如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：本文 编译自 blocksandfiles ，谢谢。 目前有两家公司高度专注于 DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和SK 海力士。两家公司都在企 业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方 式，在两个市场中保持着各自的定位，期间既有失误，也有灵光乍现。 一个是英特尔的恩赐，另一个是被诅咒的。美光与英特尔结盟，推出了命运多舛的傲腾技术，最终 一蹶不振；而SK海力士则收购了陷入困境的英特尔SSD和NAND晶圆厂业务，并迅速进军高容量 SSD市场，该市场迅速腾飞，目前正蓬勃发展。SK海力士还阻止了西部数据与铠侠的合并，并早 早进军高带宽内存（HBM）业务，如今正借助英伟达的GPU内存优势一路飙升。 美光科技 美光科技于2005年通过与英特尔的合资企业进入闪存业务。2010年，该公司以12.7亿美元收购了 闪存芯片制造商Numonyx。随后，该公司于2013年收购了尔必达存储器(Elpida Memory)，从而 拓展了其内存业务，获得了苹果iPhone和iPad的内存供应业务。此外，该公司还于2016年收购了 PC ...

半导体内存技术发展历程 - 1980年代主流半导体内存技术包括SRAM、DRAM、EPROM和非闪存EEPROM [2] - 1980年代末出现早期持久性内存技术：Ramtron的FRAM和Simtek的SONOS闪存 其中FRAM技术至今仍在使用 [2] - 东芝1987年开始生产闪存 该技术在1990年代成为主流 目前闪存EEPROM广泛用于代码和数据存储 [2] - DRAM发展为SDRAM 简化了RAM存储相关操作但增加了高速走线匹配等新要求 [2] 新型替代内存技术现状 - 近十年出现FRAM、MRAM、ReRAM和PCM等技术 竞相成为存储级内存(SCM)主流方案 [3] - NOR闪存在28nm节点停止缩放 FinFET工艺无法兼容NOR闪存单元 迫使微控制器寻求替代存储方案 [3] - 微控制器转向替代方案的三个选择：FinFET+平面NOR闪存(成本高)、外部闪存(增加系统复杂度)、新型片上非易失性存储器 [4][5] - 已出现采用MRAM、FRAM和ReRAM的微控制器产品 如恩智浦汽车MRAM控制器(2023)、TI的16KB FRAM微控制器、瑞萨10.8Mbits MRAM实验芯片等 [6] 内存技术面临的挑战与机遇 - NAND闪存在15nm遇到缩放瓶颈 转向3D结构 SK海力士已开发321层3D NAND芯片 [7] - DRAM自1990年代采用3D沟槽电容器结构后同样面临工艺缩放限制 [7] - 英特尔/美光PCM技术(Optane/3D XPoint)因成本过高于2021-2022年停产 但未来可能随工艺进步恢复经济可行性 [8] - 新型存储器具有抗辐射、快速写入、字节可写等优势 适用于太空和军事等特殊领域 [9] 替代内存技术发展预测 - MRAM已应用于助听器和AR眼镜等嵌入式场景 [10] - 预计还需10年左右才能在嵌入式应用中替代闪存和SRAM 微控制器领域转型较慢 [10] - 独立内存芯片的替代进程将滞后于嵌入式应用 但转换速度更快 预计在嵌入式转型完成后迅速跟进 [10]