公司研发活动 - 公司公布了一项名为“半桥功率模块及其制造方法、全桥功率模块和用电设备”的国际专利申请，专利申请号为PCT/CN2025/113932，国际公布日为2026年3月5日 [1] - 今年以来公司已公布的国际专利申请数量达到464个，较去年同期大幅增加了472.84% [1] - 2025年上半年公司在研发方面投入了295.96亿元，同比增长50.84% [1]

公司业务进展 - 湖南三安的SiC MOSFET产品已向台达、光宝、长城、维谛技术等数据中心及AI服务器电源客户批量供货 [1] - 湖南三安一期项目已实现年产25万片6英寸SiC晶圆，二期项目计划今年三季度投产，将全面导入8英寸产线，全部达产后年产能预计提升至48万片 [1] - 湖南三安的产能稼动率随着客户需求的增加逐步上升，安意法已于2025年2月实现通线，首次建设产能2,000片/月，重庆三安首次建设产能2,000片/月，已开始逐步释放产能 [1] - 车规级SiC MOSFET已进入重点客户可靠性验证阶段，与理想汽车合资成立的苏州斯科半导体一期产线完成通线，全桥功率模块C样已交付，预计2025年实现批量生产 [2] 行业应用与市场 - SiC器件在高压、高功率场景（如数据中心、AI服务器）具有替代优势，随着算力需求爆发，高效能电源方案对SiC MOSFET的需求持续攀升 [1] - SiC器件能显著提升电动车续航和充电效率，但车规认证周期长、技术门槛高 [2] - 国际巨头（如Wolfspeed、意法半导体）仍占据全球主要市场份额 [2] 产能与供应链 - 湖南三安有望成为国内最大的SiC衬底及器件供应商之一 [1] - 三安光电通过绑定头部车企（如理想）和自建产能的策略，有望在2025年国内SiC市场爆发期抢占先机 [2] 政策与区域发展 - 湖南省近年来将半导体产业作为重点发展领域，湖南三安半导体基地（二期）等17个电子信息类项目入选2024年湖南省重点建设项目 [2] - 三安光电的快速扩产受益于地方在土地、资金及产业链配套上的倾斜 [2] 长期趋势与竞争 - 随着国内新能源车渗透率提升和算力基础设施扩张，SiC市场或迎来十年黄金期 [2] - 三安光电的垂直整合能力将成为其核心优势 [2]