氮化镓和碳化硅技术

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纳微暴涨200%!与英伟达合作下一代800V电力架构,氮化镓和碳化硅成关键
硬AI· 2025-05-22 15:20
合作公告 - 纳微半导体与英伟达合作开发下一代800V高压直流架构,为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电 [3][4] - 纳微的氮化镓和碳化硅技术将在合作中发挥关键作用 [3][4] - 合作消息公布后,纳微股价一度暴涨200% [3][4] 技术革新 - 现代AI数据中心需要吉瓦级电力,传统54V机架内配电系统功率限制在几百千瓦,当功率超过200kW时达到物理极限 [6] - 英伟达方案将13.8kV交流电网电力直接转换为800V高压直流,使用固态变压器和工业级整流器,消除多个转换步骤,提高效率和可靠性 [6] - 800V HVDC架构可将铜线厚度减少多达45%,传统54V直流系统为1MW机架供电需要超过200kg铜 [7] 行业影响 - 该合作代表数据中心基础设施领域的重大技术飞跃,特别是在支撑吉瓦级AI计算负载方面 [4] - 新技术将大幅提升能效并降低铜材使用量 [4] - 800V架构通过增加电压和降低电流传输相同功率,解决下一代AI数据中心电力需求问题 [7]
纳微官宣与英伟达合作开发下一代800V电力架构 氮化镓和碳化硅技术是关键
华尔街见闻· 2025-05-22 05:10
战略合作与技术突破 - 英伟达与纳微半导体合作开发800V电力架构 旨在彻底改变AI数据中心的电力供应系统 [1] - 合作重点为下一代800V高压直流架构 将支持包括Rubin Ultra在内的GPU供电系统"Kyber" [1] - 纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术在该合作中发挥关键作用 [1] - 该技术被媒体评价为数据中心基础设施领域的重大飞跃 尤其在支撑千瓦级AI计算负载方面 [1] - 纳微半导体盘后价格暴涨153% 反映市场对该合作的积极预期 [1] 技术细节与效率提升 - 新方案在数据中心外围直接将13.8kV交流电转换为800V高压直流 采用固态变压器和工业级整流器 [2] - 800V架构可减少多达45%的铜线厚度 显著降低材料成本 [2] - 传统54V直流系统为1MW机架供电需200kg铜 而800V系统通过提高电压降低电流实现更高效传输 [2] 行业需求背景 - 现代AI数据中心需要吉瓦级电力供应 现有54V架构功率限制在几百千瓦 [1] - 传统架构使用笨重铜母线传输低压电力 在200kW以上功率时面临功率密度和效率瓶颈 [1] - 下一代AI数据中心对吉瓦级电力的需求使传统54V系统不可持续 [2]