三星电子NAND V10量产延迟 - 下一代V10 NAND量产投资推迟至明年上半年 原计划今年下半年启动 主要因高层堆叠需求不确定性和新技术成本负担[1] - V10采用430层堆叠技术 较当前商用V9（290层）提升48% 需建立-60至-70°C超低温蚀刻环境[1] - 低温蚀刻设备评估遇阻 需与Lam Research、TEL合作调整温度参数 供应链确认延至明年Q1[2] - 设备多元化导致兼容性问题 现有Lam设备利用率下降 新增TEL设备需重新评估投资成本效益[2] 三星HBM业务突破 - 获得AMD HBM3E 12层芯片订单 用于MI350 AI加速器 打破此前在英伟达竞争中的失利局面[3] - 12层HBM3E性能提升50%以上 支持1,280GB/s带宽 采用TC NCF技术将芯片间隙压缩至7微米[4] - AMD MI400系列或采用三星HBM4 单个GPU配备432GB 服务器机架AI处理能力达当前10倍[5] - 三星计划用1c工艺生产HBM4 较竞争对手1b工艺更先进 目标年底前实现量产以重夺市场地位[5] 技术细节 - V10 NAND蚀刻工艺需在-60至-70°C环境完成 较传统工艺温度降低67% 实现无保护膜精确蚀刻[1] - HBM3E通过TSV技术堆叠24Gb DRAM芯片 单封装36GB容量 I/O速度达10Gbps[4] - HBM4标准已由JEDEC敲定 行业竞争聚焦于工艺制程 三星与SK海力士均加速量产进程[5]