市场现状与价格趋势 - 存储芯片市场呈现上行趋势，野村证券称之为“前所未有的超级周期”，由DRAM、HBM和NAND三重周期驱动 [2] - 上游资源涨价已传导至成品端，eMMC、UFS普遍大幅调涨，LPDDR4X因原厂暂停报价且计划大幅涨价而看涨情绪升温 [8] - 三星和SK海力士自今年4月起逐步减少DDR4产能，转向更高利润的DDR5、LPDDR5和HBM，直接导致DDR4系列价格暴涨 [8] - 美光将2025年服务器总出货量增长预期上调至约10%，高于此前中等个位数预期，受AI agents增长及传统服务器工作负载增加推动 [9] - TrendForce指出，受HDD供给短缺影响，云端服务供应商将存储需求转向QLC Enterprise SSD，预计Q4 NAND Flash合约价平均上涨5-10% [10] 涨价核心驱动因素 - AI与数据中心需求爆发：2026年传统服务器资本支出预计增长20-30%，带动DDR4/DDR5内存需求增长约50%，企业级SSD需求近乎翻倍 [14] - NAND市场因HDD供应短缺和AI存储需求激增，预计2026年位元出货量同比增长超50% [14] - 价格与利润率跃升：DRAM营业利润率预计从当前的40-50%升至2026年的近70%，NAND利润率将从盈亏平衡点跃升至30-40% [14] - HBM混合均价预计2025-2026年保持15%以上年增长，将贡献SK海力士75%的营业利润 [14] 近期需求爆发的根本原因 - AI业务从“积累期”迈入“高渗透期”，业务渗透率从20%-30%提升至30%-40%，用户规模大幅扩张 [18][19] - 以豆包为例，DAU从年初的1000万-2000万增至近4000万，传统互联网产品加速AI重构，用户与AI交互频次显著增加 [19] - AI技术逻辑从“快思考”升级为“慢思考”，引入思维链和外部agent协同，单次报告生成的token消耗从此前的约3000token增至3万以上，增长7-10倍 [18][20] - 海外头部模型全面转向多模态，处理图片、视频等非文本数据产生更多存储需求 [20] - 互联网大厂启动AI基础设施重构，构建“热-温-冷”分层存储体系，集中采购DRAM和SSD，直接转化为大量订单 [21] 行业前景与周期判断 - 由AI需求驱动的“超级周期”预计至少持续到2027年，但可能在2028年出现下行转折 [23] - 美光预计2026年行业DRAM供应将趋于紧张，全球存储芯片尤其HBM供需不平衡将加剧，2026年HBM产能已基本锁定 [9] 英伟达相关动态与影响 - SK海力士、三星与英伟达就HBM3E 12Hi和HBM4的定价谈判尚未最终敲定，谈判局势正向DRAM厂商倾斜 [25] - 英伟达要求HBM4速度需突破10Gbps，三星、美光、SK海力士均具备供应能力，对整体HBM市场影响有限 [26] - 英伟达CPX方案将推动Rubin平台对GDDR7的大规模采用，为GDDR7市场带来显著增量，但可能短期内对HBM4需求形成压制 [27] - 英伟达研发HBF方案，利用大容量堆叠NAND替代HBM来提升系统成本效益，优化存储资源配置 [28]