行业与公司 * 涉及的行业为**全球半导体制造设备（WFE）行业**，具体聚焦于**前沿逻辑/代工**与**存储芯片（尤其是DRAM和HBM）** 的资本支出[1] * 涉及的公司为三家**欧洲半导体设备企业**：**ASML、ASMI、BESI**[1] 核心观点与论据 * **WFE支出预测全面上调**：美国团队更新了对全球半导体设备支出的预测，2026/2027/2028年WFE支出同比增长预期分别为+20%/+21%/+9%，此前预期总额分别为1240亿美元/1320亿美元/1440亿美元[1] * **存储芯片（尤其是DRAM与HBM）是近期驱动主力**：WFE预测上修主要由存储芯片厂商在供需紧张环境下的强劲产能扩张驱动，特别是用于AI加速器的先进存储芯片（如HBM）[1] 美国团队预测2026/27/28年DRAM WFE支出同比增长分别为+25%/+18%/+5%，此前预期总额为380亿美元/400亿美元[2] * **前沿逻辑/代工需求提供中期支撑**：代工需求的强劲预期支撑了中期更高的WFE估计，主要因为台积电正持续推进其N2节点的产能[2] 美国团队预测2026/27/28年代工WFE支出同比增长分别为+28%/+25%/+10%，此前预期总额为450亿美元/510亿美元/590亿美元[2] * **对欧洲半导体设备企业持积极态度**：更强的WFE支出背景被视为对ASML、ASMI和BESI的积极信号[1] 各公司具体分析 ASML * **受益于存储与逻辑双重需求**：ASML对前沿存储应用的敞口最高，将受益于未来产能扩张[3] 同时，随着台积电为N2节点制定激进的产能提升计划，以及ASML的EUV工具在该节点的领先地位（>12M），公司也将从前沿逻辑/代工应用的新增产能中受益[3] * **订单情况**：ASML的4Q25订单量约为13亿欧元，主要由存储订单驱动[3] * **长期趋势利好**：随着行业向更复杂架构和外形尺寸过渡，光刻强度的提升将使ASML在逻辑和存储应用中均受益[3] * **投资评级与风险**：维持买入评级，12个月目标价基于37倍CY27市盈率[6] 关键风险包括EUV延迟、资本支出周期性以及不利的市场份额变化[6] 最新收盘价为1255.60欧元[6] ASMI * **受益于前沿逻辑/代工需求与GAA过渡**：ASMI是强劲前沿逻辑/代工需求的受益者，其单晶圆ALD工具是GAA（全环绕栅极）过渡的关键组件，而台积电将在N2节点首次采用该技术[4] 公司已开始为GAA过渡提供其SW-ALD工具，鉴于N2产能提升是一个多年过程，2026年可能会有增量利好[4] * **长期受益于节点收缩与架构过渡**：ASMI将继续从2026年以后的未来节点收缩和架构过渡（如GAA在1.4nm及DRAM从6F2过渡到4F2）中受益，在2nm节点的后GAA过渡中，ASMI将成为支出的更大受益者[4] * **在存储领域存在AI机会**：ASMI的高k金属栅极工具在HBM设备上获得了良好的市场反响[4] * **投资评级与风险**：维持买入评级，12个月目标价基于25倍2HCY26+1HCY27 EV/EBITDA倍数[7] 关键风险包括半导体周期恶化、强于预期的竞争以及高客户集中度[7] 最新收盘价为709.4欧元[7] BESI * **受益于先进封装趋势**：积极的前沿逻辑/代工资本支出数据支持采用BESI的混合键合（HB）工具，公司已向台积电和英特尔供应HB工具[5] 随着更多AI加速器制造商转向基于芯粒的设计，BESI将成为关键受益者，因其HB工具提供了封装芯粒最具成本效益和精确的方法[5] * **受益于先进存储支出**：先进存储（如HBM）的强劲支出前景，对BESI的HB和热压键合（TCB）工具是积极的[5] * **投资评级与风险**：维持买入评级，12个月目标价基于28倍CY27 EV/EBITDA倍数[8] 关键风险包括客户支出周期性、混合键合采用延迟以及竞争加剧[8] 最新收盘价为184.5欧元[8]

台积电引领先进制程进入1纳米时代 - 台积电已正式量产2纳米制程，并展开1.4纳米工艺研发，风险试产预计2027年启动，宣告全球半导体制造竞争进入1纳米时代 [3] - 台积电2纳米工艺（N2）采用纳米片晶体管架构，较3纳米在相同功耗下性能提升10%—15%，相同性能下功耗降低25%—30%，晶体管密度提升约20% [5] - 台积电CEO表示2纳米良率表现良好，2026年将在智能手机与AI/HPC需求推动下加速产能爬坡 [5] 台积电技术路线与规划 - 1.4纳米制程被视为“渐进式更小节点”战略，将在N2基础上滚动优化并推进产线建设，目标在2028年前后逐步进入量产 [5][6] - 1.4纳米或延续GAA架构并引入超级电轨背面供电技术，重点优化AI与高性能计算芯片性能，但其初期良率可能低于20% [6] - 公司短期产能聚焦2纳米，供给高端手机或AI芯片；中期视1.4纳米良率曲线而定，若良率快速推高，市场需求可能出现“弹性爆发” [6] 主要竞争对手动态 - 三星电子规划到2027年前后推进1.4纳米级别制程投产，其第二代2纳米工艺（SF2P）相较3纳米性能提升12%、功耗降低25% [7] - 三星2纳米初期良率仅20%—30%，至2025年年底已达40%—50%，目标在2026年年初提升至70%，正将德州工厂作为2纳米产能核心 [8] - 英特尔18A制程（等同于1.8纳米）已于2025年进入量产阶段，预计2026年扩大商业化应用，并视其为夺回制程领导权的关键 [9] 市场需求与应用前景 - AI芯片、智能驾驶、高端消费电子是1.4纳米工艺的核心应用场景，2025年AI芯片制造商对3纳米及以下制程设备采购量占全球先进设备总需求三成以上 [10] - 到2030年，全球先进制程（5纳米以下）代工市场规模将突破1200亿美元，其中1.4纳米及以下节点将占据高端逻辑芯片产值的40%以上 [10] - 由于极高进入壁垒，市场预计1.4纳米初期代工单价将比3纳米高出约50%，可能为晶圆厂带来惊人的长尾利润 [11] 市场竞争格局展望 - 若台积电在1.4纳米上快速提升良率并与大客户绑定，其领先优势将放大，高端市场“单极”格局可能更稳固 [11] - 若三星或英特尔通过差异化技术或本地化政策争取到高价值订单，全球高端代工市场可能出现更明显的“分区化”竞争 [11] - 中国大陆厂商在成熟制程持续扩产并加大先进技术研发，Yole Group预测2030年中国大陆有望以30%的全球晶圆代工产能份额成为全球最大代工中心 [12]

台积电先进制程产能与策略 - 为满足AI GPU与CSP自研ASIC的庞大需求，台积电正加速进行产能优化与制程重配置，策略包括将台中Fab 15的7纳米旧产能及台南Fab 18的5纳米产线转进3纳米制程 [1] - 2026年多数高阶AI芯片将全面导入3纳米或其强化版本，例如辉达VR系列、AWS Trainium 3、Google TPU等 [1] - 比起先进封装产能，3纳米制程才是2025年真正的产能瓶颈，公司通过优化与转换既有产线来提升资本使用效率，而非单纯依赖新厂扩建 [1] - 台积电预计2纳米制程将于2025年开启，其产能已排至2026年底，为满足需求，公司启动三座新生产线建设，预计总投资达286亿美元 [4] - 台积电计划在2026年底将其2纳米月产量提升至10万片，该技术将成为其成长的主要驱动力 [5] 先进封装技术发展 - 台积电CoWoS仍是AI芯片的主流封装方案，预计至2024年底月产能上看12万片 [1] - 封装需求外溢至专业封测代工厂，不仅可纾解短期产能压力，也有助于降低未来封装技术世代更迭风险 [1] - 随着AI芯片设计复杂化，单位晶圆可切割的有效晶粒数下降，放大了对先进制程晶圆的需求，例如辉达Rubin GPU在8倍光罩尺寸下可切割晶粒只有4颗 [2] - CoPoS（Chip on Polymer Substrate）将是2025年技术发展重点，代工龙头预计在2025年第二季建置CoPoS研发实验线，研发预计2027年底完成、2028年进入量产 [2] - CoPoS技术将处理更大的晶圆，机台面积需放大，且因处理良品裸晶粒导致报废成本高，机台复杂度提升很多 [2] 2纳米制程技术竞争与客户需求 - 台积电2纳米制程采用GAA架构，旨在提升效能与效率，与FinFET相比，能在相同功耗下实现10-15%的效能提升，或在特定效能等级下降低25-30%的功耗 [4] - 苹果A20和A20 Pro等芯片组将成为推动台积电2纳米技术普及的主要动力 [4] - 高通、联发科、苹果、超微等众多客户都是2纳米制程的知名用户，但据传苹果为压制竞争对手，已预定了超过一半的初始产能 [5] - 三星已于2024年稍早开始量产其2纳米GAA制程，但与先前的3纳米GAA制程相比，已公布的性能、效率和面积数据并不十分详尽，可能由于良率尚未达到最佳状态 [6]

台积电2纳米制程进展 - 公司明年将有4座2纳米工厂满载运转，合计月产能达6万片晶圆 [2] - 2纳米单片晶圆报价上看3万美元，较3纳米制程高出50% [2] - 目前试产阶段良率已达60%，已具备稳定量产条件 [2] - 苹果、高通与联发科等大客户预计将率先采用2纳米制程 [2] 台积电2纳米产能布局 - 新竹P1厂已完成试产并即将启动量产 [2] - 高雄P1厂已开始量产，月产能约1万片 [2] - 高雄P2厂正在装机，预计3-4个月后启动试产，满载后月产能可达3万片 [2] 客户成本与竞争态势 - 公司推出"CyberShuttle"共享试产服务，允许多家客户共用试晶圆以降低成本 [2] - 若三星成功推进2纳米GAA架构芯片并提高良率，可能对台积电形成价格压力 [2]