全球DRAM行业动态 - 全球三大DRAM原厂确定从DDR4转向先进制程产品，韩系两大记忆体业者已释出DDR4停产时程，美光也正式通知客户DDR4将停产(EOL)，预计未来2-3季陆续停止出货[1] - 美光表示DDR4将继续严重缺货，未来仅会策略性针对车用、工业、网通三大领域长期客户持续供应DDR4/LPDDR4[1][2] - DDR5/LPDDR5产品正进入市场价格甜蜜点，供应也将面临吃紧[1][3] 美光市场策略调整 - 公司将针对获利低于其他市场的领域提高定价能力，特别点出移动设备市场的产品定价和获利表现落后其他市场，将在未来几个月推升其定价能力[1] - 美光预期DRAM市场价格从2025年第2季开始显著上涨，接下来价格会持续上扬[2] - 公司强调记忆体毛利率和定价仍有很大上涨空间，尚未达到半导体业普遍水准，将确保投资达到理想回报并再投资于研发和新建投资[4] 产品转换与供应情况 - 美光预计未来3个季度后，消费性、手机、PC及资料中心用DDR4 DRAM将进行缩产或减产[2] - 高频宽记忆体(HBM)需求增加导致对DRAM晶圆需求量大增，限制了非HBM产品的供应量[2] - 虽然DDR4系列占美光营收比重很低，但公司体认到对部分客户造成挑战，将致力解决客户痛点[2] 市场需求与成长动力 - 资料中心需求强劲，云端服务(CSP)业者进行大规模资本投入，2025年AI相关资本支出续增，2026年仍非常可观[3] - AI训练和推论非常需要记忆体，目前发展瓶颈在于记忆体，需透过容量和频宽同步增长来提升系统效能[3] - PC和行动装置出货量预计2025年呈现低个位数成长，AI功能导入使这些产品需要更多DRAM，如智能手机从8GB进入12GB或16GB[3]

全球DRAM行业转型 - 全球三大DRAM原厂确定从DDR4转向先进制程产品，韩系两大记忆体业者已公布DDR4停产时程，美光正式通知客户DDR4将在未来2~3季陆续停止出货[1] - 美光表示DDR4将持续严重缺货，未来仅策略性针对车用、工业、网通三大领域长期客户供应DDR4/LPDDR4，同时DDR5/LPDDR5产品正进入市场价格甜蜜点[1][2] - 公司计划提高获利较低市场区块的定价能力，特别点出移动设备市场定价和获利表现落后，将在未来几个月推升其定价能力[1] DDR4减产与供应调整 - 美光已向PC、智能手机及数据中心领域客户发出DDR4/LPDDR4停产通知，预计未来3个季度后消费性、手机、PC及资料中心用DDR4将缩产或减产[2] - 未来DDR4供应将主要集中于车用、工业、网通三大市场，因这些领域对品质要求高且需长期合约保障[2] - 尽管DDR4占美光营收比重低，但公司承认对部分客户造成挑战，将致力解决客户痛点[2] DDR5市场发展与价格趋势 - DDR5/LPDDR5供应将面临吃紧，美光建议行动装置、PC及资料中心等主流应用客户尽快转换升级[3] - 高频宽记忆体(HBM)需求增加导致DRAM晶圆供应紧张，非HBM产品供应受限，市场价格预计从2025年Q2开始显著上涨[2][3] - 公司预期价格将持续上扬，强调记忆体毛利率和定价仍有很大上涨空间，未达半导体业普遍水准[5] AI驱动记忆体需求增长 - 资料中心需求强劲，云端服务商大规模资本投入推动2025年AI相关资本支出续增，2026年仍将维持可观水平[4] - 多国投资主权AI领域将带来多年资本支出规划，记忆体产业面临重大发展机遇[4] - AI训练和推论高度依赖记忆体，系统效能提升关键在于记忆体容量和频宽同步增长[4] PC与移动设备市场动态 - PC和手机需求稳定，库存已恢复至2025年初健康水准，预计2025年出货量呈现低个位数成长[5] - AI功能导入推动DRAM需求增长，智能手机内存正从8GB向12GB或16GB升级[5] - 移动设备市场价格普遍低于其他应用，公司将聚焦提升该领域定价能力[5]

全球记忆体市场变动 - 三星电子将于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4记忆体生产，并要求客户在6月前完成最后买进订单，预计最迟于10月前完成出货 [2] - 三星停产DDR4主要原因为集中资源于获利能力更高的HBM与DDR5产品线，以及陆厂持续扩张DDR4产能并采取低价抢市策略 [2] - 韩系原厂正加速将产能转向高阶产品，如高频宽记忆体（HBM）与DDR5 [2] - 台系记忆体厂因主力产品放在DDR4，有望受惠于三星停产DDR4的动作 [2] 中国大陆厂商影响 - 中国大陆低阶手机采用的LPDDR4已被陆厂拿走订单 [2] - 中国DRAM制造商不断扩增DDR4产量，同时大幅降低价格，去年年底售价仅为韩国竞争对手同类产品的一半 [4] - 陆厂积极进军高阶记忆体市场，给传统巨头带来挑战 [2] 市场预测与需求 - 2025年全球记忆体位元需求年增率将自原先预估的12.8%下修至4.8%，熊市情境更下探至3.5% [2] - DDR4需求相当强劲，中国制造商产能可能无法满足市场，一旦美光、三星和SK海力士停止生产，部分入门级PC和消费性电子产品供应可能受到影响 [4] - 台湾厂商可望受惠，因为部分客户不会选择中国制造的DRAM，可能转而向台厂购买专用记忆体 [4] 地缘政治与关税影响 - 美国总统川普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32%关税 [2] - 晶圆与裸晶型态HBM、DDR与NAND不在此波课税清单中，但终端模组产品需求恐将受到压抑 [2] NAND市场现状 - NAND现货价格已逼近制造成本，原厂启动10%~20%的产能调节计划，仍能维持获利与价格稳定 [2] - 全球DRAM与NAND资本支出维持保守，整体供应链将面对来自中国大陆厂商的激烈竞争与美国对等关税政策风险升温 [2]

行业动态 - AI需求爆发推动记忆体行业进入全面涨价周期，美光率先发函通知所有产品领域提价[1][3] - 记忆体产业预计成长将延续至2025-2026年，供需紧张导致价格调涨从2025Q2全面启动[1][5] - 近10年来记忆体原厂首次全面涨价，行业脱离传统周期循环模式进入卖方市场[3] 价格变动 - NAND晶圆和零组件已调涨两波，整体涨幅超15%，部分品项涨幅达20%[4] - 涨价模式罕见改变：由原厂直接调整官价而非逐步试探市场反应[5] - 韩系记忆体厂商预计快速跟进美光涨价动作[5] 供应链调整 - 美光不接受延长申请的额外接单，所有未交货订单将自动适用新价格[6] - 大规模量产/旧产线折扣效期缩短，未确认材料可用日的订单可能延迟或取消[6] - 部分品项产能已不足，存在订单无法完全交付的风险[7] 市场需求 - AI应用需求成为核心驱动力，美光产品组合市场兴趣显著提升[5] - 公司要求客户提供更长期需求预测和积压订单信息以安排产能[7] - 伺服器记忆体领域涨价执行细节仍需观察，传统先拿货后开发票模式面临挑战[6] 企业策略 - 美光依据产品价值和投资回报率调整定价策略[5] - 涨价条件设置显示公司对市场掌控力增强[8] - 需求超预期增长促使公司采取更激进的价格政策[5]