台积电引领先进制程进入1纳米时代 - 台积电已正式量产2纳米制程，并展开1.4纳米工艺研发，风险试产预计2027年启动，宣告全球半导体制造竞争进入1纳米时代 [3] - 台积电2纳米工艺（N2）采用纳米片晶体管架构，较3纳米在相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶体管密度提升约20% [5] - 台积电CEO表示2纳米良率表现良好，2026年将在智能手机与AI/HPC需求推动下加速产能爬坡 [5] 台积电技术路线与规划 - 1.4纳米制程被视为“渐进式更小节点”战略，将在N2基础上滚动优化并推进产线建设，目标在2028年前后逐步进入量产 [5][6] - 1.4纳米或延续GAA架构并引入超级电轨背面供电技术，重点优化AI与高性能计算芯片性能，但其初期良率可能低于20% [6] - 公司短期产能聚焦2纳米，供给高端手机或AI芯片；中期视1.4纳米良率曲线而定，若良率快速推高，市场需求可能出现“弹性爆发” [6] 主要竞争对手动态 - 三星电子规划到2027年前后推进1.4纳米级别制程投产，其第二代2纳米工艺（SF2P）相较3纳米性能提升12%、功耗降低25% [7] - 三星2纳米初期良率仅20%—30%，至2025年年底已达40%—50%，目标在2026年年初提升至70%，正将德州工厂作为2纳米产能核心 [8] - 英特尔18A制程（等同于1.8纳米）已于2025年进入量产阶段，预计2026年扩大商业化应用，并视其为夺回制程领导权的关键 [9] 市场需求与应用前景 - AI芯片、智能驾驶、高端消费电子是1.4纳米工艺的核心应用场景，2025年AI芯片制造商对3纳米及以下制程设备采购量占全球先进设备总需求三成以上 [10] - 到2030年，全球先进制程（5纳米以下）代工市场规模将突破1200亿美元，其中1.4纳米及以下节点将占据高端逻辑芯片产值的40%以上 [10] - 由于极高进入壁垒，市场预计1.4纳米初期代工单价将比3纳米高出约50%，可能为晶圆厂带来惊人的长尾利润 [11] 市场竞争格局展望 - 若台积电在1.4纳米上快速提升良率并与大客户绑定，其领先优势将放大，高端市场“单极”格局可能更稳固 [11] - 若三星或英特尔通过差异化技术或本地化政策争取到高价值订单，全球高端代工市场可能出现更明显的“分区化”竞争 [11] - 中国大陆厂商在成熟制程持续扩产并加大先进技术研发，Yole Group预测2030年中国大陆有望以30%的全球晶圆代工产能份额成为全球最大代工中心 [12]