如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 在从英特尔离开之后，前英特尔CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 找到了新的岗位，那就去 EUV光源初创公司xLight的执行董事长。 熟悉半导体的读者应该知道，光刻技术的核心是光。目前，最先进的芯片制造采用一种名为极紫外 (EUV) 光刻的工艺，该工艺使用特定波长的光将电路图案以纳米级打印到硅pain上。目前产生 EUV 光的方法——激光等离子体 (LPP：Laser produced plasma)——极其耗电（约 1.5 兆瓦的电 力只能产生 500 瓦的光）。 而新创公司xLight则希望使用粒子加速器为光刻机产生光，并声称它可以在 2028 年之前生产出这 种光源，同时保持与现有工具的兼容性。 革命EUV光刻 xLight 在 官 网 表 示 ， 公 司 的 使 命 是 将 粒 子 加 速 器 驱 动 的 自 由 电 子 激 光 器 (FEL ： Free Electron Lasers ) 商业化，以满足美国关键的经济和国家安全应用。xLight也指出，公司正在打造全球最强 大的激光器，以革新半导体光刻、计量技术以及其他关键的经济和国家安全应 ...

公司动态 - 前英特尔CEO帕特·基辛格加入EUV光源初创公司xLight担任执行董事长 [1] - xLight计划在2028年前推出基于粒子加速器的EUV光源技术 [3] - 公司正在构建功能齐全的原型，预计2028年可连接ASML扫描仪并运行晶圆 [8] 技术革新 - xLight采用自由电子激光器(FEL)技术，功率是现有LPP光源的4倍 [7][13] - 新技术可将每片晶圆成本降低约50%，资本和运营支出减少3倍以上 [7][13] - 单个xLight系统可支持多达20个ASML系统，使用寿命达30年 [13] - FEL系统具备可编程光特性，支持更短波长光刻技术 [15][17] 行业现状 - 当前EUV光刻采用激光等离子体(LPP)技术，1.5兆瓦电力仅产生500瓦光 [1][5] - ASML现有光源额定功率500瓦，未来需要1千瓦以上功率 [21] - LPP技术已接近物理极限，无法完全支持ASML未来版本扫描仪 [5] 技术对比 - FEL利用粒子加速器产生电子束，通过波荡器产生高强度光束 [10][21] - LPP技术采用二氧化碳激光器将锡液滴喷射成等离子体 [20] - FEL系统比LPP更易于维护且高度可靠 [10] - 日本KEK团队的cERL技术目前仅能产生红外光脉冲 [22] 市场前景 - 每个EUV光源蕴藏数十亿美元市场机遇 [6][8] - 新技术可为每台扫描仪带来数十亿美元额外年收入 [7][13] - 该技术有望延续摩尔定律数十年 [18] - 除半导体外，FEL还可应用于计量、检测、国家安全和生物技术领域 [8]