台积电先进制程涨价计划 - 台积电预计2026年将先进制程（7nm以下）报价提升3%至10%，为连续第四年上调价格[1] - 针对5纳米以下先进制程的连续4年涨价计划已启动，最抢手的3纳米制程报价预计至少上涨个位数百分比[2] - 2026年起台积电5nm制程以下价格预计上涨5%至10%，以维持高毛利率[2] - 先进制程已成为主要成长驱动力，5nm与3nm家族制程占第二季营收达六成，其中3nm占23%，5nm占37%[3] - 公司会综合考量客户采购规模、合作深度等因素决定具体涨幅，确保在反映成本的同时维持客户关系稳定[3] 存储芯片市场动态 - 三星电子已率先暂停10月DDR5 DRAM合约报价，引发SK海力士和美光等其他存储原厂跟进，恢复报价时间预计延后至11月中旬[1][5] - 第四季度上游原厂仅对科技龙头或一线云厂商提供报价，DDR5几乎未释放产能给一般客户，存储市场已完全进入卖方市场[5] - 因三星迟迟不愿提供合约报价，DDR5现货价格在短短一周内飙升25%[5] - 自今年第四季度至明年上半年，DDR5价格预计将"连续三级跳"暴涨，逐季朝向30%至50%的涨幅推进，2026年上半年DDR5 16Gb报价或高达30美元[5] 行业价格预测与周期判断 - 研究机构预测2026年先进制程整体涨幅将优于今年[3] - 第四季度一般型DRAM价格预计上涨18%至23%，若加计HBM，涨幅将扩大至23%至28%；NAND Flash各类产品合约价预计全面上涨，平均涨幅为5%至10%[6] - 随着北美云服务商释放积极的2026年DRAM需求展望，预计将带动DRAM整体需求增长及价格上涨，动能延续至2026年[6] - 第三季度DRAM平均库存降至8周，低于去年同期的10周与2023年初的31周，市场供应快速吃紧[6] - 本轮涨价被视为"超级周期"的启动，AI是核心驱动力，全球对高带宽内存HBM的需求急剧增加[6] 市场反应与公司表现 - 截至韩国股市收盘，SK海力士股价暴涨近11%，三星电子股价大涨超3%，再度创出历史新高[1] - A股存储芯片概念股集体走强，太极实业直线涨停，香农芯创大涨超8%续创历史新高，普冉股份大涨超14%，江波龙、商络电子、兆易创新、北京君正等跟涨[1] 行业驱动因素分析 - 台积电先进芯片工艺面临巨大产能瓶颈，主要因高性能计算客户在公司订单中所占比例越来越大[2] - AI应用需求持续供不应求，带动公司营收获利持续增长，外资已上修其AI应用营收的中长期预测，原预计2028年AI应用达总收入的35%，目前可望提早在今年或明年达成[3] - AI大模型训练和推理对内存容量的需求激增，HBM和DDR5内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链[6] - 例如，OpenAI名为"星际之门"的数据中心项目预计每月需要高达90万片晶圆[6]

指数及ETF表现 - 截至2025年10月29日，上证科创板芯片指数下跌0.14%，成分股中佰维存储领涨9.48%，中船特气上涨6.80%，思瑞浦上涨5.18%，安集科技领跌 [1] - 科创芯片ETF近1周规模增长22.03亿元，新增规模位居可比基金第一，近1周份额增长1200.00万份，新增份额位居可比基金第一 [1] - 科创芯片ETF近3年净值上涨136.21%，在指数股票型基金中排名27/1903，居于前1.42%，自成立以来最高单月回报为35.07%，最长连涨月数为4个月，连涨涨幅为74.17%，上涨月份平均收益率为9.90% [1] - 科创芯片ETF近5个交易日内合计资金流入2.76亿元，盘中换手率为3.35%，成交14.14亿元 [1] 指数成分与权重 - 截至2025年9月30日，上证科创板芯片指数前十大权重股合计占比59.69%，包括海光信息、澜起科技、中芯国际、寒武纪、中微公司、芯原股份、华虹公司、沪硅产业、华海清科、晶晨股份 [2] - 前十大权重股中，海光信息权重为11.09%，澜起科技权重为9.96%，中芯国际权重为9.58% [4] 行业前景与驱动因素 - 半导体材料板块在"十五五"政策预期与AI产业趋势共振下展开结构性行情，"十五五"规划强调供应链安全与自主可控，驱动国产材料验证导入进程加速 [2] - 存储行业自2025年第二季度开启新一轮量价齐升的上行周期，AI训练和推理对算力需求的快速增长是存储未来的核心驱动力 [2] - 先进逻辑及存储技术迭代对设备要求升级，推动全球半导体设备需求保持增长 [2]