公司战略与产能规划 - 美光计划在2026年将HBM4月产能提升至1万5000片晶圆规模 [1] - 该HBM4产能将占其整体HBM总产能（约5万5000片/月）的近30% [1] - 公司CEO表示将于2026年第二季度起显著提升HBM4产量 [1] - 公司预计HBM4的良率爬坡速度将快于上一代HBM3E [1] - 美光已启动设备投资，正加快产能建设 [1] 行业竞争格局 - 美光在HBM领域长期因产能规模落后于韩国竞争对手而处于劣势 [1] - 公司正通过提升下一代HBM4产能来全力押注AI内存市场 [1]

三星电子NAND V10量产延迟 - 下一代V10 NAND量产投资推迟至明年上半年 原计划今年下半年启动 主要因高层堆叠需求不确定性和新技术成本负担[1] - V10采用430层堆叠技术 较当前商用V9（290层）提升48% 需建立-60至-70°C超低温蚀刻环境[1] - 低温蚀刻设备评估遇阻 需与Lam Research、TEL合作调整温度参数 供应链确认延至明年Q1[2] - 设备多元化导致兼容性问题 现有Lam设备利用率下降 新增TEL设备需重新评估投资成本效益[2] 三星HBM业务突破 - 获得AMD HBM3E 12层芯片订单 用于MI350 AI加速器 打破此前在英伟达竞争中的失利局面[3] - 12层HBM3E性能提升50%以上 支持1,280GB/s带宽 采用TC NCF技术将芯片间隙压缩至7微米[4] - AMD MI400系列或采用三星HBM4 单个GPU配备432GB 服务器机架AI处理能力达当前10倍[5] - 三星计划用1c工艺生产HBM4 较竞争对手1b工艺更先进 目标年底前实现量产以重夺市场地位[5] 技术细节 - V10 NAND蚀刻工艺需在-60至-70°C环境完成 较传统工艺温度降低67% 实现无保护膜精确蚀刻[1] - HBM3E通过TSV技术堆叠24Gb DRAM芯片 单封装36GB容量 I/O速度达10Gbps[4] - HBM4标准已由JEDEC敲定 行业竞争聚焦于工艺制程 三星与SK海力士均加速量产进程[5]