点击 最 下方 关注《材料汇》 ， 点击"❤"和" "并分享 添加 小编微信 ，寻 志同道合 的你 正文 核心提要 本篇报告解决了以下核心问题： 1、光刻机核心部件的主要类型、基本原理、市场空间，EUV光刻机核心部件的差异性；2、ASML的产业协作模式、核心部件主要 供应商；3、光刻机国产化历程、现状，核心部件及加工设备标的推荐。 投资逻辑 光刻机是芯片制程核心设备。 光刻工艺直接决定芯片制造的细微化水平， 光刻机的关键指标是分辨率、焦深、套刻精度和产率 ，其中， 分辨率提升方式包括缩短 曝光波长、增大数值孔径、降低工艺因子以及多重曝光 ，增加焦深能够促使光刻机容纳各种工艺误差，套刻精度影响光刻工艺良率和多重曝光水平，产率是光刻机 实现产业化的必要条件。 核心部件是光刻产业关键壁垒。 对于投影光学光刻机，主要部件包括光源、照明、物镜、工件台、调焦调平、对准等，EUV光刻机特征显著体现在 材料选择、多 层反射膜结构、反射式投影系统、大功率光源以及磁悬浮工件台等 方面。对于光刻机核心部件，加工流程复杂、设备种类较多，是产业重要壁垒之一。我们测算， 2025E全球光刻机市场规模为293.7亿美元，照明+物镜、光源、 ...

高数值孔径EUV光刻技术分析 - 高数值孔径(NA)从0.33提升至0.55，可避免在0.33 NA EUV系统上进行多重图案化，但实际应用中EUV仍实现了双重图案化[1] - 数值孔径增加允许使用更多衍射级数或更宽空间频率范围成像，产生更明亮、更窄的峰值，改善归一化图像对数斜率(NILS)[1][3] - 0.33 NA直接打印图像因散粒噪声更易质量下降，需增加剂量至>100 mJ/cm²，但会降低吞吐量或造成光刻胶损失[3] 多重图案化技术比较 - 将0.33 NA图案分成两次曝光可改善NILS，DUV双重图案化可采用相同分割方法[5] - 按NA比(0.33/0.55)缩放图案后，预期High NA EUV需两次图案化，Low NA EUV需三次，DUV需四次[5] - 通孔图案符合对角网格时，可实现DUV/low NA EUV双重图案化或High NA EUV单重图案化的位置选择[7][9] 高数值孔径的技术挑战 - 数值孔径增大导致焦深减小，光刻胶厚度需小于30纳米，造成50%光刻胶厚度损失[13] - 15纳米离焦即显著影响40纳米间距线路图案，因0.55 NA包含四个衍射级而0.33 NA仅两个[11][13] - High NA EUV曝光难以提供合理光刻胶厚度所需的足够焦深，未来Hyper NA(≥0.75)情况会更差[13] 成像质量影响因素 - 更高空间频率与较低空间频率的相位差增大，导致图像因散焦失去对比度，对线路中断和线切割图案尤其不利[9][11] - 间距30nm的断线情况下，高数值孔径的广泛衍射级次导致焦深相对有限[15]