RRAM电阻式存储器

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台积电发力设计服务
半导体行业观察· 2025-05-28 09:36
台积电欧洲战略布局 - 台积电将在德国慕尼黑设立首个欧洲设计中心(EUDC),专注于汽车、工业、AI、电信和物联网领域的芯片设计,预计2025年第三季度开放 [1] - 该设计中心将支持台积电对欧洲半导体制造公司(ESMC)的100亿欧元投资,ESMC由台积电持股70%,恩智浦、英飞凌和博世各持股10% [1] - 欧洲缺乏尖端设计专业知识,台积电此举旨在"手把手"指导客户充分利用其在德累斯顿建设的晶圆厂,该厂预计2027年投产 [1] 技术发展规划 - 台积电计划推出5nm MRAM磁性存储器和6nm RRAM电阻式存储器,以替代16nm以下工艺的闪存技术 [4] - 22nm MRAM已量产,16nm MRAM准备就绪,12nm MRAM正在开发中 [4] - 3nm工艺预计2025年下半年获得汽车应用认证,用于下一代中央AI和ADAS芯片 [5] - 16HV FinFET高压平台可将DDIC功耗降低28%,逻辑密度提升41%,应用于可折叠/轻薄OLED和AR眼镜 [6] 市场前景与产能规划 - 预计到2030年,汽车将占据1万亿美元半导体市场的15%,数据中心和AI将占45% [6] - 台积电将在台湾台中市启动Fab 25晶圆厂,专门生产A16和A14制程技术 [6] - A16和A14预计采用CFET设计,将nFET和pFET垂直堆叠,密度几乎翻倍 [6] 其他技术进展 - 台积电已开始探索性开发4nm N4e工艺,旨在将电压从0.4V进一步降低 [5] - 正在研究超低漏电SRAM和逻辑电路以延长电池寿命 [5] - N3E已实现旗舰移动和HPC/AI产品量产,N3P已于2024年第四季度量产 [5]