SK海力士AI存储产品战略 - 公司在OCP全球峰会上发布面向AI时代的“AIN (AI-NAND) Family”产品阵容，旨在满足AI推理市场快速增长带来的对快速、高效处理海量数据的NAND存储需求 [1] - AIN产品系列从性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三个维度进行优化，目标是同时提升数据处理速度和存储容量 [1] AIN产品系列具体规划 - **AIN P (Performance)**：专注于在大规模AI推理环境中高效处理海量数据读写，通过最小化AI计算与存储之间的瓶颈来提升处理速度和能效，采用全新架构设计NAND与控制器，计划于2026年底推出样品 [2] - **AIN D (Density)**：定位为高密度解决方案，目标是以低功耗、低成本存储大容量AI数据，计划将基于QLC的TB级SSD容量提升至PB级，兼具SSD速度与HDD经济性，作为中间层级存储 [2] - **AIN B (Bandwidth)**：是通过垂直堆叠NAND来扩大带宽的解决方案，采用了名为“HBF（高带宽闪存）”的技术，其概念借鉴自HBM [1][2] HBF (高带宽闪存) 技术发展 - 开发AIN B的初衷是为了解决内存容量不足问题，核心是将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合，公司正在研究将其与HBM协同部署以补充容量 [3] - 为推动HBF生态系统发展，公司与美国SanDisk于8月签署了HBF标准化谅解备忘录（MOU），并在OCP峰会期间举办“HBF之夜”活动，邀请全球大型科技公司代表及专家参与，提议业界携手加速NAND存储产品创新 [3] HBM产能与未来规划 - 公司已开始向正在清州建设的M15X HBM生产基地搬入首批设备，该工厂是公司在现有M15工厂基础上追加投资超过20万亿韩元建设的扩建基地 [5] - M15X计划重点量产下一代HBM产品，公司将根据明年客户对产量的需求可见性逐步扩大产能，并预计到明年年底不会因厂房空间限制出现HBM供应不足的情况 [5] - 公司今年的HBM产能已全部售罄，并且在三大存储厂中率先完成第六代HBM（HBM4）的量产准备，目前正与英伟达就供应量进行谈判 [5] 公司战略定位 - 公司通过OCP全球峰会和HBF之夜活动，展示了其作为“全球AI内存解决方案提供商”在AI驱动市场中的现状与未来，计划在下一代NAND存储领域继续与客户及合作伙伴携手，成为AI内存市场的核心玩家 [4]

公司战略发布 - 公司在2025年OCP全球峰会上公布了下一代NAND存储产品战略 [1] - 为满足AI推理市场快速增长的需求，公司正式推出针对AI时代优化的“AIN (AI-NAND) Family”系列解决方案产品 [2] AIN产品系列详情 - AIN系列包含分别针对性能、带宽和密度优化的NAND解决方案产品，旨在提升数据处理速度和存储容量 [3] - AIN P (性能型) 旨在高效处理大规模AI推理工作负载下产生的大容量数据，通过最小化存储与AI操作间的瓶颈来显著提升处理速度和能效，计划于2026年底发布样品 [3] - AIN D (密度型) 是一种高密度解决方案，旨在以低功耗和低成本存储大量AI数据，目标是将密度从当前QLC SSD的TB级别提升至PB级别，实现SSD的速度和HDD的成本效益 [4] - AIN B (带宽型) 是公司利用HBF™技术的解决方案，通过垂直堆叠多个NAND来扩展带宽 [5] HBF技术发展 - HBF技术类似于堆叠DRAM芯片的HBM，是通过垂直堆叠多个NAND闪存制成的产品 [6] - 公司凭借全球顶级的HBM研发和生产能力，早期即开始研究AIN B，以解决AI推理扩展和LLM规模扩大带来的内存容量差距问题，关键是将HBM的堆叠结构与高密度、成本效益高的NAND闪存相结合 [6] - 公司正考虑将AIN B与HBM放置在一起以增强整体系统容量等多种策略 [6] 生态系统合作 - 公司与Sandisk在8月签署HBF标准化谅解备忘录后，联合举办了“HBF Night”以扩展技术生态系统 [7] - 活动吸引了众多行业架构师和工程师参与，并提出了跨行业合作以加速NAND存储产品创新的提议 [8][9] - 公司表示将通过紧密的客户与合作，成为下一代NAND存储市场的关键参与者 [9]