公司产品线 - 公司存储芯片产品线包括NAND FLASH、EMMC、DDR、EEPROM、NOR FLASH等类型 [1] - 已有约10款存储器产品完成转产并获得小批量订货 [1] - 针对64GB的产品正在进行验证，相关工作进展顺利 [1] 业务进展与市场影响 - 公司将持续聚焦技术创新和产品开发 [1] - 目前存储芯片属于小批量订单状态 [1] - 存储芯片价格变动对公司影响很小 [1]

存储市场近期价格动态 - 存储芯片市场出现剧烈波动，呈现“一天多价”的现象，分销商因价格波动剧烈而调整报价策略[1] - 主要厂商释放密集涨价信号：SanDisk于9月初率先将NAND Flash报价上调10%，美光暂停DDR及LPDDR系列报价并预示未来涨幅可能达30%，模组厂威刚和十铨也罕见宣布暂停报价，此为2017年以来存储模组厂首次集体“停报”[1] - 下游出现“买涨不买跌”行为，采购方除正常需求外进行战略备货，分销商暂缓出货甚至“放假等涨价”，进一步推高市场热度并形成自我强化的动态循环[2][6] AI算力扩张对存储需求的影响 - AI服务器对存储需求呈指数级增长，单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍[4] - 生产同等容量HBM所需的晶圆消耗量是标准DRAM的三倍以上，导致相同产能下可交付的HBM芯片更少[4] - 美国数据中心建设投资自2022年来增长近400%，在建数据中心投资额超过400亿美元，AI基础设施建设推高全球存储需求[5] - 2025年全球存储市场规模预计突破2000亿美元，其中AI算力需求贡献超40%增量[7] 供应端结构性调整与产能空窗期 - 三大原厂（美光、三星、SK海力士）持续推进产线调整，缩减DDR4等传统产品产量以腾出产能应对DDR5和HBM需求，但新建和改造的HBM产线处于爬坡阶段，短期内难以形成有效供给[8][9] - 新旧代产品切换造成阶段性供给真空，使市场供需进一步失衡[10] - 涨势最猛的产品为即将退场的DDR4，例如SK海力士DDR4 64GB 3200内存条价格从9月约1500元涨至3500-3800元，涨幅达1.5倍，价格一度超过DDR5[11] - 上游原厂可能采用“以量控价”策略，在完成季度业绩目标后主动控制出货节奏以维持价格高位和利润空间[11] AI服务器厂商的成本传导与市场反应 - AI服务器的硬件配置由算法决定为刚性需求，存储配置无法妥协，降低配置会导致模型无法运行或训练周期显著延长[15] - 以一台搭载8张NVIDIA A800 GPU的AI训练服务器为例（2023年数据），整机成本约90万元，存储部分成本约9.5万元占比约10%，此次存储涨价预计将导致整机成本上升约3%至5%[16] - OEM厂商因自身利润率低无法独自消化上游涨价，只能将成本转嫁给客户，但AI服务器客户出于投资时效性考虑，宁可高价拿货也不能接受部署延迟，涨价压缩利润但未削弱需求[16][17] - 存储合约价周期从季度或年度被压缩至按月甚至按批次报价，服务器整机报价有效期缩短至七天甚至更短，供货确定性成为比价格更重要的因素[18][19] 存储市场未来趋势与拐点预判 - 业内预计此轮存储涨势至少将持续至2026年年底，SK海力士2026年DRAM与NAND全系列产品订单已被预订一空，价格下行空间有限[21] - 市场拐点的两个关键信号为北美AI资本投资是否放缓以及原厂产能的供应情况，只有当厂商开始大规模扩产或新工艺产线爬坡到位而需求端未同步增长时，价格才可能反转[22] - HBM领域出现的局部价格竞争对整体DRAM和NAND市场影响有限，未改变存储市场“涨”字当头的格局[23]

行业与公司 * 行业为存储半导体，特别是DRAM和NAND闪存市场 [2] * 涉及的公司包括三星电子、SK海力士、美光科技、南亚科技、CXMT、Eugene Tech、Wonik IPS等存储芯片制造商及相关设备供应商 [2][3][4][5] 核心观点与论据 DDR合约价格加速上涨 * DDR合约价格在2025年第四季度预计将至少环比上涨21%，且谈判仍在继续，势头积极 [2] * 根据Trendforce数据，10月份PC DDR4和DDR5合约价格暗示，若在第四季度余下时间保持稳定，平均环比涨幅分别为25%和26% [2] * 服务器DDR5合约谈判趋向于环比上涨20%或更高，移动DRAM的要价接近环比上涨40%，但预计最终结果更接近25% [2] * 将DDR合约价格环比正增长的预测从2026年第三季度延长至2026年第四季度 [2] * 更新后的混合DDR合约价格预测为：2025年第四季度环比+21%（原为+17%），2026年第一季度+15%，第二季度+7%，第三季度+5%，第四季度+3% [2] 库存处于低位且生产增长有限 * 截至9月底，三星的DRAM和NAND闪存成品库存为4-5周，SK海力士的DRAM库存低于4周（DDR5低于3周），其NAND闪存库存也为4-5周 [3] * 估计PC/智能手机OEM的DRAM库存现在低于8周，超大规模数据中心的服务器DRAM低于9周，客户端SSD约5周，企业级SSD低于10周 [3] * 对三星和SK海力士2026年比特出货量增长的修正预测（DRAM分别为同比增长15%和14%，NAND分别为同比增长6%和17%）表明，供应将落后于需求 [3] 内存资本支出持续上行 * 修正后的三星和SK海力士资本支出/晶圆厂设备支出预测显示进一步上行空间 [4] * 包括这些预测后，行业预测调整为：2026年和2027年DRAM WFE分别为+35%和+7%，NAND WFE分别为+30%和-11% [4] * SK海力士可能将在2026年底前填满M15X（设备安装），并将龙仁洁净厂房的就绪时间提前至少3个月至2027年 [4] * 预计三星P4东翼洁净厂房将在2026年第二季度初完成设施配套 [4] 高带宽内存需求强劲且供应紧张 * 2026年HBM需求预计将同比增长60.9%，总需求达到27.57十亿Gb [9] * HBM在DRAM总收入中的占比预计将从2023年的6.0%增长至2025年的24.1%和2026年的23.5% [14] * 2026年HBM需求主要由HBM3E 12-Hi（41%）和HBM3E 8-Hi（39%）主导 [22] * 2026年HBM需求按客户划分，英伟达占比最高（60%），其次是AMD（8%）和谷歌（11%）等 [27] * 预计HBM供应将落后于需求，尤其是在2025年至2026年 [19] 上调预测与评级调整 * 因DDR价格预测上调，将SK海力士（关键买入评级）12个月目标价从64万韩元上调至71万韩元 [5] * 将三星（买入评级）目标价从11.8万韩元上调至12.8万韩元 [5] * 将南亚科技目标价从110新台币上调至140新台币，但基于估值将评级从买入下调至中性 [5] * 同时上调Eugene Tech（买入评级）和Wonik IPS（中性评级）的目标价 [5] 其他重要内容 服务器与AI驱动因素 * 顶级超大规模数据中心的总资本支出在2024年预计同比增长71%，2025年预计同比增长65% [45] * 前8大超大规模数据中心的服务器采购总量在2025年预计同比增长13.6% [81] * AI服务器中的DRAM内容量预计将从2023年的平均1399GB大幅增长至2026年的平均5918GB [80] 供需模型与市场展望 * DRAM行业供需模型显示，2025年需求（按最终消费计算）预计同比增长20.6%，2026年增长19.2% [74] * DRAM位元供应增长预计在2025年为21.1%，2026年为16.2%，表明供应增长低于需求增长 [74] * DRAM行业营业利润率预计将在2025-2026年周期中显著改善 [37] 中国厂商进展 * CXMT的晶圆产能预计将从2022年的5万片/月增长至2026年的25万片/月，占行业总产能的份额从2022年的5.6%提升至2026年的13.2% [67] * CXMT的比特出货量份额预计将从2022年的0.6%增长至2026年的7.0% [69]

存储成本上涨对手机行业的影响 - 上游存储元器件成本激增，手机厂商面临显著的成本压力，有厂商对明年成本预估表示担忧[1][1] - 存储器件成本约占手机硬件成本的10%-20%[1] - 存储涨价已导致中高端手机机型普遍涨价100-500元[1] - 部分不同内存配置的手机产品差价达到3000元到4000元，例如1TB内存版本价差显著[1] 存储涨价波及的半导体产品范围 - 涨价不仅限于手机采用的LPDDR内存[1] - 消费电子中的笔记本电脑所使用的DDR内存同样在涨价[1] - DDR内存的涨幅甚至达到六到七倍[1]

存储成本对手机硬件的影响 - 存储器件成本约占手机硬件成本的10%-20% [1] - 存储涨价导致中高端机型普遍涨价100-500元，部分不同内存产品手机差价达3000-4000元 [1] - 部分手机机型若不进行调价则面临亏损风险 [1] 存储价格具体涨幅 - LPDDR4X（4GB）在2025年第三季度环比涨幅达30.4%，其他DRAM产品同期环比涨幅在20%以上 [1] - 群智咨询预测今年第四季度LPDDR4X价格或将继续环比上涨10%-15% [7] - DDR4中4GB版本从年初至11月5日涨幅为150%，8GB和16GB版本涨幅分别达628%和743%，近一周涨幅普遍在10%以上 [9] 存储涨价原因分析 - 前期价格上涨主要源于LPDDR4X逐步退出市场引发的连锁反应 [4] - 2025年第四季度服务器端需求爆发式增长，推动HBM和SSD备货需求大幅增加 [4] - 存储厂将生产与研发资源向利润更高的HBM和SSD转移，导致LPDDR4X/5X及UFS供应减少而价格上涨 [4] 手机厂商应对策略 - 通过提升不同存储版本价格引导用户选择大容量存储版本来弥补存储涨价压力，例如红米K90的12GB+512GB与12GB+256GB价差从400元增至600元，OPPO Find X9等机型价差甚至达900元 [4] - 部分厂商采取在极限范围内定价，通过扩大用户规模分摊研发与定制成本 [6] - 一些厂商通过配置调整，主推旗舰产品更贵的Pro/Max版保证利润，或使旗舰普通版降价至3000-4000档挤压中档机型市场 [10] 存储涨价对行业竞争与产品策略的影响 - 成本压力让手机厂商在技术创新上趋于保守 [10] - 部分厂商选择减配或取消合作以控制成本，如一加15从2K屏幕减配到1.5K并取消哈苏合作 [11] - 线上品牌往高端走以牵引消费者，如realme GT8系列价位上探至4000元并与理光GR达成独家影像合作 [11] 存储涨价波及的终端市场范围 - 消费电子中笔记本电脑使用的DDR也在涨价，涨幅达六到七倍 [8] - 存储产品价格预计在2026年上半年维持上涨态势，2026年下半年可能因产能释放和库存提升出现涨幅放缓或持平 [10] - 1000-2000元市场份额比去年H1同期减少约2.5%，2000-3000元市场份额减少约3%，出现向上下两端分流的情况 [12]

行业核心观点 - 存储芯片行业正进入“严重短缺”时期，强劲需求与有限产能扩张共同推动DRAM价格进入强劲上行周期 [1] - DRAM供应商掌握定价上风，价格上涨势头预计将至少延续至2026年第四季度 [1][2] - 人工智能驱动的高带宽内存需求激增是导致结构性供需失衡的核心因素，产能向HBM倾斜加剧了传统DDR内存的供应紧张 [1][3] DRAM价格预测与走势 - 2025年第四季度DDR内存合同价格谈判预计环比涨幅将达到21%或更高 [1][2] - 10月份PC DDR4和DDR5合同价格走势预示整个季度平均环比涨幅将分别达到25%和26% [2] - 服务器用DDR5合同谈判正朝着环比上涨20%或更高方向发展，移动设备DRAM供应商部分报价要求涨幅接近40%，预计最终成交价涨幅在25%左右 [2] - 瑞银将DDR混合合同价格预期上调，预计2025年第四季度环比上涨21%，价格积极上涨势头将延长至2026年第四季度末 [2] 供需驱动因素分析 - 产能结构性转变是关键驱动因素，预计到2025年底用于HBM生产的前端DRAM产能将占行业总产能20%，到2026年底进一步上升至25% [3] - 四大因素驱动短缺：AI引发的强劲HBM需求、稳健的传统服务器更新周期、企业级SSD因AI和HDD短缺产生的额外需求、有限晶圆产能增量优先用于HBM生产 [3] - DDR内存供应不足状况将至少持续到2026年第四季度，NAND闪存供应不足将持续到2026年第三季度 [3] 公司目标与预测调整 - 瑞银将SK海力士12个月目标价从64万韩元上调至71万韩元，维持“买入”评级，称其为内存领域“首选” [1][5] - 瑞银将三星电子目标价从11.8万韩元上调至12.8万韩元 [1][5] - 对SK海力士2026年收入和营业利润预测分别上调3%和5%，2027年预测分别上调9%和16% [5] - 对三星电子2026年收入和营业利润预测分别上调2%和7%，2027年预测分别上调5%和23% [5] - 瑞银预测SK海力士在2026年将保持HBM市场51%的份额 [5] - 瑞银更新后的三星电子营业利润预测比市场普遍预期在2026年和2027年分别高出24%和15% [5]

行业与公司 * 报告聚焦于存储半导体行业，特别是DRAM（包括HBM）和NAND闪存市场 [2] * 涉及的主要公司包括三星电子、SK海力士、美光科技、南亚科技以及中国大陆的长江存储（CXMT） [4][5][70][80] 核心观点与论据 强劲的需求前景与供应紧张 * 将2026年定义为存储器行业“十年一遇”的年份，源于强劲的终端需求 [2] * 行业调查显示，美国四大超大规模云服务商计划在2026年采购的DDR内存比特量较2025年增加约100%，并希望签订覆盖2026和2027年的长期协议，部分大型智能手机客户2026年DDR比特需求也预计增长约20% [2] * 企业级SSD的供需状况同样紧张 [2] * 服务器DRAM比特需求（含HBM）增长预测被上调至2025年+20.6%（原+19.8%）和2026年+19.1%（原+17.5%） [3] * 预计2026年整体DRAM比特供应（出货基准）增长与需求（终端消耗）之间存在近3个百分点的缺口 [3] * 超大规模云服务商资本支出强劲，预计2025年同比增长+16%，2026年同比增长+71% [48] 价格预测大幅上调 * DDR合约价季度环比预测被上调：2024年第四季度至+17%（原+5%），2025年第一季度至+15%（原+7%），2025年第二季度至+7%（原+5%） [2] * NAND合约价季度环比预测被上调：2024年第四季度至+15%（原+10%），2025年第一季度至+10%（原+5%），2025年第二季度至+5%（原+3%） [2] * 预计DRAM产业 blended ASP（含HBM）在2025年达到0.43美元/Gb，2026年达到0.59美元/Gb，同比分别增长19.5%和35.3% [79] HBM（高带宽内存）成为核心驱动力 * HBM需求激增，主要受AI服务器GPU/加速器（如NVIDIA H100/B200、AMD MI300等）推动，预计总HBM需求（比特）将从2024年的8.62 billion Gb增长至2026年的27.57 billion Gb，年复合增长率显著 [8][9] * 2026年HBM需求按客户划分：NVIDIA占57%，AMD占9%，Google占11%，Amazon占9%，Meta占7% [25][26] * HBM占DRAM行业收入比例从2023年的6.0%大幅提升至2026年预计的25.3% [13][14] * SK海力士在HBM市场占据领导地位，预计2024/2025/2026年比特份额分别为53%/56%/49% [15][17] 资本支出与产能扩张 * 由于供应限制和HBM、DDR及企业级SSD的需求增长，预计资本支出将进一步增加 [4] * 上调SK海力士2025/2026/2027年资本支出预测至28万亿/35万亿/36万亿韩元（原为25/31/32万亿韩元） [4] * HBM前端产能（千片/月，12英寸等效）预计从2024年底的280k增长至2026年底的480k [15] * 整体DRAM产业晶圆产能（千片/月，12英寸等效）预计从2024年的1,550k增长至2026年的1,893k [79][82] 投资建议与目标价调整 * 首选SK海力士，因其HBM领导地位和对传统内存上升周期的广泛敞口，目标价上调至590,000韩元（原516,000韩元） [5] * 将三星电子评级从中性上调至买入，目标价上调至112,000韩元（原93,000韩元） [5] * 恢复对南亚科技的覆盖，给予买入评级，目标价110新台币 [5] 其他重要内容 库存水平与供需平衡 * 三星和SK海力士的DRAM成品晶圆和芯片库存周数在2025年第二季度已分别降至4.5周和7.5周，低于正常水平，表明供应紧张 [50][51] * 客户方库存，如服务器（超大规模云服务商）、智能手机 OEM 和 PC 厂商的库存周数在2025年上半年也呈现下降趋势，处于相对健康水平 [57][58] 中国大陆厂商的产能增长 * 长江存储（CXMT）的DRAM晶圆产能（千片/月）预计从2022年的50k增长至2026年的260k，占全球产业份额从2022年的5.6%提升至2026年的13.2% [70][71] * 其比特出货量份额预计从2022年的0.6%增长至2026年的7.7% [75][76] 服务器市场具体预测 * 2026年服务器出货量预计达到1,796万台，同比增长5.7% [3][85] * AI服务器出货量在2024年大幅增长105.5%后，预计2025年调整（-16.7%），2026年增长趋于平稳（-20.9%），但AI服务器的平均DRAM内容量（含HBM）将大幅提升，从2024年的1,645 GB/台增至2026年的5,918 GB/台 [85]

市场现状与价格趋势 - 存储芯片市场呈现上行趋势，野村证券称之为“前所未有的超级周期”，由DRAM、HBM和NAND三重周期驱动 [2] - 上游资源涨价已传导至成品端，eMMC、UFS普遍大幅调涨，LPDDR4X因原厂暂停报价且计划大幅涨价而看涨情绪升温 [8] - 三星和SK海力士自今年4月起逐步减少DDR4产能，转向更高利润的DDR5、LPDDR5和HBM，直接导致DDR4系列价格暴涨 [8] - 美光将2025年服务器总出货量增长预期上调至约10%，高于此前中等个位数预期，受AI agents增长及传统服务器工作负载增加推动 [9] - TrendForce指出，受HDD供给短缺影响，云端服务供应商将存储需求转向QLC Enterprise SSD，预计Q4 NAND Flash合约价平均上涨5-10% [10] 涨价核心驱动因素 - AI与数据中心需求爆发：2026年传统服务器资本支出预计增长20-30%，带动DDR4/DDR5内存需求增长约50%，企业级SSD需求近乎翻倍 [14] - NAND市场因HDD供应短缺和AI存储需求激增，预计2026年位元出货量同比增长超50% [14] - 价格与利润率跃升：DRAM营业利润率预计从当前的40-50%升至2026年的近70%，NAND利润率将从盈亏平衡点跃升至30-40% [14] - HBM混合均价预计2025-2026年保持15%以上年增长，将贡献SK海力士75%的营业利润 [14] 近期需求爆发的根本原因 - AI业务从“积累期”迈入“高渗透期”，业务渗透率从20%-30%提升至30%-40%，用户规模大幅扩张 [18][19] - 以豆包为例，DAU从年初的1000万-2000万增至近4000万，传统互联网产品加速AI重构，用户与AI交互频次显著增加 [19] - AI技术逻辑从“快思考”升级为“慢思考”，引入思维链和外部agent协同，单次报告生成的token消耗从此前的约3000token增至3万以上，增长7-10倍 [18][20] - 海外头部模型全面转向多模态，处理图片、视频等非文本数据产生更多存储需求 [20] - 互联网大厂启动AI基础设施重构，构建“热-温-冷”分层存储体系，集中采购DRAM和SSD，直接转化为大量订单 [21] 行业前景与周期判断 - 由AI需求驱动的“超级周期”预计至少持续到2027年，但可能在2028年出现下行转折 [23] - 美光预计2026年行业DRAM供应将趋于紧张，全球存储芯片尤其HBM供需不平衡将加剧，2026年HBM产能已基本锁定 [9] 英伟达相关动态与影响 - SK海力士、三星与英伟达就HBM3E 12Hi和HBM4的定价谈判尚未最终敲定，谈判局势正向DRAM厂商倾斜 [25] - 英伟达要求HBM4速度需突破10Gbps，三星、美光、SK海力士均具备供应能力，对整体HBM市场影响有限 [26] - 英伟达CPX方案将推动Rubin平台对GDDR7的大规模采用，为GDDR7市场带来显著增量，但可能短期内对HBM4需求形成压制 [27] - 英伟达研发HBF方案，利用大容量堆叠NAND替代HBM来提升系统成本效益，优化存储资源配置 [28]

万亿的OpenAI - 英伟达与OpenAI的合作涉及四个领域：持续推进微软Azure数据中心建设、与甲骨文及软银合作搭建OCI算力设施、支持CoreWeave的算力需求、以及助力OpenAI自建AI基础设施[2] - OpenAI预测到2029年公司营收将达到1250亿美元，并计划斥资1万亿美元在全球建设数据中心以满足20GW以上计算能力需求，每GW成本预计高达500亿美元[3][4] - OpenAI计算能力储备将超过得州数据中心的13倍以上，支持下一代AI所需的能源规模相当于为超过1300万美国家庭供电，相当于17座核电站级别的电力需求[3][4] - 英伟达计划向OpenAI投入高达1000亿美元用于建设由10GW英伟达系统驱动的超级数据中心，该设施相当于400万到500万台英伟达GPU，总成本预计达5000亿至6000亿美元[4][5] - CoreWeave等基础设施提供商与OpenAI签署了价值65亿美元的协议，使其总合作金额达224亿美元，微软也宣布将在英国投资300亿美元增强AI基础设施[4] 涨疯的Memory - 服务器生意因DDR涨价导致预留利润空间被吃掉，需与客户重新谈价，DDR5和NAND Flash价格因AI基础设施建设需求推动而上涨[6][10] - 2025年4月开始三星和SK海力士逐步减少DDR4产能转向DDR5、LPDDR5和HBM，9月闪迪和美光宣布存储产品价格上涨10%-30%[10] - 2025年服务器DRAM ASP预计全年同比增长18%，2026年预计同比增长36%；2025年NAND ASP预计全年同比增长15%，2026年预计同比增长31%[11][13] - 2025年DDR4 64GB RDIMM价格从139美元上涨至251美元，全年涨幅29%；DDR5 64GB RDIMM价格从253美元上涨至278美元，全年涨幅7%[12] - 2026年DDR5 64GB RDIMM价格预计从295美元上涨至360美元，全年涨幅30%，DDR5渗透率预计从90%提升至92%[12] - 随着推理需求增加，Memory需求将持续增长，此轮涨价可能并非短期现象[14] 新出炉的DeepSeek - DeepSeek V3.2-Exp实现对华为、寒武纪芯片的Day 0级别适配，暗示存在深度联合开发基础，夯实了国产化三层架构根基[18] - 从V3.1到V3.2的迭代周期仅耗时1个月，展现出高效开发节奏，按此进度V4有望在不久后推出[19] - 团队开源V3.2版本的CUDA算子，同时引入TileLang新编程范式，采用"成熟方案+新兴探索"组合保障开发者体验[21] - V3.2通过引入稀疏注意力机制实现算力利用效率优化，官方同步宣布API服务价格下调50%，延续"高性能+低成本"开发理念[22] - 在各项评估指标上V3.2-Exp表现大多与前版相当，Codeforces测试分数提高75分，BrowseComp-zh提升2.9分，但HMMT测试下降2.5分[29] - DeepSeek为V3.2-Exp提供多种内核实现：TileLang内核适合研究用途，DeepGEMM针对生产环境优化，FlashMLA专注于稀疏注意力性能[31][32] - V3.2-Exp代表一种中间实验步骤，目前尚未准备好用于所有部署，但在结构化长文件推理如代码任务上显示出有前景的方向[34]

行业投资评级 - 报告对台湾市场维持超配评级 对韩国和日本市场维持中性评级 将中国市场下调至低配评级[4] - 在细分行业中 超配领先代工、内存半导体、MLCC、OSAT、服务器ODM、智能手机和晶圆厂设备 对模拟半导体/MCU和硅片维持中性权重 低配后端设备、显示面板、PC OEM/ODM和成熟制程代工[8] 核心观点 - 智能手机、PC和服务器行业需求均呈现上行态势 将2025/2026年智能手机出货量预测上调至+3%/+1%（原为+1%/持平） PC出货量上调至+4%/+3%（原为+2%/+2%） 服务器出货量上调至+6%/+4%（原为+4%/+3%）[1] - AI需求保持强劲 预计2025年Nvidia GB200/300 NVL72机架数量为28-29k 2026年初步保守预期为50-60k[1] - 内存行业前景积极 DRAM涨价周期可能延长至2026年第四季度 NAND闪存至2026年第三季度 且DDR可能出现"售罄"情况直至2027年[2] - 晶圆厂设备支出趋势向上 预计2025年全球WFE达1090亿美元（+12%） 2026年达1180亿美元（+8%） 中国本土WFE 2025年为370亿美元（+3%） 2026年为390亿美元（+3%）[3] 智能手机市场 - iPhone 17系列下半年生产量预计较iPhone 16同期持平至高个位数增长 预计2026年9月将推出可折叠iPhone 初期12个月产量预期为1000-2000万台[1][11] - 智能手机组件持续升级 iPhone 17系列前摄分辨率提升至18MP（原12MP） Pro/Pro Max长焦相机升级至48MP（原12MP） 超广角相机升级至48MP（原12MP）[12] - 小米2025年智能手机出货量预计为1.72亿台（+2%） 传音控股第三季度出货量追踪接近2600-2700万台（第二季度为2400万台） 2025年目标1亿台（同比持平）[15] PC市场 - 将2025年全球PC出货量预测上调至2.584亿台（+4.4% YoY） 2026年上调至2.672亿台（+3.4% YoY）[16] - 商用PC领域保持韧性 预计2025年增长+6.6% 消费级PC预计2025年增长0.5%[17] - 8月份五大台湾ODM笔记本出货量环比+4% 同比-2%至1120万台 占第三季度预测的67%（季节性为63%）[19] 服务器市场 - 传统服务器采购继续改善 预计2025年增长7.1% 2026年增长5.4%[21] - 超大规模企业推动升级周期 可能持续到2026年 将旧平台整合到更高效的多核平台[21] - AMD在部署方面继续领先 客户持续转向AMD的Turin周期并进入Venice周期[21] AI服务器 - AI供应商前景强劲 2025年资本支出同比增长超过50% 2026年可能从当前+15-20%的预期进一步上调[23] - GB200机架需求符合预期 2025年预计28-29k机架 2026年可能翻倍增长至50-60k机架[23] - ASIC需求也在增长 3nm产品在今年逐步上量 2nm更多用于2027-28年[23] - 电源和液冷内容价值增加 机架中电源单元价值从Hopper的约1% BOM占比升至Rubin的2% GB200机架电源价值约6万美元 Rubin可能达到15-20万美元[24] 芯片设计 - 下半年消费需求温和 瑞昱表示今年业务因上半年提前拉货而前重后轻 联发科对下半年保持保守看法 但维持全年美元收入中十位数增长目标[30] - 联发科云ASIC业务前景积极 关键项目收入指引保持不变 预计2026年第四季度达10亿美元[30] - 汽车和连接领域是关键驱动因素 联发科智能座舱解决方案获得关注 预计汽车收入在2-3年内增至10亿美元规模 瑞昱预计汽车以太网渗透率和每辆车端口数增加[34] 晶圆代工 - 台积电N3需求趋势强劲至2026年 N2将为多年增长路径[2] - 成熟制程代工下半年需求和定价前景稳定 世界先进预计第四季度利用率持平或略降至80%左右[39] - 联电与英特尔合作按计划进行 预计2026年初提供12nm工艺设计套件 2027年客户流片 2028年量产[39] 内存半导体 - DRAM需求超预期 所有美国四大超大规模企业都在上调DDR5采购预测 并讨论可能延长至2026年后的长期协议[38] - HBM合同谈判仍在进行 但定价语气改善 预计HBM4每比特价格比HBM3E 12-Hi溢价30% 2026年HBM3E 12-Hi每比特价格同比下降20%[43] - 三星相信使用1c nm工艺可满足Nvidia的10Gbps要求 正在准备很快发送生产样品 mass production预计2026年初开始[43] - NAND闪存需求继续上行 iPhone生产爬坡支持嵌入式需求 企业SSD需求继续走强 一些合同谈判可能导向第四季度环比>10%的涨价[43] 设备与制造 - 2026年内存WFE继续上行 特别是韩国内存制造商和DRAM 中国WFE也有上行空间 台积电WFE预计2026年同比增长[3] - 测试复杂性增加利好测试供应商和探针卡供应商 AI和HPC推动更先进复杂芯片设计 可能推高测试时间[34] - 日月光重申积极指引 2025年先进封装和测试收入目标16亿美元 总资本支出50亿美元以捕捉AI和非AI机会[34]