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高带宽内存(HBM3)芯片
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中国芯片,猛追韩国
半导体芯闻· 2025-09-01 18:27
中国半导体自给自足进展 - 中国IT巨头在政府扶持下加速研发和量产自主研发AI芯片 旨在减少对外国技术依赖[2] - 北京已投资超过84亿美元推动人工智能和半导体国产化[2] - 目标到2026年将国产AI芯片产量提高两倍 2027年AI芯片自给率达到82%[2] - 中国地方政府承诺到2027年将国产AI芯片在数据中心占比提高到70%或更高[2] 中国半导体企业技术突破 - 长鑫存储科技准备于明年量产第四代高带宽内存HBM3芯片[3] - 中国半导体企业与领先企业技术差距正快速缩小 尽管目前仍落后于三星和SK海力士的HBM3E版本[3] - 华为推出专为高性能数据中心设计的AI固态硬盘 进入传统由三星/SK海力士/美光科技主导的领域[3] 对韩国芯片制造商的影响 - 中国技术进步可能对三星电子和SK海力士构成竞争压力[2] - 专家警告韩国内存芯片制造商领先地位可能被削弱[3] - 中国芯片制造商拥有雄厚资本和人力资源 在国家干预下技术加速进步[3] 潜在市场机遇 - 更多AI芯片制造商出现可能拓宽供应基础 减轻对少数主导企业的依赖[4] - 市场多元化可能为韩国内存芯片供应商带来新的增长机会[4] - 保持下一代内存性能优势是关键竞争要素[4]