全球记忆体市场变动 - 三星电子将于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4记忆体生产，并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前完成出货 [1] - 三星停产DDR4主要原因为集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线，以及陆厂采取低价抢市策略导致市场竞争加剧与利润压缩 [1] - 台系记忆体厂因主力产品放在DDR4，有望受惠于三星停产DDR4的动作 [1] 地缘政治与市场影响 - 美国总统川普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32％关税 [2] - 研究机构预测2025年全球记忆体位元需求年增率将自原先预估的12.8％下修至4.8％，熊市情境更下探至3.5％ [2] - NAND市场现货价格已逼近制造成本，原厂启动10％～20％的产能调节计划以维持获利与价格稳定 [2] 陆厂竞争与市场调整 - 中国DRAM制造商不断扩增DDR4产量并大幅降低价格，去年年底售价仅为韩国竞争对手同类产品的一半 [3] - 美光、三星和SK海力士可能不再透过销售DDR4来赚取利润，并逐渐淘汰DDR4，转向专注制造更有利可图的DDR5和HBM [3] - 一旦美光、三星和SK海力士停止生产DDR3和DDR4，预期在2025年中部分入门级PC和消费性电子产品的供应可能因DDR4短缺而受到影响 [3] 台厂机会 - 台湾厂商可望受惠于部分客户不会选择中国制造的DRAM，可能转而向台厂购买专用记忆体 [4]

全球记忆体市场变动 - 三星电子将于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4记忆体生产，并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前完成出货 [2] - 三星停产DDR4主要原因为集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线，以及陆厂持续扩张DDR4产能并采取低价抢市策略 [2] - 韩系原厂正加速将产能转向高阶产品，如高频宽记忆体（HBM）与DDR5 [2] - 台系记忆体厂因主力产品放在DDR4，有望受惠于三星停产DDR4的动作 [2] 中国大陆厂商影响 - 中国大陆低阶手机采用的LPDDR4已被陆厂拿走订单 [2] - 中国DRAM制造商不断扩增DDR4产量，同时大幅降低价格，去年年底售价仅为韩国竞争对手同类产品的一半 [4] - 陆厂积极进军高阶记忆体市场，给传统巨头带来挑战 [2] 市场预测与需求 - 2025年全球记忆体位元需求年增率将自原先预估的12.8%下修至4.8%，熊市情境更下探至3.5% [2] - DDR4需求相当强劲，中国制造商产能可能无法满足市场，一旦美光、三星和SK海力士停止生产，部分入门级PC和消费性电子产品供应可能受到影响 [4] - 台湾厂商可望受惠，因为部分客户不会选择中国制造的DRAM，可能转而向台厂购买专用记忆体 [4] 地缘政治与关税影响 - 美国总统川普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32%关税 [2] - 晶圆与裸晶型态HBM、DDR与NAND不在此波课税清单中，但终端模组产品需求恐将受到压抑 [2] NAND市场现状 - NAND现货价格已逼近制造成本，原厂启动10%~20%的产能调节计划，仍能维持获利与价格稳定 [2] - 全球DRAM与NAND资本支出维持保守，整体供应链将面对来自中国大陆厂商的激烈竞争与美国对等关税政策风险升温 [2]