**全球科技行业NAND市场AI驱动增长分析** **涉及行业与公司** * NAND闪存行业 重点关注AI推理存储需求增长及供应格局变化[1] * 涉及公司包括NAND供应商SanDisk KIOXIA 三星电子 模组制造商Phison Longsys 组件供应商SIMO Aspeed HDD制造商WDC STX 设备商Advantest Disco Lam Research等[3][17] **核心观点与论据** * AI推理需求驱动NAND市场增长 预计2029年AI NAND整体可服务市场规模达290亿美元 占全球NAND市场34%[1][2][9] * QLC eSSD成为AI应用最优存储解决方案 因满足高速大容量随机I/O访问需求 新技术如NL SSD和HBF有望解决内存产能瓶颈[1][2][12] * 供应短缺预测 基准情境下2026年出现2% NAND短缺 乐观情境下NL SSD替代HDD份额达5%可能导致8%短缺[2][10] * 行业周期转折 自2022年供过于求后 预计2026年供需平衡 2026年下半年短缺加剧 但下行周期较温和[2][10] * 云服务商采购计划支撑需求 主要云服务商已就2026年AI NAND和NL SSD大额订单与供应商讨论[2][10] **投资机会与股票偏好** * 偏好NAND供应商而非模组制造商 因上行周期议价能力更强 超配SanDisk目标价从70美元上调至96美元 KIOXIA 三星电子[1][3][13][17] * 超配模组制造商Phison和Longsys 因NAND价格上涨利好 超配组件供应商SIMO和Aspeed因需求增长[3][17] * 超配HDD制造商WDC和STX AI数据丰富型文件为HDD和eSSD带来水涨船高利好 总拥有成本差异维持6-8倍[3][17] * 偏好设备商Advantest和Disco因HBF市场扩张 低配Lam Research因NAND资本支出保守及中国限制[3][17] * 2026年每股盈利预测比市场一致预期平均高出26% 反映AI NAND增长主题被低估[3][14] **其他重要内容** * 风险回报分析显示SanDisk上行空间36% Longsys 26% KIOXIA 23% 三星电子20%[20] * 悲观情境下无AI需求或NL SSD替代 NAND行业可能出现10%过剩[10] * 创新推动行业变革 NL SSD成本显著低于QLC SSD可能加速eSSD渗透[12] * 监管披露摩根斯坦利持有部分覆盖公司1%以上普通股 包括SanDisk Lam Research等[26]

涉及的行业或公司 * NAND闪存行业[1][10][12] * 人工智能（AI）推理和训练市场[1][12][21] * 云服务提供商（CSPs）[14][24][41] * 相关上市公司：SanDisk (SNDK.O)[12][15][41]、KIOXIA Holdings[15][65]、三星电子 (Samsung Electronics)[15][72]、美光 (Micron)[27][50]、SK海力士 (SK hynix)[27][72]、西部数据 (WDC)[15][35][55]、希捷科技 (STX)[15][35][55]、群联电子 (Phison)[15][27][57]、江波龙 (Longsys)[15][27][61]、慧荣科技 (SIMO)[15][29][57]、信骅 (Aspeed)[15][29][60]、爱德万测试 (Advantest)[15][35][64]、迪思科 (Disco)[15][35][64]、华邦电 (Nanya Technology)[42][43]、澜起科技 (Fadu)[27][29][78]、Pure Storage[27]、Lam Research[15][35][53] 核心观点和论据 **AI驱动NAND需求增长** * AI推理需求正推动NAND市场增长，预计到2029年AI NAND市场将带来290亿美元的增量总目标市场（TAM），占全球NAND市场的34%[1][13][22] * 在出货量方面，预计到2029年AI相关NAND使用量将达到431EB，占全球NAND位元出货量的20%[22] * QLC eSSD因其高速、高容量和随机I/O访问能力，已成为AI应用场景（如存储预训练模型、检查点、KV缓存卸载和微调数据）的最优存储解决方案[12][21][86] * 主要云服务提供商（CSPs）已因HDD产能限制，开始与供应商讨论2026年的大额AI NAND和近线（NL）SSD订单[14][24] **行业周期与供需展望** * NAND行业自2022年以来一直处于供过于求状态，但预计到2026年供需将趋于平衡，并在之后可能出现供应短缺[14][24] * 在基准情景下，预计2026年NAND将出现2%的短缺；在乐观情景下，若NL SSD从NL HDD中夺取5%的市场份额，短缺可能扩大至8%；在悲观情景下，若无AI需求提振，则可能出现10%的供应过剩[13][23] * 尽管预计2025年第四季度起消费者需求疲软将拖累采购，但本次下行周期预计将较以往更浅[14][24] * 2025年第三季度eSSD定价因需求强劲环比上涨3-8%，第四季度合约价预计持平至小幅上涨，优于市场预期的环比下降0-5%[140][141] **技术革新与新产品** * 近线SSD（NL SSD）预计将于2025年底/2026年推出，目标成本在每GB 0.04-0.05美元，旨在作为当前QLC eSSD（每GB约0.09美元）的廉价替代品，替代存储服务器中的NL HDD（每GB约0.011美元）[157][160][163] * 高带宽闪存（HBF）等新技术有望帮助解决AI集群中的内存容量瓶颈[12][26] * NAND控制器对于实现闪存存储系统的性能、可靠性和寿命至关重要，慧荣科技（SIMO）是NVIDIA BlueField 3 DPU的eSSD控制器供应商，预计2025年将贡献其3%的收入[26][29][151] **投资偏好与股票影响** * 看好NAND供应商（如SanDisk、KIOXIA、三星电子）在上行周期中更强的议价能力[15][26][27] * 看好模块制造商（如群联电子、江波龙），因供应商将产能转向eSSD将导致非AI应用供应紧张[15][27] * 看好组件供应商（如慧荣科技、信骅），因其收入将随行业增长而增长[15][29] * 在晶圆厂设备（WFE）领域，对Lam Research持谨慎态度，因NAND资本支出展望保守且受中国限制措施影响，但看好爱德万测试和迪思科因其在高速闪存测试和HBM研磨机市场的地位[15][35][53] * 继续超配HDD供应商西部数据和希捷科技，因AI产生的数据丰富文件将为HDD和eSSD带来“水涨船高”的顺风[15][35][55] * 报告中对关键超配（OW）股票的2026年每股收益（EPS）预测比市场共识平均高出26%，表明其对AI NAND长期增长故事持更乐观的看法[15][30] 其他重要内容 **区域视角** * **美国**：将SanDisk列为首选股，目标价从70美元上调至96美元，因其在eSSD领域的机遇和AI对估值倍数的潜在提升[12][41][48] * **大中华区**：超配模块制造商群联电子和江波龙，看好其受益于NAND价格顺风和AI需求；超配慧荣科技和信骅，看好其组件需求增长[15][57][60] * **日本**：重申对KIOXIA的超配评级，目标价从2900日元上调至3900日元，反映其eSSD需求扩张；看好爱德万测试和迪思科在高速闪存市场的机遇[15][64][65] * **韩国**：三星电子仍是首选股，SK海力士通过Solidigm成为NAND上行周期的主要受益者；Fadu为投资者提供了参与NAND市场复苏和AI主题的独特机会[72][78] **风险与挑战** * AI基础设施的部署方式在CSPs中尚未标准化，且基础模型的变更不可预测，这可能对长期趋势分析构成挑战[92][137] * 若宏观经济因素或公司决策导致整体AI基础设施部署暂停，将对分析构成下行风险[138] * 苹果公司因关税担忧在2025年提前建立库存，以及2025年第二季度NAND行业出货量同比增长17%，可能引发2026年初的另一场温和库存调整[47]

HBM技术概述 - 高带宽内存(HBM)采用独特的3D堆叠结构，通过先进封装技术将多个DRAM芯片垂直堆叠(通常为4层、8层或12层)，带宽远高于GDDR等传统内存解决方案[1] - HBM具备高带宽和低延迟特性，已成为AI大模型训练与推理的关键组件，在AI芯片中扮演"L4缓存"角色，显著提升数据读写效率并缓解内存带宽瓶颈[2] HBM技术演进 - HBM1于2014年发布，带宽128GB/s，存储密度1GB内存[2] - HBM2于2016年由三星率先发布，带宽提升至256GB/s，堆叠层数发展到4层和8层[2] - HBM2E于2019年由三星率先发布，SK海力士产品带宽达460GB/s[2] - HBM3于2022年由SK海力士发布，带宽819GB/s，堆叠层数达12层，容量提升到24GB[2] - HBM3E于2024年由SK海力士量产，带宽1229GB/s，容量达24GB或36GB[2] - 所有HBM代际均保持1024位接口宽度[2] SK海力士市场表现 - SK海力士在HBM领域市场份额显著领先，与三星的份额差距已扩大至两倍以上[3] - 2024年第二季度，SK海力士以约21.8万亿韩元的DRAM及NAND销售额首次超越三星电子(约21.2万亿韩元)，登顶全球存储销售额榜首[3] - SK海力士是英伟达的主要独家供应商，其HBM3E产品2025年的8层及12层产能已全部售罄[3] - 截至2024年第一季度，SK海力士在HBM市场份额达53%，三星电子占比38%，美光科技占10%[17] 三星电子市场状况 - 三星电子因向英伟达交付延迟错失良机，在HBM3E领域大幅落后于SK海力士[4] - 三星HBM市场份额从2023年第二季度的41%暴跌至2024年第二季度的17%[4] - 三星计划2025年将HBM供应量提升至2024年的两倍[17] HBM替代方案开发 - 行业厂商加速技术创新，探索HBM替代方案[5] - 三星电子重启Z-NAND内存技术，目标将性能提升至传统NAND闪存的15倍，功耗降低多达80%[6] - 新一代Z-NAND将搭载GPU发起的直接存储访问(GIDS)技术，允许GPU直接从存储器获取数据[6] - NEO Semiconductor推出X-HBM架构，基于3D X-DRAM技术，带宽达到现有内存技术的16倍，密度为现有技术的10倍[10] - X-HBM具备32K位总线和每芯片512Gbit容量，可绕过传统HBM技术需耗时十年才能突破的性能瓶颈[10] - Saimemory研发全新堆叠式DRAM架构，目标容量较传统DRAM提升至少一倍，功耗较HBM降低40%-50%[11] - 闪迪与SK海力士联合制定高带宽闪存(HBF)规范，计划2026年下半年推出首批样品[12] - HBF通过用NAND闪存替代部分内存堆栈，在成本与带宽接近DRAM型HBM基础上，将容量提升至后者的8-16倍[13] 架构创新 - 存算一体架构(PIM/CIM)在存储器本体或邻近位置集成计算功能，规避传统架构中"计算-存储-数据搬运"的瓶颈[15] - 该架构能缩短系统响应时间，使能效比实现数量级提升，有望将对高带宽内存的依赖度降低一个数量级[15] - 华为发布UCM推理加速套件，融合多种缓存加速算法工具，可减少对HBM的依赖同时提升推理性能[16] 市场现状与趋势 - 2025年初HBM3芯片现货价格较2024年初暴涨300%[17] - 单台AI服务器的DRAM用量达到传统服务器的8倍[17] - 美光科技目标2025年将HBM市占率提升至20%以上[17] - 未来AI内存市场将呈现异构多元的层级体系，各类技术针对特定工作负载实现精准优化[18] - HBM聚焦训练场景，PIM内存服务于高能效推理，专用片上内存架构适配超低延迟应用[18] - 新型堆叠DRAM与光子互连等技术也将在系统中占据一席之地[18]

NAND在AI热潮中的角色 - NAND在AI计算中的需求远低于DRAM，主要因为AI大模型训练需要超高带宽和低延迟存储，而NAND带宽仅7~14GB/s，延迟高达几十微秒，无法满足核心需求[1] - AI芯片通常直接封装HBM，NAND仅是AI服务器的二级存储，导致DRAM成为刚需而NAND仅是附属需求，利润差距显著[1] - 在训练端NAND主要用于存储数据而非计算加速，一旦数据加载到GPU DRAM后作用大幅降低[2] - 推理端对NAND需求更小，大部分模型参数已存入HBM或DRAM，NAND只存放预处理数据[2] NAND市场现状 - 2024年Q1全球智能手机出货量同比增长8.2%，中国市场256GB以上大容量机型占比提升至67%[6] - AI服务器建设推动企业级SSD需求激增，单季度采购量环比增长32%，北美三大云服务商订单占全球58%[6] - 厂商减产策略见效，NAND Flash合约价Q1环比涨17%，1TB TLC SSD批发价突破45美元，较2023年Q4低谷回升23%[6] - 2024年Q2全球NAND闪存销售额增长14.2%达167.97亿美元，ASP上涨约15%[8][9] - 企业级SSD合约价在2023年Q4至2024年Q3间累积涨幅超80%[7] 技术发展与创新 - SanDisk推出高带宽闪存(HBF)技术，可为GPU提供高达4TB VRAM容量，目标匹配HBM带宽同时提供8-16倍容量[15] - HBF采用16颗核心芯片堆叠，通过硅通孔互连和逻辑芯片实现并行访问，基于BICS 3D NAND架构[15][16] - 八个HBF堆叠单元提供4TB容量，单个16层单元存储512GB，是8-Hi HBM3E容量的21倍[18] - 三星推出30TB QLC SSD和PM9C3a企业级SSD，采用176层堆叠和PCIe 5.0接口，读取带宽达14GB/s[10][22] - 长江存储232层产品良率达85%，加剧中低端市场竞争[10] 市场分化与挑战 - AI数据中心市场与企业级SSD需求强劲，2024年采购容量超45EB，未来几年年增率超60%，占比将从5%升至9%[7][10] - 消费电子市场疲软，618大促SSD零售量同比下滑12%，512GB TLC SSD现货价单周暴跌9%[9] - 智能手机存储容量升级进入平台期，主流机型定格512GB，需求增速放缓至个位数[10] - 厂商库存压力大，渠道库存达6-8周(较健康水平高40%)，美光Q2库存周转天数维持98天[9] 行业策略与展望 - 厂商实施精准减产策略，全球NAND晶圆投产规模缩减10%-15%，推动供需向紧平衡过渡[23] - SK海力士企业级SSD出货占比提升至40%，与AWS合作开发的分层存储系统使AI训练数据集加载效率提升70%[23] - 铠侠优化数据中心产品组合，2024年Q2企业级SSD营收环比激增27.7%[24] - 三星在AI服务器市场斩获60%份额，巩固62亿美元季度营收龙头地位[24] - QLC技术存储密度比TLC高33%，在企业级应用擦写次数突破5000次，可靠性疑虑消除[10][22]

NAND市场现状与AI机遇 - NAND在AI计算中的角色远不如DRAM重要，主要因为带宽和延迟无法满足AI核心需求（DRAM带宽达1TB/s，NAND仅7-14GB/s）[1] - AI训练阶段NAND仅用于存储初始数据集，推理阶段需求更小，模型参数主要存储在HBM或DRAM中[2] - NAND市场面临产能过剩和激烈竞争，AI数据中心仍采用HDD+SSD混合架构，未完全转向SSD[3] 2024年NAND市场动态 - 2024年Q1智能手机出货量同比增长8.2%，中国市场256GB以上机型占比达67%[5] - AI服务器推动企业级SSD需求激增，单季度采购量环比增长32%，北美三大云服务商占全球订单58%[5] - 厂商减产策略见效，NAND Flash合约价Q1环比涨17%，1TB TLC SSD批发价回升23%至45美元[5] - 2024年Q2全球NAND销售额增长14.2%至167.97亿美元，ASP上涨约15%[7][8] - AI相关SSD采购容量预计超45EB，未来几年年增率超60%，占NAND Flash比例从5%升至9%[6] 技术发展与市场分化 - 企业级SSD需求强劲，30TB以上产品占比突破25%，QLC擦写次数达5000次可靠性提升[9] - 消费电子市场疲软，618大促SSD零售量同比下滑12%，512GB TLC SSD现货价单周暴跌9%[8] - 三星推出30TB PM9C3a企业级SSD，采用176层堆叠和PCIe 5.0接口，读取带宽14GB/s[21] - 厂商加速制程升级，计划2025年量产2YY/3XX层产品，目标量产120TB enterprise SSD[6] HBF技术的突破 - SanDisk推出高带宽闪存(HBF)技术，首代可提供4TB VRAM容量，带宽目标匹配HBM[13][14] - HBF采用16颗3D NAND核心芯片堆叠，通过TSV互连和逻辑芯片实现并行访问[15][16] - HBF定位AI推理市场，成本相近下容量是HBM的8-16倍，但延迟仍高于DRAM[17] - 技术采用与HBM类似的电气接口，需主机设备协议调整支持，计划发展为开放标准[18] 行业战略调整 - 厂商实施精准减产：美光缩减20%消费级产能，铠侠削减15%晶圆投入，西部数据稼动率降至70%[22] - SK海力士企业级SSD占比提升至40%，与AWS合作系统使AI训练数据加载效率提升70%[22] - 三星在AI服务器市场占据60%份额，2024年Q2企业级SSD营收环比增长14.8%[22][23] - 铠侠2024年Q2企业级SSD营收环比激增27.7%，优化数据中心产品组合见效[23]