行业背景与驱动因素 - 人工智能服务器需求激增，催生全球数据中心建设，进而推动对芯片的巨大需求 [1] - 高带宽内存投资迅速增长，英伟达等公司AI半导体采用多颗HBM芯片导致供应紧张 [1] - 韩国SK海力士和三星电子正斥资数十亿美元建设HBM生产设施，预计2027至2028年左右投产 [1] 公司核心业务与机遇 - 东京电子核心机遇在于用于晶圆上形成电路的蚀刻设备，特别是DRAM互连蚀刻系统 [1] - HBM采用多层堆叠DRAM芯片，性能提升伴随层数增加，需要更多连接步骤，预计将提升对相关工艺系统的需求 [1] - 在DRAM芯片小型化过程中，蚀刻电容器所需的深垂直孔技术是公司专长，控制速度和形状的技术至关重要 [2] - 公司目标到2030财年，DRAM互连蚀刻系统累计销售额达到5000亿日元 [2] 公司财务与投资策略 - 尽管预计2025财年净利润下降10%至4880亿日元，但研发支出预计增长16%至2900亿日元，资本投资预计增长48%至2400亿日元，均创历史新高 [2] - 公司研发投入盈利性强，过去五年营业利润是研发成本的5.5倍，高于美国竞争对手Lam Research的4.5倍和应用材料的4倍 [2] - 公司正在日本各地建设新的研发设施、生产和物流中心，以期搭上经济超级周期的顺风车 [2] 市场竞争与股价表现 - 全球蚀刻设备市场中，Lam Research市场份额为40%至50%，东京电子市场份额为20%至30% [3] - 分析认为，若公司能从Lam手中夺取几个百分点的市场份额，将对收益做出巨大贡献 [3] - 东京电子股票在2025年上涨了42%，低于Lam的翻倍多和应用材料的58% [3] - 公司未来12个月预期市盈率为29倍，低于Lam的38倍 [3] - 若能夺取市场份额，公司将拥有更大定价自由度，更高的盈利预期可能推高市盈率，带动股价创新高 [3]