光刻技术差距 - 中国光刻机公司技术落后美国同行至少20年 [2] - 中国本土光刻设备制造商目前处于65纳米工艺阶段 [5] - ASML从65纳米过渡到3纳米以下技术耗费20年时间及400亿美元研发投入 [4][5] 技术瓶颈与限制 - 光刻设备是芯片制造过程中的核心瓶颈 [4] - 中国无法获取ASML最先进的EUV设备导致芯片制程技术落后业界巨头10-15年 [5] - ASML因遵守瓦圣那协议从未向中国出口EUV设备 [5] 国际管制影响 - 美国政府有权限制ASML对华销售因其设备依赖美国零部件 [2] - 美国正施压ASML停止对中国先进DUV系统提供维修服务 [6] - 荷兰政府尚未同意美方关于维修服务的限制要求 [6] 行业技术对比 - 当前领先芯片制造商如台积电已量产3纳米并推进2纳米芯片生产 [4] - EUV及高数值孔径EUV扫描仪可实现更精细电路图案转移 [4] - 图案转移后需经过蚀刻、材料沉积及晶圆清洁等完整制造流程 [4]