先 适配800V数据中心架构 可替代硅基方案 [18][73] - TSMC退出GaN代工业务验证公司IDM模式优势 强化技术壁垒 [16][64] - 汽车业务预计2026年贡献数千万美元收入 2029年目标1亿美元 [51][52] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 7月订单骤降20% 主因客户对关税政策持谨慎态度 [32][33] - 家电业务受钢铁关税冲击明显 亚洲OEM提前囤货导致需求后移 [20][34] - 工业与GaN产品持续强劲 抵消消费电子短期疲软 [21][27] - 预计调整周期至少持续两季度 2025年恢复双位数增长 [80][93] 其他重要信息 - 加州就业诉讼案产生900万美元非经常性支出 公司计划上诉 [25] - 创始人Balu Balakrishnan将于2026年转任非执行董事 专注创新与IP事务 [6][7] 问答环节所有的提问和回答 关于Q3指引风险 - 7月订单异常下滑20% 家电领域明显受关税影响 渠道库存健康但需求能见度低 [32][34][58] 新任CEO战略重点 - 提升研发效率 聚焦数据中心/汽车等高增长领域 利用高压技术优势 [38][72] 汽车业务进展 - 设计订单覆盖中美欧日 2026年收入预计达数千万美元 2029年目标1亿美元 [49][51][52] GaN竞争格局 - TSMC退出强化IDM模式优势 1250V/1700V技术领先 适配800V架构 [64][73][83] 数据中心机会 - 现有产品供应辅助电源 2026年采样主转换器GaN方案 单机架价值量约1000美元 [72][75][80] 库存与周期展望 - 渠道库存维持7 6周 预计调整持续2-3季度 工业与GaN将驱动2025年复苏 [80][89][93]

报告行业投资评级 - 股票评级为增持（Overweight）[4] - 行业观点为符合预期（In - Line）[4] - 目标价格为38.00欧元 [4] 报告的核心观点 - 台积电2027年7月将退出氮化镓/硅（GaN/Si）生产，促使纳微半导体（Navitas）多元化晶圆来源，向力积电（PSMC）过渡，预计2025年四季度完成初始器件认证，2026年上半年实现100V氮化镓/硅产品初步量产，650V器件将在未来12 - 24个月从台积电过渡到力积电 [2] - 台积电退出GaN/Si生产对英飞凌有几方面影响，可能带来战略合作伙伴机会，其他GaN器件制造商或寻求在英飞凌300mm工厂或工艺IP上开展制造；也可能带来定价压力；不确定英飞凌未来是否需增强内部GaN器件可靠性测试能力 [3] 根据相关目录分别进行总结 事件情况 - 纳微半导体宣布台积电2027年7月结束GaN/Si生产，体现出铸造厂减少非核心业务，尤其在面临中国低成本制造竞争压力的领域，目前台积电GaN/Si晶圆的主要用户包括纳微半导体和罗姆（ROHM） [2] 对英飞凌的影响 - 可能为英飞凌生产带来战略合作伙伴机会，其他GaN器件制造商或利用英飞凌300mm设施或工艺IP发展制造 [3] - 因力积电生产的可获取性降低了进入壁垒，可能使英飞凌面临类似碳化硅（SiC）的定价压力 [3] - 此前英飞凌（和GaN Systems）利用台积电进行GaN器件可靠性测试，不确定未来英飞凌是否需增强内部相关能力 [3] 估值方法 - 对2026财年每股收益2.10欧元应用18倍（中期周期范围16 - 18倍的上限）的倍数进行估值，反映工业和汽车终端市场走出周期性低谷，预计2026财年实现周期性复苏 [9] 行业覆盖情况 | 分析师 | 公司（代码） | 评级（截至日期） | 价格（2025年7月2日） | | --- | --- | --- | --- | | Lee Simpson | ASML Holding NV（ASML.AS） | 持平（E，2024年9月20日） | €677.60 | | Lee Simpson | Infineon Technologies AG（IFXGn.DE） | 增持（O，2025年2月6日） | €36.21 | | Lee Simpson | STMicroelectronics NV（STMPA.PA） | 持平（E，2025年2月13日） | €26.83 | | Nigel van Putten | Aixtron SE（AIXGn.DE） | 持平（E，2023年5月25日） | €16.22 | | Nigel van Putten | ASM International NV（ASMI.AS） | 增持（O，2024年6月19日） | €519.00 | | Nigel van Putten | BE Semiconductor Industries NV（BESI.AS） | 增持（O，2022年11月7日） | €123.25 | | Nigel van Putten | Melexis N.V.（MLXS.BR） | 增持（O，2025年6月24日） | €70.50 | | Nigel van Putten | Nordic Semiconductor ASA（NOD.OL） | 持平（E，2025年2月10日） | NKr 137.70 | | Nigel van Putten | Soitec SA（SOIT.PA） | 持平（E，2024年5月27日） | €49.90 | | Nigel van Putten | VAT Group AG（VACN.S） | 持平（E，2025年3月21日） | SFr 337.40 | [65]

行业概述 - GaN半导体器件市场预计2023至2028年复合年增长率为6.1% [1] - 英伟达和特斯拉等科技巨头正积极投资GaN技术用于快充、服务器和电动汽车平台 [1] 公司业务表现 - GaN业务2024年收入同比增长超50% 在半导体行业整体疲软背景下逆势增长 [3][8] - 移动消费领域2024年获得180个GaN充电器设计订单 并为全球前10大智能手机制造商供货 [3] - 与传音(非洲潜在市场)和Jio(印度)的战略合作推动新兴市场扩张 [3] 技术研发进展 - 2025年将推出80-120V GaN器件瞄准48V DC-DC转换器市场 [4] - 电动汽车领域2024年获得长安汽车车载充电器设计订单 功率密度达6kW/L 效率96% [4] - 2025年初推出双向GaN IC(GaN BDS) 首款应用为太阳能微逆变器(预计2025年底量产) [4] 市场竞争格局 - 竞争对手Power Integrations的GaN业务2025年Q1贡献总收入15%同比增长 拥有900V/1250V/1700V高压器件技术优势 [5] - STMicroelectronics与Innoscience达成联合研发协议 加速GaN技术商业化进程 [6] 资本市场表现 - 公司股价年内上涨79.3% 远超行业(13.4%)和标普500(5.4%)涨幅 [7] - 当前12个月前瞻市销率15倍 显著高于行业平均7.5倍 [9] - 过去60天每股亏损共识预期呈恶化趋势 [10]

合作背景与核心内容 - STMicroelectronics与Innoscience签署GaN技术开发与制造协议 旨在结合双方优势提升GaN功率解决方案及供应链韧性 [1] - 合作涵盖GaN功率技术联合开发 重点应用于消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域 [2] - 协议允许Innoscience使用ST在中国以外的前端制造产能 同时ST可借助Innoscience在中国的产能 实现供应链灵活布局 [2][7] 技术合作细节 - 双方将加速GaN功率技术路线图 补充ST现有硅基和碳化硅产品线 [3] - Innoscience已量产8英寸GaN技术 累计出货超10亿颗GaN器件 合作将推动下一代GaN技术研发 [3] - GaN器件凭借材料特性可实现功率转换、运动控制等领域性能突破 损耗显著降低50%以上 助力系统小型化及减重 [4] 市场应用前景 - GaN技术正快速渗透消费电子、数据中心电源、工业电源及光伏逆变器领域 [4] - 下一代电动汽车电驱系统积极采用GaN器件 因其可大幅缩减体积和重量 [4] - 合作将推动GaN在AI数据中心、可再生能源存储、汽车电子等场景的规模化应用 [7] 公司技术实力 - ST拥有5万名员工及先进制造设施 服务超20万客户 计划2027年实现100%可再生能源供电 [5] - Innoscience掌握15V-1200V全电压GaN工艺节点 拥有800项专利 产品覆盖消费电子、汽车电子及工业电源市场 [8]